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1
热电材料和使用该热电材料的热电组件　[申请号/专利号：200410094212]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明公开了一种包含由下列组成式表示并且具有ＭｇＡｇＡｓ－型晶体结构的主相的热电材料：（Ｔｉ＜ｓｕｂ＞ａ１＜／ｓｕｂ＞Ｚｒ＜ｓｕｂ＞ｂ１＜／ｓｕｂ＞Ｈｆ＜ｓｕｂ＞ｃ１＜...
2005年9月7日
2
热电材料和使用热电材料的热电组件　[申请号/专利号：200410082049]
申请人/专利权人：株式会社东芝
公开了一种热电材料，包括用下面的组成式表示的主相并具有ＭｇＡｇＡｓ型晶体结构：（Ｔ＃－［ａ１］Ｚｒ＃－［ｂ１］Ｈｆ＃－［ｃ１］）＃－［ｘ］Ｃｏ＃－［ｙ］Ｓｂ＃－［１００...
2005年6月8日
3
一种温差发电器用导流电极及其制备方法　[申请号/专利号：200410093959]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
本发明涉及一种温差发电器用导流电极及其制备方法，导流电极特点是将基体粉末材料和过渡活性材料分层压制在一起，构成温差发电器用导流电极；其制备方法为：①将基体粉末材料和过渡...
2006年6月21日
4
热电转换材料及其制作方法　[申请号/专利号：00800502]
申请人/专利权人：住友特殊金属株式会社
硅基热电转换材料和热电转换元件，其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和电导率，这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组...
2001年6月20日
5
6
热电转换模块和使用它的热交换器以及热电发电装置　[申请号/专利号：200580043512]
申请人/专利权人：株式会社东芝、东芝高新材料公司
热电转换模块１０具备第１和第２电极部件１３、１４以及配置于这些电极部件１３、１４间的热电元件１１、１２。热电元件１１、１２由半霍伊斯勒材料形成，而且通过接合部１７电气并...
2007年11月28日
7
改进了品质因素的热电材料、其制造方法及使用其的组件　[申请号/专利号：01145178]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本发明公开了通过液体急冷法和从模具单元挤出来制造（Ｂｉ，Ｓｂ）（Ｔｅ，Ｓｅ）系列的热电材料，该模具单元具有彼此相交３０－１５０度的进口部分和出口部分，以便晶粒具有等于或...
2002年7月17日
8
单芯稀土复合套管热电偶　[申请号/专利号：01141702]
申请人/专利权人：陈洪德
一种单芯稀土复合套管热电偶，其特征是：正极是镍铬钇合金保护管材料，负极是穿在保护管内的ＭｇＯ柱的中心孔的镍硅合金偶丝。保护管外部套有与其同材质的复合套管。其优点是：可在...
2003年3月19日
9
2008年6月11日
10
2008年6月11日
11
集成的并列珀耳帖/塞贝克元件芯片及其制备方法、连接方法　[申请号/专利号：200580021676]
申请人/专利权人：株式会社明电舍、近藤义臣
在绝缘衬底上形成具有不同塞贝克系数的第一和第二导电部件，并且通过欧姆接触连接所述第一和第二导电部件，并且在结合表面处用具有优越导热性和电绝缘性质的材料片，例如通过耐蚀铝...
2007年6月6日
12
一种原位纳米复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059852]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种原位纳米复合Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Ｍｇ↓［２－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］Ｓｉ↓［０．５－ｘ］Ｓｎ↓［０．５＋ｘ］，ｘ＝０．０２...
2008年7月23日
13
同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059880]
申请人/专利权人：杭州电子科技大学
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套，二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是：将原料加入反应容器中，加入蒸馏水、硼氢化钾、...
2008年8月6日
14
热电式燃具熄火保护用热电偶　[申请号/专利号：91106051]
申请人/专利权人：沈阳热水器总厂
本发明是一种热电式燃具熄火保护用热电偶，它包括有采用铠装单芯结构，外壳作为正极，其顶端与中心电极（负极）焊在一起，其特征是正极采用镍铬合金制做，中心电极（负极）采用表面...
1991年7月24日
15
热电材料及其制造方法　[申请号/专利号：200380104378]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种结晶平均粒径处于５０纳米以下、相对密度处于８５％以上的热电材料，以及包括微细粉末的制备工序和在１．０ＧＰａ以上且１０ＧＰａ以下的压力下将微细粉末烧结或使其固化的工序...
2006年1月4日
16
一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺　[申请号/专利号：200410024777]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺，其特征在于所述的电极材料为金属钼，钼片的厚度为０．５－１．５ｍｍ。其制备特征在于锑化钴基热电材料的电极材料钼通过引入金...
2005年2月23日
17
高性能碲化铋热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200610019607]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明属于新能源材料领域。高性能碲化铋热电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（１）以市售区熔法制得的Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］为初始原料，在压片机上将其压成块状；（...
2007年1月24日
18
一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059853]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种原位复合Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Ｍｇ↓［２－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］Ｓｉ↓［０．５＋ｘ］Ｓｎ↓［０．５－ｘ］，ｘ＝０～０．０８...
2008年8月6日
19
硅锗晶体　[申请号/专利号：99802262]
申请人/专利权人：信越半导体株式会社
提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的ＳｉＧｅ材料。构成晶体的晶粒的大小在５×１０↑［－５］ｍｍ↑［３］以上。...
2001年3月21日
20
热电转换元件　[申请号/专利号：98803775]
申请人/专利权人：住友特殊金属株式会社
一种热电元件，它包含由新型硅基热电材料制成的Ｐ型半导体、与Ｐ型半导体一起形成ＰＮ结的Ｎ型半导体、以及用键合金属键合到半导体的引线。ＰＮ结以及半导体与引线之间的键合，被设...
2000年4月26日
21
22
含银热电化合物　[申请号/专利号：200480029062]
申请人/专利权人：密歇根州州立大学托管委员会
一种通式为Ａｇ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｍ］Ｍ’Ｑ↓［２＋ｍ］的热电材料，其中Ｍ选自Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、二价过渡金属和其组合；Ｍ’选自Ｂｉ、Ｓｂ和其组合；Ｑ选自Ｓｅ、...
2006年11月15日
23
热电半导体材料、热电元件和热电组件及其制造方法　[申请号/专利号：99121657]
申请人/专利权人：株式会社小松制作所
一种热电半导体材料或元件的制造方法是向橡皮管内填充半导体粉末与溶剂，在用上盖与下盖封住上下方的状态下，由环固定橡皮管的两端。然后，将该橡皮管浸渍于油浴中，利用油压由侧面...
2000年5月10日
24
硅基导电材料及其制造方法　[申请号/专利号：98811697]
申请人/专利权人：株式会社新王磁材、春山俊一
在室温下，其电阻率为１０＃＋［－３］（Ω．ｍ）或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料，而且还能够进行生产并且进行处理，这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的...
2001年1月17日
25
热电转换材料及其制造方法　[申请号/专利号：98811689]
申请人/专利权人：住友特殊金属株式会社
包括通过将各种杂质添加到Ｓｉ中而获得的一种ｐ－型半导体或者一种ｎ－型半导体的一种新的、硅基热电转换材料，这种热电转换材料有很好的成品率，并且其价格低，具有稳定的质量和高...
2001年1月17日
 

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