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钱眼专利首页 > 除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅡBⅥ化合物的 的专利共 15 条
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1
一种肖特基二极管　[申请号/专利号：200710046545]
申请人/专利权人：华东师范大学
本发明涉及一种新型的肖特基二极管，属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括：衬底、银电极层和单根超长ＺｎＯ纳米杆单晶材料。其中，银电极层设置在衬底上，超...
2008年2月27日
2
薄膜晶体管　[申请号/专利号：200710180203]
申请人/专利权人：施乐公司
本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括基材、介电层和半导体层。半导体层为ｃ轴垂直于介电层或基材平面优选取向的结晶氧化锌，其通过液体沉积氧化锌纳米盘组合物制备。该薄膜晶体管具...
2008年4月16日
3
一种ZnO基透明场效应晶体管　[申请号/专利号：200710066966]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的ＺｎＯ基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为ｐ－ＺｎＯ薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为１０↑［１９］～１０↑...
2007年8月1日
4
具有改善的光输出的垂直结构半导体器件　[申请号/专利号：200580020642]
申请人/专利权人：沃提科尔公司
本发明提供了一种用于制造具有较大改善的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法。制造发光半导体器件的方法的典型实施例包括以下步骤：形成发光层；在发光层上形成波形表...
2007年8月29日
5
采用电表面安装的发光晶片封装　[申请号/专利号：200480030943]
申请人/专利权人：克立公司
本发明揭示一种发光晶片封装。所述晶片封装包含一衬底、一反射板和一透镜。所述衬底可由导热但电绝缘的材料制成，或者由一既导热又导电的材料制成。在其中所述衬底由一导电材料制成...
2006年11月29日
6
用于微结构和半导体器件的新封装方法　[申请号/专利号：200480016667]
申请人/专利权人：反射公司
本发明提供了一种封装电子器件（例如接收或发送电子信号的任何器件）的新方法，上述电子器件包括微机电器件、半导体器件、发光器件、光调制器件及光检测器件。电子器件被置于两个衬...
2006年7月19日
7
表面安装电源的发光晶粒封装　[申请号/专利号：03820849]
申请人/专利权人：克立公司
本发明揭示一种发光晶粒封装（１０）。所述晶粒封装（１０）包括一个基板（２０）、一个反光板（４０）和一个透镜（５０）。所述基板（２０）由具有导热性的电绝缘材料制成。所述基...
2005年10月5日
8
半导体器件以及制造这种半导体器件的方法　[申请号/专利号：03813676]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
本发明提供了一种具有极佳结晶度和极佳电性能的半导体器件，该半导体器件中包括一个具有极佳表面平滑度的ＺｎＯ薄膜。主要含有ＺｎＯ的ＺｎＯ基薄膜（一个ｎ型接触层６，一个ｎ型覆...
2005年8月24日
9
谐振微空腔显示器型场致发射显示器用于光阀投影仪的照明　[申请号/专利号：02824149]
申请人/专利权人：汤姆森许可公司
用于ＬＣＯＳ投影系统的照明源包括：真空空腔（１１２）；在真空空腔第一侧的场致发光显示点（１０４）阵列；以及在真空空腔第二侧的谐振微空腔阳极阵列。场致发射显示点是电子发射...
2006年5月10日
10
使用激光束分离材料层的方法　[申请号/专利号：200580015231]
申请人/专利权人：J.P.瑟塞尔联合公司
通过辐照材料层和衬底之间的界面，使用剥离方法从衬底上分离材料层。根据一个示例工艺，将层分成多个与衬底上的管芯对应的区段，并且将均匀束斑的形状设置成覆盖整数个区段。...
2007年5月30日
11
p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法　[申请号/专利号：200710160237]
申请人/专利权人：浙江大学、横店集团东磁股份有限公司
本发明公开了一种ｐ型掺杂ＺｎＯ基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］ＴＭ↓［ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｏ，Ｔｍ代表过渡金属元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等，ｘ＝０...
2008年5月21日
12
用于控制受控元件的有源矩阵背板及其制造方法　[申请号/专利号：200710092173]
申请人/专利权人：阿德文泰克全球有限公司
一种有源阵列背板，包括：基片，该基片具有包括有源电子元件阵列的电路。每个有源电子元件包括半导体材料、绝缘体和传导材料的适当物理布局，用于形成所述有源电子元件，其中所述半...
2007年9月19日
13
发光二极管　[申请号/专利号：01821281]
申请人/专利权人：大连路明科技集团有限公司
一种半导体光发射二极管，其包括形成于基片（１００）的同一侧的，密置分开的ｎ和ｐ型电极，以形成一具有小具体结构（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）的ＬＥＤ。一种半透明Ｕ形ｐ型连接层（１...
2004年7月28日
14
一种p型或n型氧化锌薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200510111068]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属功能材料技术领域，具体为一种ｐ型／ｎ型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅（１００）作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋...
2006年8月2日
15
用于封装集成电路器件的方法和设备　[申请号/专利号：200480025199]
申请人/专利权人：泰塞拉技术匈牙利公司
一种集成封装的集成电路器件，包括：集成电路管芯，其包含具有第一和第二大体平坦的表面和边缘表面的结晶衬底以及形成在第一大体平坦的表面上的半导体电路；形成在半导体电路和第一...
2007年6月6日
 

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