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钱眼专利首页 > 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 的专利共 18 条
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1
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200480000426]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板（１０１）；在该基板（１０１）上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层（１０２）、基极层（１０５）和集电极层（１０７...
2005年11月16日
2
发光元件　[申请号/专利号：00808539]
申请人/专利权人：日亚化学工业株式会社
一种氮化物半导体元件，其特征是：它在ｎ型氮化物半导体层和Ｐ型半导体层之间具有由量子阱层和势垒层叠层生长而成的有源层，所述有源层的量子阱层由Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ...
2002年6月12日
3
半导体器件　[申请号/专利号：97102374]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
半导体器件，具有：包括主表面和相对表面的半导体衬底，至少一个部分暴露于衬底侧表面的ｐ－ｎ结，以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构，所述半...
1997年10月29日
4
肖特基结半导体器件　[申请号/专利号：91104304]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种肖特基结半导体器件，包括由ｎ型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的ｎ型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在...
1992年1月22日
5
水平结构晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：85108008]
申请人/专利权人：得克萨斯仪器公司
在被诸如氧化物之类的绝缘体完全包围的一个薄的外延岛中制成水平结构晶体管．该晶体管具有从同一掩模扩散到岛中的基极区和发射极区，从而使基极的宽度是可控的并且相对于发射极来说...
1986年5月10日
6
弹道半导体元件　[申请号/专利号：200480001374]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的弹道半导体元件备有ｎ型的发射极层（１０２）、由ｎ型的ＩｎＧａＮ构成的基极层（３０５）、ｎ型的集电极层（３０７）、夹在上述发射极层（１０２）和上述基极层（３０５）...
2005年12月7日
7
栅控半导体四极管　[申请号/专利号：87102851]
申请人/专利权人：无锡微电子联合公司
栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流—电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。它们的输出电流，跨导，以及...
1988年5月25日
8
半导体器件电容器及其制造方法　[申请号/专利号：95120333]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
在一片基片上形成具有顶板和底板的第一和第二想象电容器。通过金属导线将第一想象电容器的顶板和第二想象电容器的底板相连接，由此形成实际电容器的第一板。用金属导线将第一想象电...
1996年9月11日
9
产生正负高压的电源输出电位复位电路　[申请号/专利号：95120259]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
当输出节点（１０６）输出第三电源电位的状态被切换到输出第二电源电位的状态时，第二电源电位的馈送单元经由第一Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ（ｔｐｌ）被连接到输出节点（１０６）。而且，...
1996年9月25日
10
高跨导高厄利(Early)电压模似(Mos)晶体管　[申请号/专利号：86100192]
申请人/专利权人：南开大学
高跨导高Ｅａｒｌｙ电压的ＭＯＳ晶体管——ＨＧＥＴ，属于一族新型半导体集成器件．它能在常规的ＭＯＳ工艺下制造出跨导为２０～４０ｍ∴，Ｅａｒｌｙ电压为４０～５０Ｖ的器件．这...
1987年7月22日
11
ＭＯＳ栅控横向晶闸管　[申请号/专利号：87209110]
申请人/专利权人：南京工学院
ＭＯＳ栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的ＰＮＰＮ层为横向结构。采用ＭＯＳ管和双极型晶体管复合构成，ＭＯＳ管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用Ｍ...
12
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：96102369]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
一个由一个ｐ↑［＋］集电区（１），一个ｎ型缓冲区（３），一个ｎ↑［－］区（５）和一个ｎ↑［＋］阴极区（７）组成的ｐｉｎ二极管。一个从ｎ↑［＋］阴极区（７）的表面开始穿过...
1997年2月12日
13
用于半导体器件的金红石介质材料　[申请号/专利号：99124827]
申请人/专利权人：西门子公司
根据本发明形成半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底中提供深沟槽，深沟槽具有下部，通过用介质层作衬里，在深沟槽中形成介质层，该介质层包括钛。一种半导体器件包括具有形成于其...
2000年10月18日
14
用于电压驱动式开关元件的驱动器　[申请号/专利号：200610145503]
申请人/专利权人：日产自动车株式会社
本发明公开一种用于电压驱动式开关元件的驱动装置和一种用于驱动电压驱动式开关元件的方法，所述装置和所述方法使储存在所述电压驱动式开关元件的栅极端子处的电荷以一放电率放电。...
2007年5月23日
15
有最佳静电放电保护的输入/输出晶体管　[申请号/专利号：95190969]
申请人/专利权人：爱特梅尔股份有限公司
一种在输入／输出晶体管中，提供静电放电（ＥＳＤ）保护的装置。安置在靠近门（３５）和基底（２５）的表面是一个轻掺杂区（１０５）。选择蚀刻侧边氧化物层（４５）以便由门侧向延...
1996年11月19日
16
具有基体触发效应的硅可控整流器　[申请号/专利号：02127692]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明是提供一种基体触发硅控整流器（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ－ｔｒｉｇｇｅｒｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ，ＳＴＳＣＲ）；该ＳＴＳＣＲ是形成...
2003年3月19日
17
动能调制热电子晶体管　[申请号/专利号：86105050]
申请人/专利权人：朱恩均
本发明提出了一种新结构的热电子晶体管，它在工作时，输入电压将基本上不改变输入电流的大小，只调制输入电子流的动能从而调制了电子飞越输出端集电极势垒的几率，控制了电流传输系...
1988年3月2日
18
在半导体衬底上开孔、制作深沟槽和开接触孔的方法　[申请号/专利号：00807779]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术北美公司
根据本发明，一种在半导体制造中开孔的方法包括下列步骤：在衬底（１０２）上提供焊点叠层（１０４）；在焊点叠层上制作硬掩模层（１０６），此硬掩模层相对于焊点叠层可选择性地清...
2002年5月29日
 

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