在一个公共衬底之内或之上形成的-钱眼专利分类

附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置　[申请号/专利号：200710112200]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供了一种重量轻、（厚度）薄、尺寸小的附着型区域传感器。该区域传感器的像素具有作为光源的ＥＬ元件和作为光电转换元件的光电二极管。为了控制ＥＬ元件和光电二极管的工作...

2007年12月19日

集成有源光子器件和光电探测器　[申请号/专利号：03813189]
申请人/专利权人：英坦斯有限公司
一种有源光子半导体器件，如激光器、光放大器或ＬＥＤ，其与光电探测器单片集成。该器件包括：一个光有源区，形成于衬底之上，包括第一个电接触用于启动激发光有源区内的光子发射；...

2005年11月30日

单片线性光耦合器　[申请号/专利号：96195016]
申请人/专利权人：西门子微电子公司
一种单片光耦合器，它具有：发光二极管，用于发射光线；第一光电二极管，用于根据它感测的光产生电流；第二光电二极管，用于根据它感测的光产生电流；以及绝缘体，用于使所述发光二...

1998年7月29日

波长可控电压相位光电二极管光电子开关　[申请号/专利号：97180913]
申请人/专利权人：艾伦·Y·乔
公开了作为单片集成电路制造的能够快速切换频率的波长部分可控的光电子开关（“电压相位光电子开关”）。电压相位光电子开关由两个反向平行靠近的最好在单片硅基片上的光电二极管组...

2000年1月12日

单片线性光耦合器及其制造方法　[申请号/专利号：99102167]
申请人/专利权人：西门子微电子公司
一种制造单片半导体结构的方法包括：在一ｎ型硅晶片之内蚀刻多个沟道；把ｎ型材料扩散到晶片中，以形成Ｎ↑［＋］层；在Ｎ↑［＋］层上形成第一氧化物层；将硅材料沉积在所获得的结...

1999年9月1日

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