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1
包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810008557]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多...
2008年7月30日
2
用于铁电存储器的掺钕钛酸铋铁电薄膜及其低温制备方法　[申请号/专利号：200710063820]
申请人/专利权人：清华大学
本发明涉及用于铁电存储器的掺钕钛酸铋铁电薄膜及其低温制备方法，属于微电子新材料与器件范围，该薄膜的组成及组分为：Ｂｉ↓［４－ｘ］Ｎｄ↓［ｘ］Ｔｉ↓［３］Ｏ↓［１２］，其...
2007年8月15日
3
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710187992]
申请人/专利权人：奇梦达北美公司
披露了半导体器件及其制造方法。优选的实施例包括形成材料层的方法。该方法包括形成第一材料的至少一个第一层，以及在第一材料的至少一个第一层之上形成第二材料的至少一个第二层。...
2008年5月21日
4
高介电常数材料　[申请号/专利号：200610004005]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
电容器（１０）包括衬底（１２）和两个金属电极（１４，１８）。在电极之间形成介电层（１６）。优选地，该介电层具有大于２５的介电常数和对硅具有足够的导带偏移。提出的示例性实...
2006年9月13日
5
2008年6月11日
6
一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法　[申请号/专利号：200710177556]
申请人/专利权人：中国科学院电工研究所
一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释３９％或４９％的高浓度氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明的，...
2008年4月16日
7
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710104835]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的一种方式的半导体器件，具备：半导体基板；在上述半导体基板上形成的第１绝缘层；在上述第１绝缘层上形成、成为浮栅的第１导电层；在上述第１导电层上形成、成为电极间绝缘...
2007年11月28日
8
固体摄像装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710104198]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种通过像素单元的放大晶体管及外围电路的模拟电路实现１／ｆ噪音的降低的固体摄像装置及其制造方法。有关本发明的固体摄像装置是在半导体基板（１０）上具备以矩阵状排列的多...
2007年11月28日
9
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710100937]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含（Ｈｆ↓［ｚ］Ｚｒ↓［１－ｚ］）↓［ｘ］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－ｙ...
2007年10月31日
10
形成半导体设备的绝缘层的方法　[申请号/专利号：200710004249]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种形成半导体设备的绝缘层的方法。在工艺室中的硅基底上形成绝缘层的方法包括的步骤为：在硅基底上形成氮化物层；此后，对硅基底和氮化物层执行热氧化工艺，其中，热...
2007年7月25日
11
氮化物半导体发光器件和制备氮化物半导体激光器的方法　[申请号/专利号：200610168827]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件含有涂有涂膜的发光部分，所述发光部分由氮化物半导体形成，并且与发光部分接触的涂膜由与发光部分相邻沉积的氧氮化物...
2007年6月20日
12
四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物于集成电路工艺中的应用　[申请号/专利号：200610142544]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)
提供一种制造用于图案化与蚀刻的低温可去除二氧化硅硬式罩幕的方法，其中采用四乙基正硅酸盐（ＴＥＯＳ）以沉积二氧化硅硬式罩幕。...
2007年7月11日
13
半导体器件制造方法　[申请号/专利号：200610138910]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明旨在使用铪原材料、硅原材料和氧化剂通过原子层沉积方法沉积硅酸铪膜，由此改善漏电流特性和台阶覆盖性能。本发明中公开了一种具有沟槽电容器的半导体器件的制造方法，该沟槽...
2007年3月28日
14
半导体处理用成膜方法和装置　[申请号/专利号：200510134334]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，...
2006年6月21日
15
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510125714]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。一介电层位于具有一导体区的一半导体基底上，上述介电层的介电常数小于３．９。一氧碳化硅层位于上述介电层上、与一氧氮化硅层位于上述氧碳...
2006年8月23日
16
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510124242]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种用在高电压下的晶体管元件中的蚀刻停止层，该蚀刻停止层为一电阻率大于１０ｏｈｍ－ｃｍ的高电阻薄膜，当栅极电压超过５Ｖ时，...
2006年7月5日
17
原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法　[申请号/专利号：200610027447]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明提供一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，可防止多晶硅材料在后续制程被氧化，这种方法是在沉积介电常数材料形成电容器中...
2007年12月12日
18
形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法　[申请号/专利号：200610007673]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法，其是在降低热预算的情况下，降低电浆伤害及／或优先溅镀。此方法包括提供半导体基材，此半导体基材上至少包括下方的至少二半...
2006年9月13日
19
氮化闪速存储器形成底氧化层的方法　[申请号/专利号：200610129061]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种位于半导体衬底上的非易失性存储器设备，包括位于衬底上的底氧化层，位于底氧化层上的氮化硅中间层，及位于中间层上的顶氧化层。底氧化层的氢浓度最高达５Ｅ１９ｃｍ↑［－３］...
2007年4月4日
20
用于制造半导体存储器件的方法　[申请号/专利号：200610110139]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温...
2007年2月7日
21
非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法　[申请号/专利号：200610101497]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种非易失性半导体存储器，能够将隧道绝缘膜作成难以生成缺陷的高品质的绝缘膜，而且可谋求漏电流的减少、元件特性和可靠性的提高。本发明的非易失性半导体存储器具备：...
2007年1月31日
22
用于产生栅极叠层侧壁隔片的方法　[申请号/专利号：200610000510]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明公开了一种用于通过利用ＰＥＣＶＤ工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总ｋ值在约３．０到约５．０之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可...
2006年8月23日
23
用于半导体元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510118089]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧...
2006年6月28日
24
氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序　[申请号/专利号：200610100571]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用ＣＶＤ在被处理基板上形...
2007年1月10日
25
半导体处理用成膜方法和装置　[申请号/专利号：200710001998]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重...
2007年7月25日
26
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610006810]
申请人/专利权人：株式会社东芝
根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、Ｐ－沟道ＭＯＳ晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜（ＳｉＯ↓［２］），和包...
2006年8月16日
27
控制金属栅极叠层中平带/阈值电压的方法及其结构　[申请号/专利号：200610093844]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种金属叠层（或栅极叠层）结构，其使材料叠层的平带电压和阈值电压稳定，该材料叠层包括栅极导体和具有大于大约４．０的介电常数的电介质材料、尤其是Ｈｆ基电介质。本...
2006年12月27日
28
基板处理方法、计算机可读记录介质以及基板处理装置　[申请号/专利号：200610087187]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的目的在于形成介电常数更低且耐热性好的无定形碳的绝缘膜。在本发明的绝缘膜形成装置（３２）中，向处理容器（５０）内的等离子体生成区域（Ｒ１）供应Ａｒ气作为等离子体生...
2006年12月20日
29
在高介电常数的介电材料上的硅的氮氧化物层的形成　[申请号/专利号：200580006138]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明的实施例提供了在设置在衬底上的介电层上沉积覆盖层的方法。在一实施例中，一种工艺包括暴露衬底在沉积工艺中以在其上形成介电层，在沉积工艺期间暴露该衬底于硅前驱物脉冲和...
2007年3月7日
30
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510092678]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Ａｌ布线（导电焊盘）。然后，在Ａｌ布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Ａｌ↓［２...
2006年10月4日
31
等离子体成膜方法及其装置　[申请号/专利号：200580028448]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、大阳日酸株式会社、大见忠弘
本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为６０×１０↑［－９］体积比以下的Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在Ｃ↓［５...
2007年9月5日
32
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510092679]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。其中，形成厚度大于布线的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜作为保护膜，然后通过ＣＭＰ处理研磨Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜，直到露出导电阻挡膜。也...
2006年10月4日
33
半导体芯片　[申请号/专利号：200610071402]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
半导体芯片（１００）包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的层叠膜（１５０），其包括诸如第一层间绝缘膜（１０６）的含碳绝缘膜和诸如底层（１０２）和顶覆盖膜（１...
2006年9月20日
34
制造图案化的铁电介质的方法　[申请号/专利号：200610065518]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种制造图案化铁电介质的方法。该方法包括：在基底上形成电极；使用至少用于制造铁电膜的前驱体在电极上形成具有预定图案的特征；源材料与前驱体特征反应，将前驱体特...
2006年10月4日
35
利用抗腐蚀硼和磷材料的电子结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710112558]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了致密硼基或磷基介质材料。具体地，本发明提供包括硼和碳，氮和氢中的至少一种的致密硼基介质材料和包括磷和氮的致密磷基介质材料。本发明还提供在ＵＬＳＩ后段制程（Ｂ...
2007年12月26日
36
电子装置用基板及其处理方法　[申请号/专利号：200580011029]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳（ＣＦ）构成的绝缘膜（Ｉ）。接着，通过使在...
2007年4月4日
37
高介电常数介电材料的稳定化方法　[申请号/专利号：200580009236]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了一种生成介电叠层的方法，其通过将基板暴露在一系列的沉积、氮化及退火处理中。在一实例中，提供一种方法其包含将该基板暴露在一沉积处理下以于其上生成一介电层；将该...
2007年3月21日
38
沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法　[申请号/专利号：200580007772]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明提供一种刻蚀衬底的方法，该方法包括用沉积在其上的无定型碳材料刻蚀导体材料。一方面，本发明提供一种用于处理衬底的方法，该方法包括在衬底表面上沉积导体材料层、在导体材...
2007年3月14日
39
一种特殊结构的硅片、其用途和制备方法　[申请号/专利号：200510110008]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种特殊结构的硅片，除具有硅基板外，还具有氧化膜和氮化硅两层膜结构，其中ＯＸ膜结构置于硅基板和氮化硅之间。该硅片可应用于半导体制造监控工艺中作为挡控片，即用...
2007年5月9日
40
前金属介电层的有限热预算形成　[申请号/专利号：200580007697]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明提供一种填充由基板上邻近凸起特征所限定的间隙的方法，其包括提供含硅工艺气体流进入装有该基板的处理室，提供氧化工艺气体流进入该处理室，以及提供含磷工艺气体流进入该处...
2007年3月14日
41
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510096571]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜１６的防透膜被插置于硅衬底１０与高ｋ栅极绝缘膜１８之间，由此防止高ｋ栅极绝缘膜１８被脱氧，同时在已经形成栅电极层２０之后进...
2006年10月4日
42
改善低K电介质对导电材料粘附性的方法　[申请号/专利号：200580017862]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述...
2007年5月9日
43
高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200610038030]
申请人/专利权人：南京大学
本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）↓［１－ｘ］，其中ｘ的取值范围为０．１...
2006年11月15日
44
形成溶液处理器件的方法　[申请号/专利号：200580031428]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
一种方法，包括借助于一种或者多种溶液处理工艺，在衬底（１０２）的至少一部分上沉积（１４２）第一材料，以形成第一材料层（１０８），所述第一材料层（１０８）的至少一部分包括...
2007年8月22日
45
等离子体成膜方法和等离子体成膜装置　[申请号/专利号：200580034009]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器（１）内被载置的基板（Ｗ），通过在径向线隙缝天线（４）中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：...
2007年9月12日
46
在低利用工艺中流量和压力梯度的去除　[申请号/专利号：200580029355]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了在低物种利用工艺期间，通过停止气体流入反应腔室，可使扩散入衬底的原子数量均匀或者可使薄膜的厚度均匀。停止气体流入反应腔室可能需要关闭阀门（真空泵的阀门），稳...
2007年8月1日
47
用于各种刻蚀和光刻集成方案的无定型碳的使用技术　[申请号/专利号：200580003299]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定...
2007年2月14日
48
半导体装置的制造方法以及成膜系统　[申请号/专利号：200580002360]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由ＣＦ构成的绝缘膜（９１）。在该绝缘膜（９１）上形成含有ＳｉＣＮ膜（９３）的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧...
2007年2月7日
49
半导体叠层结构及其制造方法以及半导体器件　[申请号/专利号：200510111387]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
本发明提供了一种半导体叠层结构，包括；在衬底上形成的第一绝缘层；和在第一绝缘层上形成的第二绝缘层；所述叠层结构位于多层互连结构的金属引线之间以提高引线之间的击穿电压。本...
2007年6月20日
50
用等离子体处理改进包含高K层的栅极电介质叠层的方法和系统　[申请号/专利号：200580027487]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层（１）的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底（１０，１２５）上的高ｋ层（３０）的栅极电介质叠层（１）；由包含惰性气体和含氧气...
2007年7月25日
 

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