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专利号:200580007772
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沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法

本发明提供一种刻蚀衬底的方法,该方法包括用沉积在其上的无定型碳材料刻蚀导体材料。一方面,本发明提供一种用于处理衬底的方法,该方法包括在衬底表面上沉积导体材料层、在导体材料层上沉积无定型碳层、刻蚀无定型碳层以形成图案化的无定型碳层、以及对应于图案化的无定型碳层在所述导体材料层中刻蚀特征定义。无定型碳层可以充当硬掩模、刻蚀阻挡层或抗反射涂层。

沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法

一种在处理室中处理衬底的方法,包括:    在所述衬底的表面上形成导体材料层;    在所述导体材料层上沉积无定型碳层;    刻蚀所述无定型碳层以形成图案化的无定型碳层;以及    对应于所述图案化的无定型碳层在所述导体材料层中刻蚀特征定义。
 


  
专利号: 200580007772
申请日: 2005年3月9日
公开/公告日: 2007年3月14日
授权公告日:
申请人/专利权人: 应用材料公司
国家/省市: 美国(US)
邮编:
发明/设计人: 玉祥·梅·王、戴维·R·比瑞士、克里斯多佛·丹尼斯·本彻、海尔多·L·布太霍、苏哈·S·R·瑞斯、迈克尔·楚·卡万
代理人: 赵飞
专利代理机构: (11258)
专利代理机构地址: ()
专利类型: 发明
公开号: 1930670
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 美国2004年3月12日10/800,112
审批历史:
附图数: 1
页数: 13
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2005/091349
国际公布日: 2005年9月29日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/US2005/008070
国际申请日: 2005年3月9日
进入国家阶段日: 2006年9月11日
PCT:
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