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钱眼专利首页 > 防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏 的专利共 470 条
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1
PMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件　[申请号/专利号：200810061728]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种ＰＭＯＳ管嵌入式双向可控硅静电防护器件，包括Ｐ型衬底，Ｐ型衬底上设有第一Ｎ阱、第二Ｎ阱以及第一Ｎ阱和第二Ｎ阱之间的Ｐ阱，Ｎ阱上设有Ｎ＋扩散有源区和Ｐ＋扩...
2008年10月8日
2
静电保护电路　[申请号/专利号：200810091766]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提供一种静电保护电路，不会影响通常的输出信号的传递，进行静电保护。具有输出端子（Ｏｕｔ）、接地端子（ＧＮＤ）、漏极和源极连接于输出端子（Ｏｕｔ）和接地端子（ＧＮＤ）之间...
2008年10月15日
3
功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管　[申请号/专利号：200720012446]
申请人/专利权人：大连华坤科技有限公司、大连宇宙电子有限公司
功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口...
4
限流电阻　[申请号/专利号：200710136891]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明公开了一种限流电阻，适用于静电放电（ＥＳＤ）装置，该限流电阻包括：至少一个第一主动区，形成静电放电（ＥＳＤ）晶体管的源极／漏极；以及至少一个具有螺旋形状的阻抗元件...
2008年5月14日
5
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件　[申请号/专利号：200720106945]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅ＳＣＲ防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅ＳＣＲ上设置有ＳｉＯ↓［２］氧化层和多晶硅...
6
具有过流和ESD双重防护的新型插件热敏元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710172256]
申请人/专利权人：上海维安热电材料股份有限公司
本发明涉及一种以导电高分子聚合物复合材料为主要原料的电子元器件的制造，尤其是一种具有过流和ＥＳＤ双重防护的新型插件热敏元件及其制造方法。一种具有过流和ＥＳＤ双重防护的新...
2008年5月21日
7
一种静电放电防护器件　[申请号/专利号：200720106944]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。目前多采用可控硅ＳＣＲ达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时触...
8
具有过流和ESD双重防护的插件型热敏元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710172258]
申请人/专利权人：上海维安热电材料股份有限公司
本发明涉及一种具有过流和ＥＳＤ双重防护的插件型热敏元件及其制造方法，所述的插件型热敏元件包括高分子ＰＴＣ芯材或经层压构成的多层高分子ＰＴＣ芯材，芯材两表面复合金属箔片电...
2008年5月21日
9
静电放电保护电路和终端电阻电路　[申请号/专利号：200710127509]
申请人/专利权人：大塚宽治、宇佐美保、秋山丰、伊藤恒夫、丹场裕子、富士通株式会社、京瓷株式会社、株式会社东芝、富士施乐株式会社
本发明公开了一种能够通过减小电路的电容而实现差分信号的加速的静电放电保护电路。传输线连接到ＩＮ端子和ＩＮ反端子，差分信号输入到这些端子。ＥＳＤ保护电路连接到传输线并且保...
2008年1月2日
10
感应装置封装件　[申请号/专利号：200810095895]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
一种感应装置封装件，包括一基板、一感应芯片及一第一导电条。感应芯片与基板电性连接。第一导电条是邻近于感应芯片并与基板电性连接。...
2008年9月24日
11
用以保护一内部集成电路的半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810005158]
申请人/专利权人：崇贸科技股份有限公司
一种半导体结构及其制造方法，用以保护一内部集成电路，其半导体结构包括：一基板；多个第一掺杂区形成在基板中且位于一Ｎ型阱之内；多个第二掺杂区形成在基板中且位于一Ｐ型阱之内...
2008年7月16日
12
一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路　[申请号/专利号：200810035346]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
本发明提供了一种具有离散多晶栅结构的静电保护电路，该静电保护电路用于保护ＣＭＯＳ集成芯片，它包括具有有源区的静电放电元件，该静电放电元件接在ＣＭＯＳ集成芯片的Ｉ／Ｏ焊盘...
2008年9月3日
13
智能卡芯片以及放置输入/输出焊盘的方法　[申请号/专利号：200810002239]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种智能卡芯片以及放置输入／输出焊盘的方法，该智能卡芯片包括用于向智能卡读取器传送数据的多个电性接点。在一个实施例中，智能卡芯片包括核心电路以及对应于电性接点的多个输入...
2008年7月16日
14
改进的静电放电保护电路　[申请号/专利号：200710099056]
申请人/专利权人：北京中星微电子有限公司
本发明提供了一种改进的静电放电保护电路，当一静电电压在一第一节点和一第二节点之间产生时，提供至一第一节点至第二节点的静电放电路径，包括一ＰＭＯＳ管、一电阻Ｒ１和一二极管...
2007年9月19日
15
具有静电放电保护的射频集成电路及其静电放电保护装置　[申请号/专利号：200710096014]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种具有静电放电保护的射频集成电路及其静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括基体、射频焊垫以及静电放电保护单元。射频焊垫被配置在基体上方，用以传输射频信号。静电放电保...
2007年12月26日
16
半导体集成电路装置　[申请号/专利号：200810005361]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体集成电路装置，可减小在焊盘和接地间连接的ＭＯＳＦＥＴ中的漏电流。其具备：输入信号用或输出信号用的焊盘（ＰＡＤ）；连接在焊盘（ＰＡＤ）和接地间，栅极端子及背部栅...
2008年8月6日
17
半导体器件　[申请号/专利号：200710087951]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
提供一种半导体器件，其能够通过在用作该半导体器件的静电保护元件的具有常规漏极结构的ＮＭＯＳ晶体管的Ｎ型源极和漏极扩散层之间局部地形成Ｐ型扩散层，来容易地设定保持电压和低...
2007年8月15日
18
静电放电电路和减少半导体芯片的输入电容的方法　[申请号/专利号：200710085885]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种用于半导体芯片的多模静电放电（ＥＳＤ）电路包括第一和第二ＥＳＤ二极管。在第一模式中，大于所述半导体芯片的电源电压的本体电压被施加到所述第一ＥＳＤ二极管，并且小于所述...
2007年11月28日
19
具有改善的静电放电保护功能的半导体器件　[申请号/专利号：200710085776]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种半导体器件，包括含有多个保护二极管的二极管区域以及与所述二极管区域的上部交叠的焊盘区域。所述焊盘区域具有对应于外部连接端安装的焊盘。所述半导体器件还包括接触插塞单元...
2007年9月19日
20
一种用于静电放电保护的可控硅　[申请号/专利号：200810060087]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种用于静电放电保护的可控硅，包括Ｐ型衬底，所述的Ｐ型衬底上设有紧密相连的Ｎ阱和Ｐ阱，由Ｐ阱指向Ｎ阱的方向，所述的Ｐ阱和Ｎ阱上依次设有第一Ｐ＋注入区、第一Ｎ...
2008年8月20日
21
一种反相器内嵌的可控硅　[申请号/专利号：200810060088]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括Ｐ型衬底，Ｐ型衬底上设有紧密相连的Ｎ阱和Ｐ阱，由Ｎ阱指向Ｐ阱的方向，所述的Ｎ阱和Ｐ阱上依次设有第一Ｎ＋注入区、第一Ｐ＋注入区、第...
2008年8月6日
22
静电放电保护装置　[申请号/专利号：200810125814]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种包括输入／输出端结构和电流放电结构的静电放电（ＥＳＤ）保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区，形成在该导电区下面的阱区，通过另一个导电区与该阱...
2008年10月22日
23
静电放电保护器件　[申请号/专利号：200710109034]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
根据本发明的实施例，涉及一种包括第一电源端子、第二电源端子以及输入／输出端子的用于半导体器件的静电放电保护电路，包括：使浪涌电流从输入／输出端子流到第二电源端子的闸流管...
2008年1月2日
24
2008年6月11日
25
具有薄膜元件和薄膜图形的薄膜器件、及其制造方法　[申请号/专利号：200710126371]
申请人/专利权人：卡西欧计算机株式会社
本发明涉及薄膜器件，该薄膜器件由形成在基板上的多个薄膜元件、覆盖这些薄膜元件而形成的透明绝缘膜、形成在该透明绝缘膜上的基底膜、及进而在其上形成的具有导电性的薄膜构成。上...
2008年1月2日
26
用于半导体器件的静电放电保护方法及器件　[申请号/专利号：200710109033]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
根据本发明的实施例，一种静电击穿保护方法保护半导体器件不受到第一引脚与第二引脚之间施加的浪涌电流的损害，该半导体器件包括：二极管，用于施加从第一引脚到第二引脚的正向偏置...
2008年1月2日
27
静电放电器件电路布局　[申请号/专利号：200710103995]
申请人/专利权人：奇景光电股份有限公司
公开了一种用于静电放电保护电路的改进电路布局图案。第一类型的第一重掺杂区形成在该第一类型的阱中。第二类型的第二重掺杂区形成在该第二类型的阱中。该第一重掺杂区的城堡状电路...
2007年12月19日
28
利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件　[申请号/专利号：200710068137]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅ＳＣＲ防静电的效果不是非常理想。本发明在传统的可控硅ＳＣＲ基础上，在阱间Ｎ＋注入区的两侧设置有衬底保护浅壕沟隔离ＳＴＩ。阱区...
2007年10月3日
29
一种分散静电泄放电流的静电放电防护器件　[申请号/专利号：200710068136]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及一种可以分散静电泄放电流的静电放电防护器件。现有的可控硅ＳＣＲ在恶劣的静电环境下防静电的效果不是非常理想。本发明在Ｐ型衬底上间隔设置有Ｎ阱和Ｐ阱。每个Ｎ阱内设...
2007年10月3日
30
半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810106852]
申请人/专利权人：晶能光电(江西)有限公司
本发明公开了一种半导体发光器件的抗静电结构和及其制造方法，用来提高半导体发光器件的抗静电性能。其结构采用如下技术方案：包括发光薄膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧姆...
2008年9月24日
31
抗静电氮化镓发光器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810106851]
申请人/专利权人：晶能光电(江西)有限公司
本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。该发光器件包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和...
2008年9月24日
32
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710152838]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括至少一个以下元件，即：通过在半导体衬底中的隔离层之间注入杂质所形成的阱区；在阱区上部形成的漂移区；在半导体衬底上形...
2008年3月26日
33
箝位电路的静电放电保护　[申请号/专利号：200710152672]
申请人/专利权人：沙诺夫公司、沙诺夫欧洲公司
本发明提出了一种箝位电路的静电放电保护，针对的是像集成电路保护电路中的ＳＣＲ那样的ＥＳＤ箝位电路。在发明的一种情况中，该ＳＣＲ具有至少一个高掺杂的第一区其形成在第一低掺...
2008年4月9日
34
一种具有保护功能的发光二极管装置　[申请号/专利号：200720048015]
申请人/专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
本实用新型公开了一种具有保护功能的发光二极管装置，包括食人鱼支架、发光二极管芯片以及用于放置发光二极管芯片的碗杯，其中，所述食人鱼支架的一极上另设置有一碗杯，该碗杯内设...
35
半导体封装卷带　[申请号/专利号：200710090478]
申请人/专利权人：南茂科技股份有限公司、百慕达南茂科技股份有限公司
本发明是有关于一种半导体封装卷带，主要包含一卷带本体、一保护环结构以及多数个过负载保护电路。该卷带本体是具有多数个对应半导体封装件的使用区，在每一使用区内设有多数个外引...
2008年2月13日
36
减少锁住风险的静电放电保护结构　[申请号/专利号：200710149442]
申请人/专利权人：沙诺夫公司、沙诺夫欧洲公司
本发明涉及减少锁住风险的静电放电保护结构，并且具体公开了一种在具有受保护电路的半导体集成电路（ＩＣ）中的ＥＳＤ保护电路，以防止ＥＳＤ箝位的误触发。该电路包括作为ＥＳＤ箝...
2008年3月19日
37
2008年1月23日
38
母板、像素阵列基板、光电装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710165170]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种母板、像素阵列基板、光电装置及其制造方法，该母板包括具有显示单元的基板及具有相邻的第一区域及第二区域的静电防护结构。显示单元之间定义出预切割区。各显示单...
2008年3月19日
39
2008年1月16日
40
静电放电保护装置及其电路　[申请号/专利号：200710106361]
申请人/专利权人：奇景光电股份有限公司
本发明提出数种用于静电放电保护的具有电路布局图案的实施例。一装置具有一电路布局图案可以被配置以保护输入／输出端点，或该电压源。该电路布局图案可以被设计以增加用于静电放电...
2008年3月26日
41
可变电阻和发光装置　[申请号/专利号：200710079105]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供的可变电阻具备：可变电阻素体；互相相对的第１和第２内部电极；与第１内部电极物理连接且电连接的第１外部电极；与第２内部电极物理连接且电连接的第２外部电极；电绝缘...
2007年8月22日
42
带有静电防护结构的有机电致发光器件及其制备方法　[申请号/专利号：200710122039]
申请人/专利权人：清华大学、北京维信诺科技有限公司、昆山维信诺显示技术有限公司
本发明涉及一种带有静电防护结构的有机电致发光器件，包括基板、位于基板上的有机电致发光组件及静电防护部件，其特征在于，所述静电防护部件为一设置在基板边缘，包围所述有机电致...
2008年2月20日
43
半导体器件　[申请号/专利号：200710149665]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体器件具有多个熔丝元件部分，它们中的每一个都包括：具有被切割的熔丝部分的第一熔丝内连线，与内部电路相连的第二熔丝内连线；用以与第一熔丝内连线及第二熔丝内连线电连...
2008年3月12日
44
运用自偏压电流触发技术以及源极端升压机制的静电放电保护电路/ESD　[申请号/专利号：200710149221]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
本发明公开一种可提供静电放电（ＥＳＤ）保护的电路，包含第一晶体管，包含第一栅极与第一源极，该第一栅极连接至导电垫片；阻抗装置，位于该第一源极与可提供电阻器的第一电源线之...
2008年3月12日
45
一种液晶显示装置的制造方法及其TFT完成基板　[申请号/专利号：200810034961]
申请人/专利权人：上海广电光电子有限公司
本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法及其ＴＦＴ完成基板，该制造方法利用多灰阶光罩在静电保护回路中隔层线路的重叠连接处，刻蚀去两层金属层之间的绝缘层和半导体层，使该处两层...
2008年9月3日
46
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件　[申请号/专利号：200720106946]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅ＳＣＲ防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和ＳｉＯ↓［２］氧化层。多晶硅层和ＳｉＯ↓［２］氧化层的长度...
47
2008年6月4日
48
半导体装置　[申请号/专利号：200710089055]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明提供一种半导体装置，能使在ＥＳＤ保护元件上产生的热迅速且高效地向半导体装置外部散热。该半导体装置（１）包括：具有漏极区域（４）、源极区域（６）和栅电极（７）的ＭＯ...
2007年10月3日
49
NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件　[申请号/专利号：200810062061]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种ＮＭＯＳ管嵌入式双向可控硅静电防护器件，包括Ｐ型衬底，Ｐ型衬底上设有Ｎ阱、第一Ｔ阱和第二Ｔ阱，第一Ｔ阱和第二Ｔ阱四周侧面被Ｎ阱包围，第一Ｔ阱和第二Ｔ阱上...
2008年10月8日
50
2008年11月26日
 

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