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钱眼专利首页 > 齐纳二极管 的专利共 28 条
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1
半导体器件　[申请号/专利号：200580017592]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、恩益禧电子股份有限公司
提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件（１）中，在半导体衬底（１０）上一维交替地布置多个ＨＢＴ（２０）和多个二极管（３０）。二极管...
2007年5月9日
2
半导体装置及用于其制造的方法　[申请号/专利号：200580042013]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明描述了半导体装置和用于其制造的方法，其中该半导体装置被构造为带有作为箝位元件的ＰＮ二极管的沟槽－肖特基－势垒－肖特基－二极管（ＴＳＢＳ－ＰＮ）并且相对于传统的ＴＳ...
2007年11月14日
3
齐纳二极管　[申请号/专利号：200610101492]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种能够以很好的精度决定齐纳电压且齐纳电压不变的齐纳二极管。该齐纳二极管包括半导体衬底、在半导体衬底的表面上形成的第１导电型的第１区域和以包含在第１区域中的方...
2007年1月24日
4
半导体装置　[申请号/专利号：200710153470]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于Ｎ型外延层（３）上的Ｐ型第一及第二阳极扩散层（５、６）及（７...
2008年4月2日
5
半导体装置　[申请号/专利号：00124708]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
本发明的半导体装置包括：在半导体基板上形成的第１导电型的基极区域、在该基极区域内形成的第２导电型发射极区域、与基极区结合形成的第２导电型集电极区域以及在集电极区域内形成...
2001年3月28日
6
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：96190349]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
在将薄膜多晶硅，既作为布线，也作为ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）构成要素使用的微细半导体装置中，当反向结二极管介于由多晶硅构成的电流通路之间时，...
1997年5月28日
7
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610094110]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于硅表面的结晶缺陷等原因而存在齐纳二极管特性波动的问题。本发明的半导体装置在Ｐ型单晶硅衬底（２）上形成Ｎ型外延层（４...
2007年4月4日
8
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610077868]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种齐纳二极管结构，包括：用于生成ｐｎ结而形成的ｎ型半导体层（２）及ｐ型半导体层（３、４）、覆盖ｐｎ结部分的绝缘膜（５）、与ｎ型半导体层（２）电连接的阴极电极布线（６ａ...
2006年12月27日
9
半导体装置及用于其制造的方法　[申请号/专利号：200580038217]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明涉及一种半导体装置（２０），其包括带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－ＭＯＳ－势垒－肖特基－二极管，本发明还涉及用于其制造的方法。...
2007年10月17日
10
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200580037812]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明涉及包括一个带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置（３０）及其制造方法。...
2007年12月19日
11
浪涌保护用半导体器件　[申请号/专利号：200580029036]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种耐浪涌性高的浪涌保护用半导体器件。本发明的浪涌保护用半导体器件包括的半导体基板（１０）包括高浓度第一导电型半导体基板（１）、低浓度第一导电型半导体层（２）、高浓...
2007年8月1日
12
齐纳二极管及其制造和封装方法　[申请号/专利号：200510131815]
申请人/专利权人：LG电子有限公司
本发明公开一种齐纳二极管及其制造和封装方法，去除了暴露扩散层的接触孔形成过程，从而能够简化制造工艺，并且不接触电极线的扩散长度由朝向杂质扩散的交叉长度来确定，从而能够降...
2006年8月2日
13
齐纳二极管及其制造方法　[申请号/专利号：200510075237]
申请人/专利权人：LG电子有限公司
本发明提供一种齐纳二极管及其制造方法。根据本发明，可通过不采用扩散掩模进行扩散处理制造电压调节器装置。而且，可不用任何光刻处理或采用最少的处理步骤制造具有双向阈电压特性...
2005年12月14日
14
用于用晶片制造半导体芯片的方法　[申请号/专利号：200580045426]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明涉及一种用于用包含多个半导体芯片（２）的晶片（１）制造半导体芯片（２）的方法。当在完成晶片（１）之后在晶片表面产生给定折断部（１４），并且将晶片（１）沿着这些给定...
2007年12月26日
15
芯片保护电路　[申请号/专利号：200420020213]
申请人/专利权人：英华达(上海)电子有限公司
本实用新型涉及一种芯片保护电路，适用于芯片的引脚上，该引脚耦接至一电池电压源上，该芯片保护电路包括：一保护单元，设于该引脚至该电池电压源之间，当在一预定工作电压范围时，...
16
低压齐纳二极管的制作方法　[申请号/专利号：200410055694]
申请人/专利权人：华润半导体有限公司
本发明提供了一种低压齐纳二极管的制作方法，包括：在Ｎ↑［＋］高浓度衬底上采用Ｐ↑［＋］扩散形成ＰＮ结；在Ｐ↑［＋］层上蒸发铝金属，经过高温合金后形成器件；其特征在于在铝...
2006年2月1日
17
设有浪涌保护电路的半导体装置　[申请号/专利号：200410028642]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明的半导体装置（５１）中设有与信号输入端子（２１）电连接的、含有二极管（２２）和晶体管（２３）的浪涌保护电路，其中，二极管（２２）的阴极区由ｎ↑［＋］扩散层（８ｃ）...
2004年9月1日
18
可防止静电破坏的发光二极管元件　[申请号/专利号：200410003284]
申请人/专利权人：光磊科技股份有限公司
本发明是有关于一种发光二极管元件，尤指一种可防止静电破坏的发光二极管元件，其主要是于一表面绝缘基板上设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路，第一供电电路可电性连接于...
2004年12月29日
19
半导体器件　[申请号/专利号：200410001207]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的目的，在于：提供一种包括具有特性比现在的优良的稳压元件的半导体器件。本发明的半导体器件，包括：形成在Ｎ型阱２１表面的Ｐ型高浓度杂质扩散层２５、接着高浓度杂质扩散...
2004年8月4日
20
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03112756]
申请人/专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
本发明涉及半导体器件及制造方法，其技术要点在于：将含有一种类型杂质成分的硅－杂质混合物，用电子束蒸发方法或溅射方法直接淀积到另一种类型的硅半导体基片上，通过该合金将杂质...
2003年7月23日
21
铁电门器件　[申请号/专利号：03816316]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
铁电门器件包含铁电电容器（１）、根据施加电压起着电阻或电容器功能的开关元件（２）、具有源极、漏极和门极的场效应晶体管（６），铁电电容器（１）的一端具有输入端子（ＩＮ），...
2005年9月14日
22
ESD保护电路元件　[申请号/专利号：200310112921]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种由基纳二极管所构成的ＥＳＤ保护电路元件，包含有：一基纳二极管，设于一半导体晶片的基底中；一介电层，设于该基底上；一护垫金属，设于该基纳二极管上方的该介电层表面；至少...
2004年7月14日
23
嵌位二极管结构（二）　[申请号/专利号：200310109231]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种嵌位二极管结构，在Ｐｗｅｌｌ或Ｎｗｅｌｌ上形成扩散区，该扩散区与隔离氧化区分离，并在所述扩散区与隔离氧化区之间加入ＬＤＤ注入区使扩散区与隔离氧化区隔离。...
2005年6月15日
24
嵌位二极管结构（三）　[申请号/专利号：200310109230]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种嵌位二极管结构，在Ｐｗｅｌｌ或Ｎｗｅｌｌ上形成扩散区，通过阱包围二极管及隔离氧化区边缘，利用阱间的高ＢＶ，来达到隔离嵌位二极管的目的。本发明可使电压控制...
2005年6月15日
25
静电放电防护电路　[申请号/专利号：02153974]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种静电放电防护电路，形成于一Ｐ型基底上，该静电放电防护电路设于一接合垫及一形成于该Ｐ型基底上的内部电路之间，并包含有一ＰＭＯＳ及一ＮＭＯＳ；该ＰＭＯＳ包含有一第一离子...
2003年10月1日
26
可调节击穿电压而不增加寄生电容的二极管及其制造方法　[申请号/专利号：01115946]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一轻掺杂ｎ型半导体层（１２）被外延生长在一重掺杂ｎ型半导体衬底（１１）上。在ｎ型半导体层（１２）中，使二极管（２０）在重掺杂ｎ型杂质区（１３）与重掺杂ｐ型浅杂质区（１４...
2001年12月26日
27
稳压元件及其制造方法　[申请号/专利号：03122525]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在占有面积变小的情况下，能够容易获得预期的稳压，而且能够防止反向耐压随时间的变动。稳压元件是由通过由Ｐ型硅酮制成的半导体基片１１中...
2003年10月29日
28
具防静电的无导线覆晶式封装的表面黏着型发光二极管　[申请号/专利号：200420077515]
申请人/专利权人：炬鑫科技股份有限公司
本实用新型是有关于一种具防静电的无导线覆晶式封装的表面黏着型发光二极管，其是利用一覆晶式封装以将一发光二极管芯片进行封装，并利用一电压保护装置，例如：瞬变抑制二极管（Ｔ...
 

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