带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管-钱眼专利分类

非易失性电子存储器件及其制作方法　[申请号/专利号：200810007252]
申请人/专利权人：高丽大学校产学协力团
本发明涉及非易失性（ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　　ｍｅｍｏｒｙ）电子器件（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　　ｄｅｖｉｃｅ）及其制作方法，使纳米粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）吸附到纳...

2008年8月27日

包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810008557]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多...

2008年7月30日

半导体器件　[申请号/专利号：200810099325]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
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2008年11月26日

半导体存储装置的制造方法、再生方法、及再出货方法　[申请号/专利号：200810080409]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种即使重复进行信息数据的写入和删除，也能防止电荷保持特性的恶化的半导体存储装置的制造方法、再生方法以及再出货方法。该半导体存储装置由形成在半导体基板上的ＦＥ...

2008年10月1日

带有混合结构电荷捕获层的闪存器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810142821]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年11月26日

电荷陷阱存储器装置　[申请号/专利号：200710163042]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种可包括形成于基底上的隧道绝缘层的电荷陷阱存储器装置。电荷陷阱层可形成于隧道绝缘层上，其中，电荷陷阱层是掺杂有一种或多种过渡金属的较高ｋ介电绝缘层。隧道绝缘层可与电荷...

2008年4月9日

非易失性存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810087429]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层...

2008年10月1日

半导体存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710123041]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
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2008年6月11日

使用BESONOS元件的次栅AND架构的结构及方法　[申请号/专利号：200710003657]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种带隙设计的ＳＯＮＯＳ元件结构，其用于具有各种ＡＮＤ架构的设计来执行源极侧注入程序化方法。ＢＥ－ＳＯＮＯＳ元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物－氮化物－氧化物－...

2007年11月28日

具有电荷陷捕层的非易失性存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710162977]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造发方法。该非易失性存储器件包括：基板；在该基板上的穿隧层；在该穿隧层上包括化学计量配比氮化硅层及富硅氮化硅层的电荷陷捕层；在该电...

2008年4月30日

快闪存储器件　[申请号/专利号：200710168194]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年6月4日

闪存器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710146141]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及一种闪存器件及其制造方法，包括在硅半导体衬底的有源区域中以固定间距形成的源扩散区和漏扩散区，在衬底上形成的多层电荷储存层，以及在电荷储存层上形成的控制栅，其中...

2008年2月27日

存储装置及其制造方法和操作方法　[申请号/专利号：200810096571]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或...

2008年11月19日

非易失性半导体存储器件　[申请号/专利号：200810095311]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明提供一种使数据保持特性提高的非易失性半导体存储器件。在通过热载流子注入来进行写入或者擦除的存储单元中，包括作为由电荷蓄积部的氮化硅膜（ＳＩＮ）、位于其上下的氧化膜...

2008年10月29日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810098327]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年11月26日

非易失性半导体存储器的存储单元　[申请号/专利号：200810002827]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供关于写入／清除以及保存具有出色特性的ＭＯＮＯＳ型存储单元，本发明例子的存储单元具备形成在源·漏扩散层之间的沟道上，主要的构成元素是Ｓｉ，Ｏ，Ｎ的第１绝缘膜、形...

2008年10月1日

非易失性存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810142856]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种非易失性存储装置及其制造方法。本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，以防止存储于电荷俘获层的电荷移动到邻近的存储单元。制造非易失性存储装置的方法包括：在半导...

2008年11月19日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810111364]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年12月3日

电荷捕获层及其制造方法和电荷捕获型半导体存储装置　[申请号/专利号：200710196320]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年6月4日

非挥发性半导体存储器元件及其制造方法　[申请号/专利号：200810002290]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是一种非挥发性半导体存储器元件以及其制造方法。存储器元件包含：衬底、衬底上的穿隧介电膜、形成在衬底中的源极区以及漏极区，以及在每一对源极区与漏极区之间的多个分离的...

2008年7月30日

电荷捕获型存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810081587]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种电荷捕获型存储装置和一种制造电荷捕获型存储装置的方法。电荷捕获型存储装置可包括基底上的隧道绝缘层、隧道绝缘层上的电荷捕获层和电荷捕获层上的由包含Ｇｄ或更...

2008年9月10日

用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002004]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法。所述半导体存储装置可以包括存储具有第一极性的第一电荷传输介质的电荷捕获层以及至少一个擦除栅极。所述至少...

2008年9月24日

具有阻挡绝缘层的电荷捕获存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810009419]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种电荷捕获存储装置及其制造方法。根据示例实施例的电荷捕获存储装置可包括设置在基底上的隧穿绝缘层。电荷捕获层可设置在隧穿绝缘层上。阻挡绝缘层可设置在电荷捕获...

2008年8月6日

操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法　[申请号/专利号：200810001908]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开了一种操作存储单元的方法，该方法通过施加一正电压于栅极，而该正电压足以造成从栅极至电荷储存层的空穴发生隧穿。本方法应用的一存储单元包含一半导体层，而该半导体层...

2008年7月16日

降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法　[申请号/专利号：200710079237]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法，其中该半导体储存装置具有第一和第二位元线、一闸极、一绝缘层和一基板，且该方法包括将第一、第二和第三偏压分别施加到该第一...

2008年2月6日

半导体装置　[申请号/专利号：200710148333]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供一种通过在抑制半导体存储元件的特性的元件间偏差的同时，完成大的阈值电压偏移、长的保持时间，可以实现低电压驱动化和大容量化（微细化）的半导体装置。该半导体装置具备包含...

2008年3月5日

非易失性半导体存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710093655]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
按如下方式提供一种非易失性半导体存储器件：在基片上形成半导体层，在该半导体层上形成电荷累积层且第一绝缘层插入在这两者之间，以及在电荷累积层上设置栅电极且第二绝缘层插入在...

2007年10月3日

一种存储器单元和其装置以及制造方法　[申请号/专利号：200710192800]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
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2008年5月28日

双栅极多位元半导体记忆阵列　[申请号/专利号：200710005001]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种记忆单元阵列，包括一半导体基板、多个记忆单元、多条栅极控制线以及至少一条字元线。其中记忆单元包括一源极区、一漏极区、一第一栅极以及一第二栅极，且上述的记忆单元以多条...

2007年8月29日

具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法　[申请号/专利号：200710127895]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
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2008年1月16日

非易失性存储器单元集成电路及其制造方法　[申请号/专利号：200710127894]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
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2008年1月16日

非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200710106511]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种具有优异的写入特性及电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。另外，本发明还提供一种能够降低写入电压的非易失性半导体存储装置。本发明是一种非易失性半...

2007年12月5日

具有变化沟道区界面的非易失性存储器　[申请号/专利号：200710127896]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
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2008年1月16日

非易失性半导体存储元件以及非易失性半导体存储器件　[申请号/专利号：200710142431]
申请人/专利权人：株式会社东芝
将非易失性半导体存储元件的沟道形成为板状，在沟道区域的一面上隔着绝缘膜形成电荷存储层，其上隔着绝缘膜形成控制栅电极。在沟道区域的另一面上隔着绝缘膜形成控制栅电极。板状半...

2008年4月2日

非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200710136087]
申请人/专利权人：株式会社东芝
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2008年1月23日

具高耦合率的圆柱型沟道电荷捕获装置　[申请号/专利号：200710168219]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一存储单元包括：以半导体沟道区所分隔的源极区及漏极区，沟道区是具有面积Ａ１的一沟道表面且包括一第一区，一第一介电结构是位于此沟道表面上，一介电电荷捕获结构是位于第一介电...

2008年5月7日

非易失性半导体存储器　[申请号/专利号：200710162018]
申请人/专利权人：株式会社东芝
以往的ＭＯＮＯＳ是在ＳｉＮ中蓄积电荷的结构，但是电荷蓄积量不充分，无法取得大的阈值电压变化幅度，在向ＨｆＯ↓［２］、ＺｒＯ↓［２］、ＴｉＯ↓［２］中导入Ｌａ系元素的技术...

2008年4月2日

用于多位存储的非挥发存储器件及其制作方法　[申请号/专利号：200710118558]
申请人/专利权人：清华大学
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2008年1月9日

在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构　[申请号/专利号：200710111918]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明的电荷捕捉存储装置与方法，利用边缘诱发效应而增加第二位操作区间。此边缘诱发效应发生于字线底下的区域，使得当对存储装置使用空穴注入法时，空穴电荷储存于电荷捕捉层中，...

2007年12月26日

具有放大的第二位操作区间的多阶存储单元结构　[申请号/专利号：200710111917]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开一种多阶存储单元装置，包括电荷捕捉结构，其具有通过从栅极或是衬底注入空穴而在此电荷捕捉结构的每一端产生多个逻辑状态以形成较大的第二位操作区间。注入空穴过程经由...

2007年12月26日

半导体工艺中电荷监测的装置及方法　[申请号/专利号：200710108295]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明提供一种电荷监测元件，用于半导体制造过程中监测其电荷效应。在本发明的第一目的中，一种电荷储存金属氧化物半导体（ＭＯＳ）存储器结构，包含衬底，氧化物－氮化物－氧化物...

2007年12月26日

扩展第二位元操作裕度的存储器结构　[申请号/专利号：200710106939]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元...

2007年12月26日

一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法　[申请号/专利号：200710105964]
申请人/专利权人：北京大学
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2008年1月23日

存储器件　[申请号/专利号：200710181592]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年6月4日

存储器元件　[申请号/专利号：200710105217]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二...

2007年12月26日

存储器元件　[申请号/专利号：200710102077]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元...

2007年12月26日

具有SONOS结构的非易失性存储器及其制造方法　[申请号/专利号：200710086975]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
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2008年1月9日

鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法　[申请号/专利号：200710111248]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提供了一种鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于ＳＯＩ衬底，沿沟道垂直方向，...

2007年11月28日

三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法　[申请号/专利号：200710118823]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双ＳＯＩ衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Ｆｉｎ，上层的双鳍型...

2007年11月28日