场效应晶体管-钱眼专利分类

半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810090314]
申请人/专利权人：富士通株式会社、日立电线株式会社
本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；ＡｌＮ层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述ＡｌＮ层上...

2008年10月1日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098658]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法　[申请号/专利号：200810150273]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种适用于氮化镓（ＧａＮ）器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛／铝／钛／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）欧姆接触可能造成金属侧流和合金...

2008年11月12日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098656]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

一种新型增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法　[申请号/专利号：200810017835]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种新型增强型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值...

2008年8月27日

InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法　[申请号/专利号：200810017777]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种ＩｎＡｌＮ／ＧａＮ异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法。其制作过程为：１）在蓝宝石或ＳｉＣ衬底上外延生长１～３μｍ的ＧａＮ层；２）在ＧａＮ层上外...

2008年8月20日

一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法　[申请号/专利号：200810017836]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　　ＨＥＭＴ器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以...

2008年8月27日

具有锥型沟道的半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200610090342]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种制造半导体的方法，包括：刻蚀衬底至预定深度以形成具有锥形边缘的上沟道；刻蚀上沟道下方的衬底以形成具有大约垂直边缘的下沟道；形成位于上和下沟道内的期间隔离层；和刻蚀由...

2007年4月4日

欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置　[申请号/专利号：200610115030]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种与将欧姆电极设置成不到异质界面深度的情况相比，能够降低欧姆电极和电子移动层之间的接触电阻的欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法和半导体装置。欧姆电极...

2007年2月21日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810092505]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种场板和绝缘膜之间的密合性高、且在栅电极和半导体层之间不存在氧化膜的ＧａＮ系ＦＥＴ的结构和制造方法。在绝缘膜（２１）上形成有用于设置栅电极（２）形成用的开口...

2008年11月19日

鳍型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810081315]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种鳍型场效应晶体管及其制造方法。本发明的实施例提供了在鳍型场效应晶体管中宽度相对均匀的鳍及其形成该鳍的方法和装置。鳍结构可以形成为使得鳍结构的侧壁部分的表面...

2008年9月3日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810085267]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
具有被分隔的应力沟道区域的ＮＦＥＴ和ＰＦＥＴ器件及其制造方法。披露了包括栅极的ＦＥＴ，栅极包括处于第一应力状态下的金属。ＦＥＴ也包括位于单晶Ｓｉ基材料内的沟道区域，沟道...

2008年9月10日

一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法　[申请号/专利号：200610086059]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本发明针对现有的氮化镓场效应管由于掺杂量无法提高而致使其性能不能得到改善的问题，发明一种既能对氮化镓场效应管进行重掺杂，又不会因重掺杂而引起常见的电流崩塌现象，从而能显...

2007年1月24日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200710102331]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有Ｔ型...

2008年4月16日

一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法　[申请号/专利号：200710133982]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本发明是一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法，其工艺为，在衬底上生长成核层，ＡｌＧａＮ缓冲层和ＧａＮ沟道层，再生长ＡｌＮ隔离层和ＡｌＧａＮ势垒层；在ＡｌＧａＮ势垒层上覆...

2008年3月19日

基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法　[申请号/专利号：200710018772]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种基于组份渐变ＧａＮ　　ＭＩＳＦＥＴ的ＧａＮ器件及制备方法。该器件包括底层（１）、缓冲层（２）、本征ＧａＮ材料层（３）、ＡｌＮ隔离层（４）及源（７）、漏（...

2008年2月27日

弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管　[申请号/专利号：200720018828]
申请人/专利权人：山东泉舜科技有限公司
本实用新型提供了一种弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管，包括外壳，外壳内包覆人造多晶金刚石体，人造多晶金刚石体的表面上分别设置金制漏极、铝制栅极和金制源极，人造多...

济南

使用单一掩模形成图案的方法　[申请号/专利号：200710154787]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明提供一种使用单一掩模形成图案的方法，包括：设置具有已定义图案的光掩模，并通过控制曝光设备的焦距至聚焦位置来执行曝光工艺而在晶片上形成与所述光掩模具有相同形状的图案...

2008年3月26日

用于制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710166497]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
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2008年5月28日

联邦

利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法　[申请号/专利号：200710139296]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
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2008年1月30日

河北

用以制作具有金属控制电极的半导体组件的方法及半导体组件　[申请号/专利号：200710088668]
申请人/专利权人：联合莫诺里西克半导体有限公司
一种半导体组件的制作方法，及一种半导体组件，具有一金属栅极电极沉积在一半导体层上，且该栅极电极具有一栅极足部及一栅极头部。该组件是通过沉积铝的第一层于该半导体层之上，沉...

2007年9月26日

联邦

复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法　[申请号/专利号：200710019669]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本发明公开了一种采用复合隔离层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，它通过在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高电子迁移率晶体管的ＡｌＧａＮ势垒层和隔离层之间插入ＧａＮ隔离层...

2007年8月1日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610079466]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体器件，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上并包含栅电极的半导体元件；在所述栅电极的栅极长度方向的截面中，在所述半导体衬底的形成所述半导体元件的区域的两侧...

2006年11月8日

半导体工艺以及去除芯片上凝结的蚀刻气体的方法　[申请号/专利号：200610110721]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种半导体工艺，先提供一基底，接着于此基底上形成一层待蚀刻层。然后，于待蚀刻层上形成一层图案化的光致抗蚀剂层。接下来，使用一种蚀刻气体来进行蚀刻工艺，以蚀刻待蚀刻层而产...

2007年5月23日

半导体器件和其制造方法　[申请号/专利号：200610075149]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的场效应晶体管，具备：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在沟道层上；栅电极，形成在肖特基层上；欧姆接触层，形成在肖特基层上，在中间夹着栅电极，由ＩｎＧａ...

2006年11月1日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610107592]
申请人/专利权人：韩国电子通信研究院
本发明提供了一种具有Ｔ或Γ形状精细栅电极的场效应晶体管，其头部比根部宽，以及一种所述场效应晶体管的制造方法。使用具有不同蚀刻率的多层结构的绝缘层在所述栅电极的头部和半导...

2007年5月9日

半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200610103097]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：在具有界定有源区的器件隔离结构的半导体衬底内形成第一凹形；在包括所述第一凹形的所得结构的整个表面上形成氮化物膜；蚀刻...

2007年5月23日

复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610096644]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本发明涉及一种采用复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ单异质结高电子迁移率晶体管的电子被一个量子阱所限制，在缓冲层和沟道层之间插...

2007年3月28日

一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：200610012246]
申请人/专利权人：中国科学院微电子研究所
本发明公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管，包括：库仑岛，位于库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉...

2007年12月19日

一种纳米级库仑岛结构的制备方法　[申请号/专利号：200610012129]
申请人/专利权人：中国科学院微电子研究所
本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：Ａ．在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；Ｂ．对涂敷的电子抗蚀剂进行前烘；Ｃ．对电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；Ｄ．对曝光后的...

2007年12月12日

碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法　[申请号/专利号：200610011228]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改...

2007年7月25日

采用选择再生长的AlGaN/GaN-HEMT的制造方法　[申请号/专利号：200710163361]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种采用选择再生长的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ－ＨＥＭＴ的制造方法。在该制造方法中，首先，准备具有叠层构造的半导体主体（１１０），该叠层构造是在衬底（１００）上层叠缓...

2008年5月21日

具有固定的通道离子的半导体器件　[申请号/专利号：200610145911]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
公开一种用于制造半导体器件的方法，其包含使得半导体基板受到温度范围从７７０至８３０℃的热处理以固定通道离子，接着形一ＨＴＯ膜。该方法由此避免栅极的临界电压由于通道离子的...

2007年10月31日

各向异性湿蚀刻的器件制造方法及对应器件　[申请号/专利号：200710001368]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种各向异性湿蚀刻的器件制造方法及对应器件，具体地，提供了一种减小源极／漏极电容并且允许器件体接触的方法和场效应器件结构。制造Ｓｉ基材料基底，其上表面和侧壁...

2007年7月25日

基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法　[申请号/专利号：200610105132]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种基于自支撑ＳｉＣ的ＧａＮ器件及制作方法。主要解决现有ＧａＮ器件尺寸小、电学性能差、热导率低等问题。其方法是：首先在Ｓｉ片上制作掩埋氧化层ＢＯＸ及表层硅Ｓ...

2007年5月30日

形成用于离子注入的掩模图案的方法　[申请号/专利号：200610080309]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；...

2007年7月4日

具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610071765]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种具有圆形形状的纳米线沟道的场效应晶体管（ＦＥＴ）及制造该ＦＥＴ的方法。根据该方法，在半导体衬底上形成源区和漏区。在该源区和漏区之间耦合多个初步沟道区。该初步沟道...

2006年11月1日

深结结构的形成方法　[申请号/专利号：200610071550]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及深结结构的形成方法。公开了一种用于形成深结结构的自对准高能注入工艺。通过一掩模结构露出一半导体基底的一既定区，该掩模结构包括一栅极层、一位于栅极层上的硬掩模层...

2006年12月13日

具有长栅极和致密节距的场效应晶体管设计及其制造方法　[申请号/专利号：200610071516]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种互补金属氧化物半导体场效应晶体管设计版图及制造方法，该场效应晶体管提供了长栅极和致密节距，其中栅接触直接位于栅极顶部，并使源接触和漏接触形成为与场效应晶...

2006年10月11日

利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法　[申请号/专利号：200610076198]
申请人/专利权人：北京芯技佳易微电子科技有限公司
本发明涉及利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法，属于纳米级场效应晶体管技术领域。本方法包括：在纳米级场效应晶体管的源极和漏极的表面形成偶极层，用以改变器件...

2006年10月25日

具有场稳定膜的半导体器件和方法　[申请号/专利号：200610073210]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
在一个实施方案中，用第一介质层和包含形成在第一介质层上的可流动的玻璃的电荷稳定层，制作了高压半导体器件。...

2006年11月1日

高压器件的场平板结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610006790]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明涉及一种高压器件的场平板的制造方法，适用于基底中的漂移区上，而漂移区上有隔离结构。此方法是先在基底上方，形成第一介电层。接着，在第一介电层上，形成第一图案化导电层...

2007年8月1日

一种生长高阻GaN薄膜的方法　[申请号/专利号：200610144145]
申请人/专利权人：北京大学
本发明公开了一种生长高阻ＧａＮ薄膜的方法。本发明方法是在ＭＯＣＶＤ设备中进行的，包括烘烤、成核、退火和外延生长阶段，其中，在退火阶段，退火压力在７５托以下。本发明方法通...

2007年5月30日

氮化物半导体装置及其制作方法　[申请号/专利号：200610142861]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底（６０１）上依次形成氮化铝缓冲层（６０２）、非掺杂的氮化镓层（６０３）、非掺杂的氮化镓铝层（６０４）、第一ｐ...

2007年8月22日

半导体装置及半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200610006359]
申请人/专利权人：索尼株式会社
提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的ＲＦ用开关的场效应晶体管。此半导体装置（１），在半导体基...

2006年8月16日

控制半导体装置栅极形成的方法　[申请号/专利号：200610072446]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用...

2007年1月31日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610141247]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种场效应晶体管（ＦＥＴ），包括源极侧半导体；漏极侧半导体；和栅极。源极侧半导体由高迁移率半导体材料构成，并且漏极侧半导体由低泄漏半导体材料构成。在一个实施...

2007年5月2日

用于增强PFET迁移率的埋有台阶的SiGe结构　[申请号/专利号：200610075119]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本申请涉及用于增强ＰＦＥＴ迁移率的埋有台阶的ＳｉＧｅ结构，具体的是一种器件及其制造方法。该器件包括具有埋置ＳｉＧｅ层（１４）的ＰＦＥＴ，其中该ＳｉＧｅ层的浅的部分（１５...

2006年11月1日

用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe　[申请号/专利号：200610075110]
申请人/专利权人：株式会社东芝
描述了半导体器件结构和制作该结构的方法，该结构提供有完全掺杂的晶体管源／漏区，同时减少甚至避免硼穿透进入晶体管沟道，从而改善了晶体管的性能。此外，这种晶体管受益于对晶体...

2006年11月1日