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钱眼专利首页 > 有机层，例如光刻胶 的专利共 14 条
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1
使用超临界流体修正多孔性有机材料表面的方法及产物　[申请号/专利号：200510072820]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数（Ｋ）介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的...
2005年11月30日
2
气体层形成材料　[申请号/专利号：200380108185]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本发明提供形成气体层的材料，其选自苊均聚物；苊共聚物；聚（亚芳基醚）；聚酰胺；Ｂ－阶段多官能丙烯酸酯／甲基丙烯酸酯；交联的苯乙烯二乙烯基苯聚合物；和苯乙烯和二乙烯基苯与...
2006年2月15日
3
改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料　[申请号/专利号：00813264]
申请人/专利权人：部鲁尔科学公司
本发明涉及改进的通孔和接触孔的填充组合物以及该组合物在电路的双金属镶嵌制备过程的使用方法。广泛地说，该填充组合物包含一定量包括聚合物粘合剂的固态组分和固态组分用的溶剂物...
2002年10月23日
4
共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法　[申请号/专利号：200510023578]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割...
2005年8月3日
5
制造微芯片的方法和设备　[申请号/专利号：200480037149]
申请人/专利权人：帝斯曼知识产权资产管理有限公司
通过使用浸入式光刻来制造微芯片的方法，其中浸液包含添加剂，以使该浸液与不含该添加剂的浸液相比折射率升高。本方法中的曝光光线提高了分辨率，从而获得具有增大集成密度的微芯片...
2007年1月10日
6
气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备　[申请号/专利号：03121565]
申请人/专利权人：高级网络服务公司
本发明涉及气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备，该设备可以通过如下方式在更宽基材上均匀地快速生长薄膜：使用安装在该设备上侧的喷雾单元在重力方向喷雾气相...
2003年10月22日
7
形成元件隔离区的方法　[申请号/专利号：01109191]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
提供一种形成浅沟槽隔离（ＳＴＩ）的方法，甚至在存在微划痕时，也容易抑制凹口形状（ｄｅｂｏｔ）的产生。在其中由于化学机械抛光（ＣＭＰ）产生了微划痕的氧化硅膜的表面上，形成...
2001年9月26日
8
受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复　[申请号/专利号：200480002723]
申请人/专利权人：霍尼韦尔国际公司
本文描述了修复材料中的孔隙的方法，该方法包括：ａ）提供具有大量活性硅烷醇基团的材料；ｂ）提供至少一种活性表面改性剂；和ｃ）使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述...
2006年3月1日
9
光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法　[申请号/专利号：200410042367]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查...
2005年2月2日
10
一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理方法　[申请号/专利号：01133186]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明是提供一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理方法，首先在一基板上沉积一保护层，然后利用一低射频功率的含氧等离子体，对该保护层表面进行一快速表面处理，以在该保护层...
2003年3月26日
11
真空远红外充氮亚胺化装置　[申请号/专利号：85200146]
申请人/专利权人：南京工学院
本实用新型属于半导体器件和集成电路表面有机钝化用新设备。其特征在于选用了波长为２—１５μｍ范围的远红外线辐射源，并用真空减压、连续充氮气的方法，使得整个恒温亚胺化过程，...
12
提供生产有机发光二极管装置的结合掩模的定位掩模部分　[申请号/专利号：02152619]
申请人/专利权人：伊斯曼柯达公司
一种用于使得具有多个掩模部分的沉积掩模相对一种基体定位的定位装置，以便易于将有机材料同时沉积在将要构成一种有机发光装置一部分的所述基体上。...
2003年6月4日
13
新单体和用作光阻剂的聚合物及用其制成的光阻剂　[申请号/专利号：98126084]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明涉及一种光阻剂组合物，其是由制备一新石胆酸基丙烯酸酯型式的单体及将此新单体引入用作光阻剂的聚合物中而制成，其可用于使用ＫｒＦ（２４８ｎｍ）或ＡｒＦ（１９３ｎｍ）光...
1999年10月27日
14
改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料　[申请号/专利号：200510009197]
申请人/专利权人：部鲁尔科学公司
本发明涉及改进的通孔和接触孔的填充组合物以及该组合物在电路的双金属镶嵌制备过程的使用方法。广泛地说，该填充组合物包含一定量包括聚合物粘合剂的固态组分和固态组分用的溶剂物...
2005年8月24日
 

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