除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe-钱眼专利分类

碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片　[申请号/专利号：200410067487]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于...

2005年5月18日

制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法　[申请号/专利号：200410018588]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的制备硫化镉－二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法，包括采用化学水浴沉积法制备单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构和再以单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构自组装制备三维光...

2005年2月16日

光电电池　[申请号/专利号：03815882]
申请人/专利权人：赫尔大学
一种光电电池，包括第一个和第二个电极、在电极之间延伸的许多纳米线和布置在纳米线之间的结构。...

2005年9月7日

单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法　[申请号/专利号：02111221]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法。采用位向分别为（１００）及（１１１）的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积２５～１５０ｎｍ厚度的纯...

2002年12月25日

一系列半导体材料　[申请号/专利号：200410044325]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列ＣｄＨｇ↓［５］Ｑ↓［５］Ｘ↓［４］（Ｑ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ；Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）及其制备方法。ＣｄＨｇ↓［５］Ｑ↓［５］Ｘ↓［４］...

2005年12月7日

具有过渡层的碲化镉太阳电池　[申请号/专利号：95111437]
申请人/专利权人：四川联合大学
具有过渡层的碲化镉太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。在碲化镉（Ｐ）与背接触层［Ｐ－型掺杂碲化锌（Ｚ）或导电背电极（Ｍ）］之间加入不掺杂或低掺杂或两者迭加的...

1996年4月10日

光盲紫外探测器　[申请号/专利号：99127373]
申请人/专利权人：香港科技大学
本发明公开了可见－不可见ＵＶ探测器，其包括ＺｎＳＴｅ合金活性层。Ｔｅ组成根据衬底的性质（如Ｓｉ、ＧａＰ或ＧａＡｓ）是可变的，以提供良好的晶格匹配性。本发明还提供一种新型...

2000年12月20日

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