按杂质的浓度或分布特征区分的-钱眼专利分类

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710154784]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在ｎ型或ｐ型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩...

2008年3月26日

薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置　[申请号/专利号：200710136637]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
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2008年1月23日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710126348]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，具有由于漏极－源极间的耐击穿电压的降低而难以得到所希望的耐压特性的问题。本发明的半导体装置中，在Ｎ型外延层（...

2008年1月2日

于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法　[申请号/专利号：02828606]
申请人/专利权人：先进微装置公司
本发明在离子植入步骤之后于井结构之上提供外延生长沟道层，并且执行热处理步骤以在该井结构内建立所需的掺杂分布。该沟道层如同所需可以是未掺杂或轻微地掺杂，以便在该沟道层内的...

2005年6月1日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710126347]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置、例如ＭＯＳ晶体管中，存在由于反向栅区域的杂质浓度、其扩散形状而使得寄生晶体管容易动作的问题。本发明的半导体装置...

2008年1月2日

薄膜晶体管、有源矩阵型显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710101286]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法和有源矩阵型显示装置及其制造方法。本发明的一种实施方式的ＴＦＴ２０包括：设置在ＴＦＴ阵列基板（１０）上的绝缘性的基底膜（２１）；以及...

2007年10月24日

具有防止基区穿通的横向延伸基区屏蔽区的功率半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：02811702]
申请人/专利权人：硅半导体公司
一种功率ＭＯＳＦＥＴ（１０），它包含其中具有漂移区的半导体衬底（１０２）以及延伸在漂移区和半导体衬底第一表面（１０２ａ）之间的过渡区（１３０）。过渡区（１３０）中具有垂...

2004年8月11日

包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200710100610]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法。该方法包括将团簇形掺杂剂离子注入到半导体衬底中从而形成杂质注入区。对该杂质注入区进行退火工艺从而形成杂质掺杂区。...

2007年8月29日

具有超结结构的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710007374]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种具有超结结构的半导体器件包括：在电流流动方向上延伸的多个第一柱（４）；和在电流流动方向上延伸的多个第二柱（５）。第一柱（４）和第二柱（５）在交替方向上交替地设置。每...

2007年8月8日

功率半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：01812377]
申请人/专利权人：ABB瑞士有限公司
在一种用于由晶片制造具有阴极和阳极的半导体器件的方法中，首先用停止区（２）配备晶片，随即在阴极侧处理和随后才在其厚度上减小该晶片，使得从停止区（２）仅还剩下尾部截止区（...

2003年9月3日

瑞士

LDMOS晶体管　[申请号/专利号：200680001849]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
一种ＬＤＭＯＳ半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层（１５０）的基板（１６０）；从该外延层表面延伸的第二导电类型的源极区域（１１４）；在该外延层内的第二导电类...

2008年1月2日

晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置　[申请号/专利号：200610121615]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管。本发明的晶体管包括：包含赋予Ｐ型或Ｎ型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半...

2007年2月28日

非易失性存储器元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610095921]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种多位存储器单元包含一衬底；一多位电荷捕捉层于此衬底之上，此多位电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边；一源极区域于此衬底中，一部分此源极区域在此多位电荷捕捉层的此第一...

2007年9月26日

台湾

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610063940]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种包括半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，所述衬底包括邻近衬底表面的源区和漏区以及源区和漏区之间的漂移区。所述漂移区具有一杂质浓度分布使得所述漂移区的峰值杂...

2007年6月20日

锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构　[申请号/专利号：200580008214]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
场效应电子器件（１００，６００）（例如ＦＥＴ，如ＶＤＭＯＳ）包括设置在电介质层（１０４，６０８）上的场板（１０５，１０７），所述电介质层靠近半导体层（１０３，６０２）设...

2007年3月14日

绝缘栅双极晶体管　[申请号/专利号：01119009]
申请人/专利权人：株式会社东芝
为实现接触电阻的降低和载流子注入效率的降低，在ｎ型半导体衬底１内形成杂质浓度低且其深度在１．０微米以下的ｐ型杂质层２，降低载流子注入效率。在ｐ型杂质层２内形成用来降低接...

2001年11月28日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03105465]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所、夏普株式会社
催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的ＴＦＴ（半导体器件）。半导体层包括含有浓度为１×...

2003年10月1日

具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管　[申请号/专利号：200410040217]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明提供的一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它是在现有的功率双极型晶体管的基区５局部重掺杂形成重掺杂基区９，所述的重掺杂基区９的掺杂类型与基区５的掺杂类型相同（...

2006年1月18日

成都

功率MOSFET　[申请号/专利号：01814460]
申请人/专利权人：硅无线公司
在本发明的功率ＭＯＳＦＥＴ实施例中，功率ＭＯＳＦＥＴ提供高度线性的转移特性，并且可以有效地用于线性功率放大器中，在沟道区域（１１６）和漂移区域（１１２）之间优选地提供相...

2003年10月8日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：95105105]
申请人/专利权人：精工电子工业株式会社
本发明的目的是改进半导体集成电路装置的抗ＥＳＤ能力，使Ｎ沟道型ＭＯＳ晶体管的漏区中的Ｎ－型杂质的表面浓度，在栅电极端的栅电极方向的最大值，大于５Ｅ１８／ｃｍ↑［３］，并...

1996年1月17日

功率半导体器件　[申请号/专利号：200710152878]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
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2008年3月12日

用于沟槽IGBT的深N扩散　[申请号/专利号：200610153428]
申请人/专利权人：国际整流器公司
本发明涉及用于沟槽ＩＧＢＴ的深Ｎ扩散。在沟槽型ＩＧＢＴ的相邻沟槽之间和沟槽下提供一种与漂移区相同导电类型的增大导电率的深扩散，以当器件导通时对电流减小漂移区电阻和扩展电...

2007年2月28日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610151312]
申请人/专利权人：通用电气公司
本发明提供一种具有碳化硅外延层的复合结构（１６）的半导体器件及其制造方法。该外延层包括至少四个垂直分布的区域并且限定了各自的界面，其中每个区域的特征在于各自的掺杂浓度，...

2007年5月9日

半导体器件　[申请号/专利号：93106015]
申请人/专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
一种横向ＤＭＯＳＴＲＥＳＵＲＦ型半导体器件，包括：第１导电型的半导体本体和毗连表面的第２导电型表面区。多个第１导电型的击穿电压增高区设在背栅区与漏区间。按照本发明，至少...

1994年4月20日

射频DMOS功率器件　[申请号/专利号：200610020175]
申请人/专利权人：电子科技大学
射频ＤＭＯＳ功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分ＳＯＩ射频ＤＭＯＳ功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的ｎ（或ｐ）埋层，做成具有埋...

2006年9月6日

成都

碳化硅超快速高温整流二极管　[申请号/专利号：89109809]
申请人/专利权人：克里研究公司
本发明是一个以碳化硅制成的超快速高频高温整流二极管，它包括一片单晶碳化硅衬底，具有充足的载流子浓度，赋予衬底第一导电类型，一层在衬底上的第一单晶碳化硅外延层，并具有与衬...

1990年8月15日

PIN开关管用硅外延片　[申请号/专利号：200520071427]
申请人/专利权人：南京国盛电子有限公司
本实用新型涉及一种ＰＩＮ开关管用硅外延片，它包括衬底和外延层，且外延层的浓度低于１０↑［１３］ｃｍ↑［－３］。本实用新型的硅外延片在其后的器件高温工艺中阻挡衬底的杂质向...

南京

具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的硅片及其制造方法　[申请号/专利号：02825681]
申请人/专利权人：MEMC电子材料有限公司
一种硅片，它具有一种受控制的氧沉淀性能，以便最后形成一个洁净区和晶片主体中的氧沉淀物，上述洁净区从前表面向内延伸，而上述氧沉淀物足够用于本征吸除的目的。具体地说，在形成...

2005年4月13日

半导体结构及改善其ESD与过负荷强度之方法　[申请号/专利号：02810899]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一半导体结构是包含一第一导电型态之一基层（１００，ＩＶ），该第一导电型态之一第一层（１０２，ＩＩＩ），其是配置于该基层（１００，ＩＶ）之上，并具有低于该基层（１００，Ｉ...

2004年8月4日

DMOSFET和平面型MOSFET　[申请号/专利号：200610111083]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供在平面型ＭＯＳＦＥＴ中即使使沟道层浅结化也可防止沟道层的穿通并可实现低导通电阻和低反馈电容的ＭＯＳＦＥＴ的技术。解决方法是在平面型ＭＯＳＦＥＴ、特别是Ｎ沟道的ＤＭＯ...

2007年2月28日

采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法　[申请号/专利号：98119321]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
在第一导电类型半导体上形成栅极。接着，在漏极结构布置区内半导体衬底表面有选择地掺入第二导电类型第一杂质来形成第一扩散层。接着，在源极结构布置区内的半导体衬底表面有选择地...

1999年3月17日

制造电子元件的方法以及电子元件　[申请号/专利号：200610094055]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
在用于制造电子元件的方法中通过引入掺杂原子来对衬底进行掺杂。在掺杂衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区。此外，至少在至少一个连接区的下面借助利用掺...

2006年12月27日

半导体集成电路装置及其制造方法　[申请号/专利号：97103426]
申请人/专利权人：松下电子工业株式会社
一种半导体集成电路装置及其制造方法，其特征在于，在设有Ｐ阱区和分离元件用硅氧化膜的Ｐ型电阻率为１０～２０Ωｃｍ的单晶硅衬底上，分别构成绝缘栅型场效应晶体管Ａ及Ｂ的各自的...

1998年3月18日

半导体器件和晶体管　[申请号/专利号：94104268]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化，在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低...

1995年9月6日

一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管　[申请号/专利号：90109971]
申请人/专利权人：快捷韩国半导体有限公司
一种利用ＮＰＮ晶体管的锁闩电压的横向ＰＮＰ晶体管，用ＮＰＮ晶体管的集电极和发射极之间的锁闩电压替代ＰＮＰ晶体管的击穿电压，其中在Ｐ型扩散层内部形成一个ｎ＋［＋］型扩散层...

1991年6月26日

德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：02821189]
申请人/专利权人：克里公司
本发明提供一种金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ）的单元。ＭＥＳＦＥＴ的单元包括具有源（１３）、漏（１７）和栅（２４）的德尔塔掺杂的碳化硅ＭＥＳＦＥＴ。栅（２４）位于...

2005年12月7日

制造沟槽栅DMOS晶体管的方法　[申请号/专利号：01807673]
申请人/专利权人：通用半导体公司
本发明提供一种制造一个或多个沟槽ＤＭＯＳ晶体管的方法。在这种方法中，提供与一个或多个沟槽（２０７）毗邻的一个或多个本体区（２０４）。所述的一个或多个沟槽被衬以第一绝缘层...

2003年6月25日

包括LDMOS晶体管的电子器件　[申请号/专利号：200480024299]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明的ＬＤＭＯＳ晶体管设有阶梯状屏蔽结构和／或设有第一和第二漏极延伸区，所述第一漏极延伸区具有比第二漏极延伸区高的掺杂剂浓度，并且被屏蔽件覆盖。...

2006年10月4日

理想的氧沉淀硅晶片及氧外扩散较小的方法　[申请号/专利号：98803695]
申请人/专利权人：MEMC电子材料有限公司
一种对单晶硅晶片（１）进行热处理以影响在后续热加工步骤中晶片中的氧的沉淀行为的工艺。该晶片具有正表面（３）、背表面（５）和正表面与背表面之间的中心平面（７）。在该工艺中...

2000年4月19日

用于衬底触发式静电放电保护的半导体器件　[申请号/专利号：99105292]
申请人/专利权人：自由度半导体公司
半导体器件有具有第一导电类型的衬底。衬底有一个也具有第一导电类型的顶部衬底区。第一掺杂区，第二掺杂区和第三掺杂区位于顶部衬底区上，其中第一和第二掺杂区具有与第一导电类型...

1999年11月10日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510118636]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够防止漏极衬底接触之间导通的、可靠性较高的半导体装置及其制造方法。通过在高浓度ｐ型衬底区域７和衬底表...

2006年7月26日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510118633]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够抑制因牺牲氧化工序和栅极氧化形成工序而引起的沟道区域的杂质浓度的下降，从而较容易地控制沟道区域的杂...

2006年7月26日

半导体器件及其生产方法　[申请号/专利号：200510092789]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的半导体器件包括：在半导体衬底表面层上提供的含有锗原子和第一杂质原子的第一扩散区，所述第一杂质原子对电导率有贡献；和在距第一扩散区的表面比第一扩散区更浅的深度处提...

2006年3月1日

双极高速功率开关晶体管发射区结构　[申请号/专利号：98203022]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖面结构上看，这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程，有效地改善双极功率...

北京

用于δ掺杂多层结构的掺杂剂校准的方法　[申请号/专利号：200480044811]
申请人/专利权人：艾利森电讯公司
在一种校准方法中，根据δ掺杂层所在的材料的多个体试样来确定Ｓ１多层半导体结构中的δ掺杂层的掺杂剂浓度与工艺参数之间的关系。选取Ｓ２预期掺杂剂浓度，以及可根据工艺参数与预...

2007年12月26日

巴西

沟槽绝缘栅场效应晶体管　[申请号/专利号：200480035223]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及具有漏极（８）、漂移区（１０）、主体（１２）和源极（１４）的沟槽ＭＯＳＦＥＴ。为了提高用作控制和同步ＦＥＴ的ＭＯＳＦＥＴ的品质因数，沟槽（２０）部分填充有电介...

2006年12月27日

一种高频应用的集成电路及其制造方法　[申请号/专利号：00803812]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
本发明涉及到高频应用的集成电路，它包含高电阻率衬底（３１）、有源元件（３７和４１）、以及所述衬底上方的电感器（４５），从而有源元件和电感器被排列成主要横向分隔开。根据本...

2002年3月13日

沟槽绝缘栅场效应晶体管　[申请号/专利号：200480035197]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及沟槽ＭＯＳＦＥＴ，它具有漏极区（８）、漂移区（１０）、主体区（１２）和源极区（１４）。将漂移区掺杂成具有高浓度梯度。提供场板电极（３４），其与漂移区（１０）和...

2006年12月27日

载流子寿命的轴向调节方法　[申请号/专利号：89108602]
申请人/专利权人：亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
在具有半导体晶体衬底（１）的半导体器件中轴向调节载流子寿命的方法包括下列步骤：（ａ）将杂质原子扩散入半导体衬底，这些杂质原子应具有如下特性，即它们（Ｉ）在晶格格点上易于...

1990年6月13日

瑞士