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钱眼专利首页 > 除掺杂材料或其他杂质外，只包括包含在H01L 29/16，H01L 29/18，H01L 29/20，H01L 29/22各组中的无机半导体材料的 的专利共 30 条
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1
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710090575]
申请人/专利权人：日产自动车株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外...
2007年10月17日
2
具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610064203]
申请人/专利权人：克里公司
双极结型晶体管（ＢＪＴ）包括：第一导电型的碳化硅（ＳｉＣ）集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在...
2007年7月4日
3
碳化硅场控双极型开关　[申请号/专利号：98804658]
申请人/专利权人：克里公司
场控双极性开关具有带有上表面和下表面的第一导电类型的单晶碳化硅体材料衬底。第二导电类型碳化硅的第二外延层制作在衬底的上表面上。第二导电类型碳化硅的第一外延层制作在碳化硅...
2000年5月24日
4
半导体量子振荡器件　[申请号/专利号：98804016]
申请人/专利权人：李炳辉
一种基于载流子全新注入机理实现Ｂｌｏｃｈ振荡的半导体量子振荡器件，包括一个由多层半导体材料构成的结构和给上述结构加电压的装置，所述多层结构包括隧穿注入区和与其相接并位于...
2000年5月3日
5
碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用　[申请号/专利号：00803404]
申请人/专利权人：AMDS股份公司
一种用于高开关频率的碳化硅横向场效应晶体管，它包含横向分隔开的重掺杂ｎ型源区层（５）和漏区层（６）、横向延伸并将源区层与漏区层互连以便在晶体管处于接通态时使电流在这些层...
2002年3月6日
6
具有高沟道迁移率的碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610126666]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种具有ＭＯＳ结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底（１、３１、６１）；在所述衬底（１、３１、６１）中的沟道区（２、３４、６４）；第一杂质区（４、３６、６６、６７）；第二杂...
2007年3月7日
7
具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用　[申请号/专利号：98808324]
申请人/专利权人：西门子公司
本发明涉及一种半导体结构（ＨＳ），它包括至少一个α碳化硅区（３、１０、１１）和一个例如为氧化层的电绝缘区（１３ａ）以及一个在它们之间的界面（２０）。通过为至少一个邻近界...
2000年9月20日
8
ZnO基透明场效应晶体管　[申请号/专利号：200720106009]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型公开的ＺｎＯ基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为ｐ－ＺｎＯ薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为１０↑［１９］～１...
9
碳化硅半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510116265]
申请人/专利权人：株式会社电装
本发明公开了一种碳化硅半导体装置，包括：具有碳化硅基片（１，６１）、第一半导体层（２）、第二半导体层（３）和第三半导体层（４）的半导体基片；贯穿第二和第三半导体层（３，...
2006年6月21日
10
采用电表面安装的发光晶片封装　[申请号/专利号：200480030943]
申请人/专利权人：克立公司
本发明揭示一种发光晶片封装。所述晶片封装包含一衬底、一反射板和一透镜。所述衬底可由导热但电绝缘的材料制成，或者由一既导热又导电的材料制成。在其中所述衬底由一导电材料制成...
2006年11月29日
11
使用梨晶生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法和由此形成的功率半导体器件　[申请号/专利号：200480030561]
申请人/专利权人：克里公司
形成高电压碳化硅功率器件的方法利用从高纯度碳化硅晶片材料得到的高纯度碳化硅漂移层，而不是非常昂贵的外延生长的碳化硅层。该方法包括使用具有大于约１００μｍ厚度的漂移层形成...
2006年11月22日
12
碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法　[申请号/专利号：200380106833]
申请人/专利权人：克里公司
碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）可以包括ｎ型碳化硅漂移层（１２）、毗邻漂移层且其中包含第一ｎ型碳化硅区的第一ｐ型碳化硅区（２８）、漂移层上的氧化物层...
2006年2月1日
13
透明氧化物半导体薄膜晶体管　[申请号/专利号：200380101292]
申请人/专利权人：纳幕尔杜邦公司
本发明涉及新型透明氧化物半导体薄膜晶体管（ＴＦＴ）及其制造方法。...
2005年11月30日
14
具有一连续宽广发射波长的光源及用于此光源的磷光体组合物　[申请号/专利号：03810785]
申请人/专利权人：沙诺夫股份有限公司
具有自约４００纳米至约１５００纳米且甚至更长的连续发射波长的磷光体混合物（３２）可由无机磷光体制成。这种磷光体混合物（３２）可与光源（３０）或者电子束（４６）发生器一起...
2005年8月10日
15
微制造金钢石元件以及制造微制造金钢石元件的方法　[申请号/专利号：03158713]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社、财团法人精细陶瓷中心
一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱（微型突起），这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面（水平截面）为四边形形状，其长边边长...
2004年6月9日
16
一种制作基于MgB*的超导线材的包括热处理的方法　[申请号/专利号：02825285]
申请人/专利权人：国家物理学会
本发明描述了一种制作基于ＭｇＢ↓［２］的超导线的方法，其包括下列步骤：制作包括由金属覆盖物包围的ＭｇＢ↓［２］芯的圆柱形线，其中所述核具有由所述化合物ＭｇＢ↓［２］的颗...
2005年4月27日
17
用于高击穿电压半导体器件的高阻碳化硅衬底　[申请号/专利号：02809392]
申请人/专利权人：克里公司
公开了一种高阻碳化硅单晶，它含有至少一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距碳化硅带隙边缘足够远以免产生导电行为，而且当衬底与掺杂的碳化硅外延层接触时，并且当晶体中存在的掺...
2004年6月23日
18
SiC双极结构和相应的半导体器件　[申请号/专利号：02818719]
申请人/专利权人：克里公司
一种双极器件（３０），具有至少一层单晶碳化硅ｐ型层（３４）和至少一层单晶碳化硅ｎ型层（３３），其中在正向工作下生长的那些堆垛层错（４０）的那些部分至少与有源区和器件剩余...
2004年12月29日
19
短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法　[申请号/专利号：01820007]
申请人/专利权人：克里公司
提供碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）及其制造方法。碳化硅ＭＯＳＦＥＴ有ｎ型碳化硅漂移层，在ｎ型漂移层内包含有一定间隔的、其中又包含ｎ型碳化硅区的ｐ型...
2004年2月25日
20
利用N*O在碳化硅层上制造氧化物层的方法　[申请号/专利号：01816726]
申请人/专利权人：克里公司
通过在Ｎ↓［２］Ｏ环境中氧化碳化硅或者在Ｎ↓［２］Ｏ环境中退火碳化硅层上的氧化物层中的至少一种方式来形成氧化物层，提供在碳化硅层上制造氧化物层的方法。最好在氧化或退火期...
2004年12月1日
21
碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：01809259]
申请人/专利权人：克里公司
本发明公开了利用基本上无深能级掺杂物的半绝缘ＳｉＣ衬底的ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ。半绝缘衬底的利用可以减少ＭＥＳＦＥＴｓ中的背栅效应。还提供了具有两个凹槽的栅极结构的ＳｉＣ...
2003年9月10日
22
高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法　[申请号/专利号：00806545]
申请人/专利权人：阿克里奥股份公司
用于高温应用的ＳｉＣ场效应晶体管具有与其中设置了栅极（１２）的前表面（１４）垂直分开的源区层（４）、漏区层（５）和沟道区层（６、７），在晶体管工作时用于减小所述前表面的...
2002年5月1日
23
碳化硅二次外延结构　[申请号/专利号：200810054651]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质...
2008年8月20日
24
碳化硅半导体结构上的层叠电介质　[申请号/专利号：99811468]
申请人/专利权人：克里公司
公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中，该结构包括碳化硅层，位于碳化硅层上的二氧化硅层，位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层，该绝缘材料具有的介电常数大...
2002年2月13日
25
适于用在无线电接收器中的集成电路　[申请号/专利号：200480026392]
申请人/专利权人：硅实验室股份有限公司
集成电路（５００）包括半导体衬底（４００）和集成电路封装（５３０）。半导体衬底（４００）具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第一外部滤波器输入的第一对焊片（４４２，４...
2006年10月18日
26
在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件　[申请号/专利号：00820065]
申请人/专利权人：克里公司
提供一种在具有一般为第一导电类型的第一层碳化硅和一般为与第一导电类型相反的第二导电类型的第二层碳化硅的半导体结构中制造自对准双极结晶体管的方法。该方法包括在第二碳化硅层...
2003年12月10日
27
碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件　[申请号/专利号：99808341]
申请人/专利权人：克里公司
本发明揭示了多种碳化硅沟道半导体器件，通过利用半导体栅极层和掩埋基区当栅极上无偏置电压时产生一个“夹断”栅极区，去掉了栅极绝缘体。在本发明的实施例中，半导体器件包括一个...
2001年8月15日
28
以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构　[申请号/专利号：98807535]
申请人/专利权人：西门子公司
一种以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构。该ＳｉＣ半导体结构（２）至少包含三个半导体区（Ｇ１至Ｇ３），其中第三半导体（Ｇ３）的表面包围第二半导体区...
2000年8月30日
29
宽带隙半导体中的功率器件　[申请号/专利号：98806520]
申请人/专利权人：小詹姆斯·艾伯特·库珀、迈克尔·R·梅洛奇、贾亚拉玛·谢诺伊、简·斯皮茨
本发明描述了一优选器件，它包括在结隔离衬底或半绝缘衬底（例如碳化硅）上制造的诸如超大功率开关器件的半导体器件。...
2001年3月7日
30
免闭锁功率金属氧化物半导体一双极型晶体管　[申请号/专利号：98806110]
申请人/专利权人：克里公司
提供了一种ＭＯＳ双极型晶体管，其中包括在ｎ型体材料单晶碳化硅衬底上形成的碳化硅ｎｐｎ双极型晶体管并有ｎ型漂移层和ｐ型基极层。基极层最好是通过外延生长形成的台面。碳化硅ｎ...
2000年7月12日
 

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