专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备-钱眼专利分类

液体急冷结合放电等离子烧结制备CoSb*基热电材料的方法　[申请号/专利号：200810089028]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
本发明涉及一种液体急冷结合放电等离子烧结制备ＣｏＳｂ↓［３］基热电材料的方法，其特征包括：（１）按ＣｏＳｂ↓［３］原子配比称取Ｃｏ和Ｓｂ，在惰性气氛的熔炼炉内加热到１１...

2008年11月19日

液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法　[申请号/专利号：200810089029]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
本发明涉及一种液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法，包括：（１）按选定的硅锗基合金中的元素成分，在真空或惰性气体环境中，加热到合金的熔点以上温度进行保温３...

2008年11月19日

一种核壳结构纳米热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200810059881]
申请人/专利权人：杭州电子科技大学
本发明涉及一种纳米热电材料的制备方法。目前方法制备的核壳结构纳米热电材料的核和壳结合不好。本发明的方法是：将原料加入反应容器中，加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和聚乙二醇...

2008年8月6日

制备热电材料、形成热电器件和制造热电模块的方法　[申请号/专利号：200610121557]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
一种制备热电材料的方法包括下述步骤。可以将热电原材料填充到第一模具的空腔内，使得填充到所述空腔内的热电原材料具有第一和第二尺寸。所述第一尺寸可以沿第一方向界定。所述第二...

2007年4月11日

一种热电发电元器件性能测量装置及其方法　[申请号/专利号：200610119422]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种热电发电元器件性能测量装置及其方法，属于热电转换技术领域。测量装置由热源（１）、冷端（３）、直流电源（４）、标准负载电阻（５）、多通道数据采集器（６）、计...

2007年6月6日

一种太阳能低温热发电原型器件及制造方法　[申请号/专利号：200710071265]
申请人/专利权人：杭州电子科技大学
本发明涉及一种利用太阳光照的热能进行低温发电的太阳能低温热利用发电原型器件及制造方法。目前还没有利用太阳能的低温转换为电能的相关技术。本发明绝缘平板材料基板上设置有Ｐ型...

2008年2月6日

一种基于热电效应的双金属太阳能电池制作方法　[申请号/专利号：200810036728]
申请人/专利权人：上海应用技术学院
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2008年12月10日

一种Zn*Sb*基块体热电材料的超高压冷压成型方法　[申请号/专利号：200710052482]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明提供的Ｚｎ↓［４］Ｓｂ↓［３］基块体热电材料的超高压冷压成型方法，具体是：先在真空下熔融高纯Ｚｎ粉、Ｓｂ粉和／或Ｔｅ粉，冷凝结晶后得到单相β－Ｚｎ↓［４］Ｓｂ↓［...

2007年11月21日

武汉

一种用于锑化钴基热电元件的合金电极及元件制备方法　[申请号/专利号：200710043389]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
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2008年1月9日

一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法　[申请号/专利号：200810106202]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种Ｂｉ－Ｓ二元体系热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Ｂｉ和Ｓ单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速...

2008年9月24日

一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059853]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种原位复合Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Ｍｇ↓［２－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］Ｓｉ↓［０．５＋ｘ］Ｓｎ↓［０．５－ｘ］，ｘ＝０～０．０８...

2008年8月6日

一种原位纳米复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059852]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种原位纳米复合Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Ｍｇ↓［２－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］Ｓｉ↓［０．５－ｘ］Ｓｎ↓［０．５＋ｘ］，ｘ＝０．０２...

2008年7月23日

一种镁基热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200810056869]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明是一种镁基热电材料的制备方法，利用半固态制备和放电等离子烧结成型结合的方法，以高纯镁、硅、锡粉为原料，升温到合金的半固态区，在合金的凝固过程中，对其进行强力搅拌，...

2008年7月23日

纳米SiC颗粒复合CoSb*基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610144006]
申请人/专利权人：清华大学、北京科技大学
纳米ＳｉＣ颗粒复合ＣｏＳｂ↓［３］基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Ｃｏ、Ｓｂ以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Ｃｏ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］Ｓｂ↓...

2007年7月11日

一种辐射能量转换芯片的制作方法　[申请号/专利号：200610147533]
申请人/专利权人：华东师范大学
本发明公开了一种辐射能量转换芯片的制作方法，包括如下步骤：（１）制作具有一定开口面积比和深度的ｐ－型宏多孔硅阵列；（２）对硅进行扩磷获得一层浅结；（３）去除一定厚度的背...

2007年7月11日

一种π型CoSb*基热电转换器件及制备方法　[申请号/专利号：200710047055]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
一种π型ＣｏＳｂ↓［３］基热电转换器件，它主要包括：高温端Ｍｏ－Ｃｕ合金电极（１），高温端焊接层（２），扩散阻挡层（３，５），热电脚（４），金属层（６），低温焊接层（７...

2008年3月5日

一种锑化钴基热电器件的制造方法　[申请号/专利号：200710044771]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种锑化钴基热电器件的制造方法，其特征在于首先用ＳＰＳ方法制备出单对或多对Ｐ－Ｎ的热电块体翻转９０°，通过在热电块体上等离子喷涂一扩散阻挡薄层，可有效的阻挡热...

2008年1月30日

一种PbTe粉末材料成型制备方法　[申请号/专利号：200510122211]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
本发明属于一种ＰｂＴｅ粉末材料成型制备方法，用模具将ＰｂＴｅ粉末材料压制成型，其制备过程为：（１）按照ＰｂＴｅ＋０．３（ｗｔ）Ｐｂ＋０．０８（ｗｔ）ＰｂＩ↓［２］公式称...

2007年6月13日

天津

一种硅锗系热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200710118217]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种硅锗系热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明采用真空电子束封装技术和热等静压相结合的办法，以固相硅粉、锗粉及各种掺杂剂为原始原料，热等静压过程中采用...

2007年12月5日

半导体封装中的覆盖装置　[申请号/专利号：200710091979]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明的实施例是制造覆盖物组件的技术。覆盖物具有底板和附着在底板的周界上的侧壁。侧壁有一定高度。将多个器件附着在底板的下侧。器件具有对应于所述高度的长度，使得当将覆盖物...

2007年11月28日

美国

热电转换模块及其制造方法　[申请号/专利号：200710089486]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种热电转换模块，包括：第一绝缘基板；多个柱状ｐ型和ｎ型半导体热电变换器，它们交替排列设置在所述第一绝缘基板上；第二绝缘基板，它与所述第一绝缘基板相向设置，两...

2007年9月26日

热电转换装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710127099]
申请人/专利权人：株式会社电装
本发明提出了一种热电转换装置及其制造方法。所述制造方法包括连接过程，所述连接过程用于将热交换部件（２２、３２）分别电连接到热电元件模块（１０）的热电元件对；浸渍过程，所...

2008年1月2日

可自检微机械热电堆生物反应热探测器及制备方法　[申请号/专利号：200610075780]
申请人/专利权人：中国科学院电子学研究所
一种可自检微机械热电堆生物反应热探测器，为轴对称结构，在硅衬底的一面上依次有氧化硅和氮化硅绝缘层；在氮化硅绝缘层上并排两组由两种不同金属首尾相连构成的热电偶，该两组热电...

2007年11月14日

红外线传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200580003856]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明的红外线传感器的贯通孔Ｐ设置于面对于黏着层ＡＤ的位置上。即使在由黏着层ＡＤ所划分的空间的内外产生压力差，贯通孔Ｐ与其底部也由黏着层ＡＤ支撑，而可抑制贯通孔Ｐ与其底...

2007年2月14日

热电变换器及其制造方法、以及形成波形散热片的方法　[申请号/专利号：200510129004]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种热电变换器，包括：一组热电器件，具有交替布置在热电器件基板上的多个Ｐ型热电器件和多个Ｎ型热电器件；电极件，用于串联电连接相邻的Ｐ型热电器件和Ｎ型热电器件；以及热交换...

2006年6月7日

钛钴锑基热电半导体材料的制备方法　[申请号/专利号：200610019184]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明提供了一种钛钴锑基热电半导体材料的制备方法，具体是：将称量的钛粉、钴粉、锑粉或钛粉、锆粉、钴粉、锑粉，以无水乙醇为介质，在球磨机中球磨２～４小时；将球磨后的粉末置...

2006年12月13日

武汉

一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200610019082]
申请人/专利权人：华中科技大学
本发明提供了一种Ｂｉ－Ｓｂ－Ｔｅ系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Ｂｉ∶Ｓｂ∶Ｔｅ＝２ｘ∶２－２ｘ∶３配比，０．１≤ｘ≤０．３，混合后进行高能球磨处理，...

2006年10月11日

武汉

微机械热电堆红外探测器及其制作方法　[申请号/专利号：200610118474]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件...

2007年5月9日

热电装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610110939]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热...

2007年3月28日

用于印版曝光器中激光器组件的温度调节的装置　[申请号/专利号：200610108204]
申请人/专利权人：海德堡印刷机械股份公司
本发明涉及一种用于调节外滚筒印版曝光器中具有激光二极管的激光器组件（４）的温度的装置及方法。在外滚筒印版曝光器中，因结构方式的限制没有足够的空间，以便借助珀耳帖元件（１...

2007年2月7日

联邦

同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059880]
申请人/专利权人：杭州电子科技大学
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套，二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是：将原料加入反应容器中，加入蒸馏水、硼氢化钾、...

2008年8月6日

一种热电模块及其制造方法　[申请号/专利号：200710031782]
申请人/专利权人：况学成
本发明公开了一种热电模块，包括Ｎ型热电材料和Ｐ型热电材料；所述Ｎ型热电材料和Ｐ型热电材料为丝状，相互交替且头尾依次连接而构成“Ｗ”型热电丝串；所述各热电丝串纵向间隔排列...

2008年4月30日

广东

帕尔帖元件或塞贝克元件的结构及其制造方法　[申请号/专利号：200580035593]
申请人/专利权人：株式会社明电舍、近藤义臣、岩泽直孝
一种包括具有不同的塞贝克系数的第１和第２导电部件的帕尔帖或塞贝克元件。为了减小从每个导电部件中的一个到另一个的热传导，在长度方向上的中间部分的横截面面积小于两个端部的横...

2007年9月26日

一种热电偶丝穿线辅助工具　[申请号/专利号：200620047809]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本实用新型涉及一种热电偶丝穿线辅助工具。现有的热电偶丝穿线时因无任何辅助工具致使热电偶丝极易弯折从而使穿线过程困难甚至热电偶丝损坏。该热电偶丝穿线辅助工具包括基座及安装...

一种非晶/纳米晶复合热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610053779]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的非晶／纳米晶复合热电材料，是在表达式为Ｇｅ↓［２０］Ｓｂ↓［ｘ］Ｔｅ↓［８０－ｘ］的非晶基体中分布着大小在５－２０ｎｍ的ＧｅＴｅ和Ｔｅ的纳米晶颗粒，式中０≤...

2007年3月28日

一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法　[申请号/专利号：200510112299]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用ＳｉＯ↓［２］、ＳｉＮ↓［ｘ］、ＳｉＣ、Ａｕ、Ａｌ及Ｃｒ等ＸｅＦ↓［２...

2006年8月16日

热电模块、形成热电元件的方法和热电模块的方法　[申请号/专利号：200710003903]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本发明涉及一种形成热电元件的方法，包括：在模具的多个孔中引入熔融的热电材料；以及固化所述多个孔中的熔融的热电材料，由此无需晶片切片工艺或芯片切片工艺而在所述多个孔中形成...

2007年7月25日

一种碲化铋基热电材料的制备方法　[申请号/专利号：200610155113]
申请人/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
本发明公开了一种碲化铋基热电材料的制备方法。它通过控制机械合金化和ＳＰＳ过程中的各项工艺参数，维持粉体材料的大小在一定尺寸范围，利用ＳＰＳ技术快速致密化的特点，使得烧结...

2007年6月6日

宁波

Ag-Pb-Sb-Te热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200510114218]
申请人/专利权人：清华大学、日本丰田汽车株式会社
本发明公开了属于新能源材料及其制备技术领域，涉及具有高温差电效应的热电半导体化合物的一种Ａｇ－Ｐｂ－Ｓｂ－Ｔｅ热电材料及其制备方法。本发明采用机械合金化（ＭＡ）结合放电...

2006年4月5日

一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺　[申请号/专利号：200710037778]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及与锑化钴基热电材料相匹配的合金电极（导流片）及其锑化钴基热电元件的一步法连接工艺。其特征在于所述的合金电极为Ｍｏ－Ｃｕ系列合金，优点在于可以自由设计相应的热膨...

2007年8月22日

集成的并列珀耳帖/塞贝克元件芯片及其制备方法、连接方法　[申请号/专利号：200580021676]
申请人/专利权人：株式会社明电舍、近藤义臣
在绝缘衬底上形成具有不同塞贝克系数的第一和第二导电部件，并且通过欧姆接触连接所述第一和第二导电部件，并且在结合表面处用具有优越导热性和电绝缘性质的材料片，例如通过耐蚀铝...

2007年6月6日

一种温差电材料热压装置　[申请号/专利号：200520123938]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
本实用新型属于一种温差电材料热压装置，自下至上同轴顺序连接有定位块、下垫块、模具、导向套和上压块，其特点是：所述上压块轴中心设置有一个通孔，所述模具设置有内、外两层石墨...

天津

一种温差电材料的制备方法　[申请号/专利号：200510122361]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
本发明属于温差电材料的制备方法，采用：合金破碎过筛、冷压成型、超高压处理、退火处理、性能测试等步骤，其中超高压处理是将装好材料的模具放入六面顶液压机，将液压机控制台温度...

2007年6月20日

天津