专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 为PIN型势垒的 的专利共 42 条
<<　1　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
1
图像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810099295]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底、第一电极、本征层、第二导电类型导电层和第二电极。包括低互连的电路设置在衬底上。第一电极、本征层和第二导电类...
2008年11月19日
2
图像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810085396]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可包括包含电路区域的半导体衬底、在所述半导体衬底上的包括金属互连的层间电介质、在所述金属互连上的下电极、和在所述下电...
2008年9月17日
3
2008年5月28日
4
InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片　[申请号/专利号：200710047624]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种ＩｎＧａＡｓ低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在ｐ－ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ｎ－ＩｎＰ外延片上通过刻蚀形成线列或面阵ｐ－ＩｎＰ微台面。在ｐ－ＩｎＰ微台...
2008年4月30日
5
硅基发光与探测共用器件及其构成的光互连系统　[申请号/专利号：200710150995]
申请人/专利权人：天津工业大学
本发明公开一种与标准ＣＭＯＳ工艺完全兼容的硅基发光与探测共用器件及其构成的单片集成光互连系统，其特征在于，包括：利用同一硅基器件，在ＰＮ结正向注入模式时可实现光发射，在...
2008年5月14日
6
半导体元件及其制作方法　[申请号/专利号：200710135912]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明是关于一种半导体元件及其制作方法，该方法包括下列步骤。提供一透光基板；形成一遮光层于透光基板上，形成一第一缓冲层于遮光层上；形成一半导体层于第一缓冲层上；图案化遮...
2007年8月22日
7
太阳光紫外线指数监测的微型探测装置　[申请号/专利号：200710026124]
申请人/专利权人：南京大学
太阳光紫外线指数监测的微型探测装置，是利用ＧａＮ基和ＡｌＧａＮ基微型紫外探测器、芯片尺寸小于２－３ｍｍ↑［２］，在２９０ｎｍ－４００ｎｍ波长的包含紫外线Ａ和紫外线Ｂ谱线...
2008年2月13日
8
铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法　[申请号/专利号：200710171389]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种铟镓砷台面阵列探测器芯片的台面钝化膜及制备方法，其特征在于：所述的台面钝化膜是通过阳极氧化在台面列阵的上表面和侧面自生成的一层氧化物钝化膜。钝化膜的生成...
2008年4月30日
9
用于650nm光纤通信的光电探测器及其制造方法　[申请号/专利号：200310121088]
申请人/专利权人：厦门三优光机电科技开发有限公司
涉及一种用于６５０ｎｍ光纤通信的光电探测器，为重掺杂的Ｐ＃＋［＋］表面层／Ｐ型层／低掺杂Ｎ＃＋［－］型外延层／重掺杂Ｎ＃＋［＋］衬底层四层结构。其步骤为：材料生长、氧化...
2004年12月15日
10
光学位置测量系统的扫描头　[申请号/专利号：200480036652]
申请人/专利权人：约翰尼斯海登海恩博士股份有限公司
一种光学位置测量系统的扫描头，带有一个有光敏区域（３）的接收栅（３）用于扫描不同相位的位置强度调制的光。接收栅（１．７）具有一个半导体层堆叠（１．２）构成，所述半导体层...
2007年1月3日
11
超薄背发光光电二极管阵列结构及制造方法　[申请号/专利号：200480024727]
申请人/专利权人：森米科公司
超薄背发光光电二极管阵列和制造方法。光电二极管阵列是具有第一导电型基底的背发光光电二极管阵列，所述基底具有第一和第二表面，所述第二表面具有一第一导电型层，所述第一导电型...
2006年10月4日
12
制造集成PIN型二极管的方法及其电路装置　[申请号/专利号：03821213]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
本发明提出了一种用于制造一集成ＰＩＮ型光电二极管的方法，该集成ＰＩＮ型二极管包含了一埋藏区域（２０）与通达该埋藏区域（２０）的一终端区域（３２）；此制造方法使该ＰＩＮ型...
2005年10月12日
13
受光器件阵列和受光器件阵列芯片　[申请号/专利号：00802271]
申请人/专利权人：日本板硝子株式会社
提供可以减小受光器件阵列的尺寸和节距，并可以减小对相邻的受光器件的串扰的受光器件阵列。它是一种对半导体层层叠构成的受光器件进行隔离刻蚀的台面式构造的受光器件阵列，在ｎ型...
2001年12月19日
14
高传输速度PIN型红外线接收二极管　[申请号/专利号：02236187]
申请人/专利权人：鼎元光电科技股份有限公司
本实用新型是在提供一种高传输速度ＰＩＮ型红外线接收二极管，其包括有：一厚Ｎ型半导体层；一层叠于上述厚Ｎ型半导体层的薄Ｉ型半导体层；一配置于上述薄Ｉ型半导体层中央处的Ｐ型...
15
光感测元件及其制作方法　[申请号/专利号：200710188769]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种光感测元件，包括一图案化遮光导电层设于一透明基板上，以及一缓冲介电层、一图案化半导体层与一介电层依序设于该图案化遮光导电层上，其中图案化半导体层包括一本质...
2008年4月16日
16
半导体光电探测器芯片结构　[申请号/专利号：200710031793]
申请人/专利权人：中山大学
本发明公开了一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的Ｎ型电极，部分的吸收层上形成有Ｐ型重掺杂层，Ｐ型重掺杂层上设置有Ｐ型电极，且Ｐ型...
2008年5月21日
17
侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯　[申请号/专利号：200310111559]
申请人/专利权人：武汉电信器件有限公司
本发明公开了一种侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯；涉及一种光探测器；具体地说，涉及光探测器的管芯结构。该管芯是在掺铁的半绝缘半导体ＩｎＰ衬底１上，通过有机金属...
2004年11月17日
18
P*PIN硅光电探测器　[申请号/专利号：200710078673]
申请人/专利权人：重庆大学
本发明公开了一种Ｐ↑［＋］ＰＩＮ硅光电探测器，包括下部的Ｎ↑［＋］层、中部的非掺杂本征层、上部含有Ｐ↑［＋］型浓硼扩散层的硼扩散区，Ｎ↑［＋］层的下表面设置有Ｎ型欧姆接...
2007年12月19日
19
微台面结构的铟镓砷线列探测器　[申请号/专利号：200610118770]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘ＩｎＰ衬底上有ｎ型ＩｎＰ层，在ｎ型ＩｎＰ层上置有通过刻蚀形成的由ＩｎＧａＡｓ吸收层和Ｐ型ＩｎＰ层构成的线列...
2007年5月9日
20
2008年1月9日
21
AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法　[申请号/专利号：200610086105]
申请人/专利权人：南京大学
ＡｌＧａＮ基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在５０－２０００ｎｍ的低温和高温ＧａＮ材料，ＧａＮ材料上分别设有１５－８０ｎｍ和１５－１００ｎｍ的５－５０...
2007年2月14日
22
半导体装置　[申请号/专利号：200610081759]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种在半导体基板的主面上形成被分割为多个划区的受光部的半导体装置，其在成为每个划区（６２）的ＰＩＮ光电二极管（ＰＩＮ－ＰＤ）的共同的阳极的Ｐ－ｓｕｂ层（８０）...
2006年11月29日
23
一种光感测元件　[申请号/专利号：200710102545]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开一种光感测元件，该光感测元件包括一基板、一半导体层、一第一层间介电层、一第二层间介电层以及两个电极；半导体层位于基板上，并且包括第一掺杂区与第二掺杂区以及位于...
2007年11月7日
24
一种PIN结构TiO*基紫外探测器及其制作方法　[申请号/专利号：200710011204]
申请人/专利权人：大连海事大学
本发明涉及一种用于紫外光探测的ＰＩＮ结构的ＴｉＯ↓［２］基紫外光探测器及其制作方法。紫外光探测器包括导电基底、Ｎ型半导体接触层、本征ＴｉＯ↓［２］有源层、Ｐ型宽带隙半导...
2007年10月17日
25
雪崩击穿存储器件及其使用方法　[申请号/专利号：02816191]
申请人/专利权人：奥普泰拜特公司
反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器（３００）中。由于可以并行地记录数据，因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流（２０８）。该变...
2004年11月3日
26
一种形成横向沟槽光检测器的方法　[申请号/专利号：02803225]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种在半导体基底（１０２）上成型光检测器器件的方法。该方法包括：在基底（１０２）上成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽对于第二组的各沟槽交错排列；...
2004年2月25日
27
光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素　[申请号/专利号：200510126641]
申请人/专利权人：豪威科技有限公司
本发明公开了一种采用ＰＩＮ型光电二极管的有源像素，该像素包括一设在半导体基体内的光电二极管，该光电二极管为形成于Ｐ－型区域内的Ｎ↑［－］区域。该光电二极管还进一步包括位...
2006年10月4日
28
太阳能电池装置的制造方法　[申请号/专利号：01104997]
申请人/专利权人：时至准钟表股份有限公司
太阳能电池装置（２）的制造方法，包括下列工序：在绝缘基板（１０）的表面上形成透明氧化物电极（１２）的工序；利用纯水清洗绝缘基板（１０）和透明氧化物电极（１２）的表面的工...
2001年9月12日
29
受光元件阵列　[申请号/专利号：01802040]
申请人/专利权人：日本板硝子株式会社
提供一种受光元件阵列，可以防止串扰引起的受光元件的特性劣化。在ｎ－ＩｎＰ基板上叠层ｎ－ＩｎＰ层、ｉ－ＩｎＧａＡｓ层、ｎ－ＩｎＰ层，在ｎ－ＩｎＰ层内扩散Ｚｎ而形成ｐ型扩散...
2002年12月18日
30
光电二极管　[申请号/专利号：96123177]
申请人/专利权人：古河电气工业株式会社
一种管脚状光电二极管，它包括：ｎ－型ＩｎＰ衬底；由ｎ－型ＩｎＰ层或者ｎ－型ＡｌＩｎＡｓ层组成的ｎ涂层；由ｎ－型ＧａＩｎＡｓＰ层或者ｎ－型ＡｌＧａＩｎＡｓ层组成的ｎ光波导...
1997年12月24日
31
半导体波导型感光元件及其制造方法　[申请号/专利号：97190702]
申请人/专利权人：古河电气工业株式会社
提供一种其漏电流受到抑制，暗电流特性优异的半导体波导型感光元件及其制造方法，该半导体波导型感光元件所具有的半导体波导，在半导体衬底上形成一依次淀积有：ｐ型或ｎ型第一半导...
1998年10月7日
32
突起的硅光电二极管　[申请号/专利号：200610108557]
申请人/专利权人：豪威科技有限公司
本发明提供了一种ＰＩＮ型光电二极管，其包括用作钝化层的突起的硅外延层。这使得Ｎ↑［－］区域靠近硅基体的表面，增强了Ｎ↑［－］区域到传输门电路的链接。本发明的光电二极管包...
2007年4月4日
33
绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法　[申请号/专利号：01816745]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件（以及形成器件的方法）包括形成在衬底表面上的绝缘体上外延硅（ＳＯＩ）晶片。晶片表面中的隔离沟槽环绕交替的ｐ型沟槽和ｎ型沟槽，并电隔离器件与衬底，由此使器件有效...
2004年10月13日
34
新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池　[申请号/专利号：95207923]
申请人/专利权人：南开大学
本实用新型的名称是新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池，属于非晶硅材料光电器件。现有技术中，采用等离子体辉光放电制备非晶硅光电器件时，有两个问题：一是器件中存在透明导...
35
三色传感器　[申请号/专利号：95196002]
申请人/专利权人：马库斯·伯姆
一种基于非晶硅及其合金的光敏电子元件，它包含二个彼此反向串联连接的ｐ－ｉ－ｎ或ｎ－ｉ－ｐ或肖特基接触结构。有源层按正常方式沿光入射方向安排。在沿光入射方向的第一结构区中...
1997年10月15日
36
平面PIN光电二极管浅台面芯片　[申请号/专利号：200620015280]
申请人/专利权人：深圳飞通光电子技术有限公司
本实用新型提供一种平面ＰＩＮ光电二极管浅台面芯片，其外延片结构包括在ｎ型掺杂的ＩｎＰ衬底上依序外延生长ｎ型掺杂的ＩｎＰ过渡层、不掺杂ＩｎＧａＡｓ吸收层、不掺杂ＩｎＰ腐蚀...
37
δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法　[申请号/专利号：200610135372]
申请人/专利权人：厦门大学、厦门三优光机电科技开发有限公司
δ掺杂４Ｈ－ＳｉＣ　　ＰＩＮ结构紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂ＳｉＣ　　ＰＩＮ结构紫外光电探测器及制法。在ｎ↑［＋］型ＳｉＣ衬底上...
2007年7月18日
38
垂直的PIN或NIP光电二极管和用于与传统CMOS工艺兼容地制造的方法　[申请号/专利号：200580037741]
申请人/专利权人：X-FAB半导体制造股份公司
说明了一种快速光电二极管以及用于在ＣＭＯＳ工艺中制造该快速充电二极管的方法。以ＣＭＯＳ工艺制造或者可以以ＣＭＯＳ工艺制造的集成的ＰＩＮ光电二极管，由相应于具有小于５０ｍ...
2007年11月7日
39
带有偏振状态传感器的光检测器　[申请号/专利号：200580016735]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明包括用于带有偏振状态传感器的光检测器的方法、装置和系统。所述传感器装置包括适于接收光信号（１１６）的吸收层（１０４）；第一电接触件（１２０），其耦合到所述吸收层并...
2007年5月2日
40
光感测元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710105514]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明揭露一种光感测元件及其制造方法，该光感测元件包含一基底、一半导体层设于该基底上、一绝缘层覆盖于该半导体层上、一内层介电层覆盖于该绝缘层上以及二电极形成于部份该内层...
2007年10月24日
41
高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法　[申请号/专利号：200410004027]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：ａ）在ＳＯＩ材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；ｂ）将生长有有源层的ＳＯＩ硅片的背面进行减薄抛光；ｃ...
2005年8月10日
42
沟槽光测器及其形成方法　[申请号/专利号：200510117244]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
通过如下形成沟槽式ＰＩＮ光测器：在半导体衬底中同时蚀刻两组沟槽，宽沟槽的宽度比窄沟槽的宽度的两倍多一个工艺余量；利用牺牲材料共形地填充两种沟槽，该牺牲材料被掺杂有第一掺...
2006年8月16日
43
低寄生电容结构的贯穿式光电二极管　[申请号/专利号：200510085437]
申请人/专利权人：桦晶科技股份有限公司
本发明公开一种贯穿式（ｒｅａｃｈ－ｔｈｒｏｕｇｈ）光电二极管，具有一活动区接线垫（ａｃｔｉｖｅ　　ｂｏｎｄｉｎｇ　　ｐａｄ），形成在光学活动区之上以降低接线垫与基板间的...
2007年1月24日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共42 条信息，当前显示第 1 - 42 条，共1 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号