只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的-钱眼专利分类

半导体器件及其应用　[申请号/专利号：98805624]
申请人/专利权人：西门子公司
一种半导体器件及其应用，该半导体器件尤其以碳化硅（ＳｉＣ）为基，它能迅速地将短路电流限制到一个可接受的电流值上。为此当超过一预定饱和电流时，横向沟道区（２２）被夹断，并...

2000年6月28日

固体放电二极管　[申请号/专利号：95239667]
申请人/专利权人：东南大学
固体放电二极管是一种用于防止雷电浪涌损坏电子设备和器件的保护器，它由在ｎ型硅衬底双面制作硼扩散区和磷扩散区构成，两个磷扩散区位于两个硼扩散区内的两侧，并且有均匀分布的圆...

江苏

固体放电三极管　[申请号/专利号：95239666]
申请人/专利权人：东南大学
固体放电三极管是一种用于防止雷电浪涌损坏电子设备和器件的保护器，它由制作在同一衬底上的两个固体放电二极管构成，衬底一面的两个电极联接成接地极，另一面两电极分别引出，每个...

江苏

电子器件及其制造方法　[申请号/专利号：87106448]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分。使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述...

1988年5月11日

半导体器件及其应用　[申请号/专利号：98804502]
申请人/专利权人：西门子公司
本发明涉及一种半导体器件及其应用，该半导体器件在一个ｎ导电型第一半导体区中包括一个横向沟道区（２２）及接着的一个垂直沟道区（２９）当超过一个预定的饱和电流时横向沟道区（...

2000年5月17日

尤其在短路情况下限制交流电流的设备　[申请号/专利号：98804501]
申请人/专利权人：西门子公司
一种限制交流电流的设备，它包括：ａ）至少一个接入交流电流路径中的半导体装置（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３），它们如此构造或者可如此控制，使得在施加一个正向电压时有正向电流通过它们，...

2000年5月17日

高正压二极管　[申请号/专利号：87200650]
申请人/专利权人：万德鸿
由ＰＮ结构成的单向高正压管ａ和双向高正压管ｂ，具有５伏至几百伏的导通电压值和几安至几百安的额定工作电流值，可广泛适用在摩托车、汽车、拖拉机、风力发电机等作为电压调节元件...

江西

半导体限流器件　[申请号/专利号：96199113]
申请人/专利权人：西门子公司
一种半导体装置，其包括一个水平通道区（２２）和一个在ｎ导电类型的第一半导体区（２）内与之相连接的竖直通道区（２９）。两个通道区都以一个ｐ－ｎ－结的耗尽区（２３）为界。所...

1999年1月20日

一种用于半导体器件的表面耐压区　[申请号/专利号：95108317]
申请人/专利权人：电子科技大学
一种用于半导体器件的表面耐压区，它位于第一种导电类型的衬底（１）之上形成的第二种导电类型（２）的中心部分周围，该耐压区的平均有效第二种导电类型的杂质密度随离开所述第二种...

1996年6月12日

四川

电子器件及其制造方法　[申请号/专利号：85109696]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述...

1986年7月16日

多结半导体器件　[申请号/专利号：85107988]
申请人/专利权人：钟渊化学工业株式会社
一个含有Ｐ—层，ｎ—层和扩散阻挡层的耐热多结半导体器件，其扩散阻挡层提供在Ｐ—层和ｎ—层之间．该半导体器件能够减少由于Ｐ—层和ｎ—层中的掺杂剂原子分别扩散到其它原中所引...

1986年4月10日

电可编程电阻器和方法　[申请号/专利号：200710181926]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了通过使用邻近电阻器的受陷电荷区域中的受陷电荷改变电阻器的电阻值来电编程扩散电阻器的方法和电阻器。在一个实施例中，方法包括在衬底中形成扩散电阻器；邻近扩散电阻...

2008年4月23日

半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程　[申请号/专利号：200710103404]
申请人/专利权人：崇贸科技股份有限公司
本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子...

2007年10月10日

台湾

电阻器元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610162545]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明涉及一种电阻器元件及其制造方法。制造本发明的电阻元件的方法包括：（Ａ）在基板（１０）上形成其顶层是多晶硅层（３０，３２）的多晶硅结构（５０）；（Ｂ）在多晶硅层（３...

2007年6月6日

一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结　[申请号/专利号：03150667]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物ｐｎ结，其ｐ型铟锡氧化物中的铟／锡原子比为０．０１－０．３，ｎ型铟锡氧化物中锡／铟原子比为０．０１－０．３。由于铟锡氧化物是宽禁带半导...

2004年5月5日

杭州

制作多晶硅-多晶硅/MOS叠层电容器的方法　[申请号/专利号：01116626]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种可用作ＢｉＣＭＯＳ器件中的元件的多晶硅－多晶硅／ＭＯＳ叠层电容器，它包含其表面内形成有第一导电型区的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上并覆盖所述第一导电型区的栅氧化...

2001年10月24日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200410088223]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及半导体装置及其制造方法，通过在整个面上溅射钛形成钛层（６）。这样，Ｐ↑［＋］型扩散层（４）通过硅化物阻止层（５）的开口部（５ａ、５ｂ）与钛层（６）接触。之后，...

2005年7月13日

集成电路的静电放电保护布线　[申请号/专利号：02817556]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份有限公司
一种集成电路静电放电保护布线。为了保护高频集成电路（１）免受连接至焊垫（２）的输入／输出终端上的高于正常工作电压的高电压的损害，在该焊垫（２）和该输入／输出终端连同集成...

2004年12月8日

微型机电可变电容器　[申请号/专利号：200510078693]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本申请涉及微型机电可变电容器。其中，在同一衬底上同时制造的相反极性的可动梳状电极被独立致动。这些电极形成为交叉梳状形式以使器件的电容最大化。交叉梳状指之间的侧壁重叠面积...

2006年1月4日

熔丝及其形成方法　[申请号/专利号：200480011464]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
本发明提供一种有源熔丝，其包括用于形成可变电阻器（１０６）和选择晶体管（１１０）的有源熔丝几何结构（１２０）。在一个实施例中，该有源熔丝几何结构形成在半导体衬底（１４０...

2006年7月5日