制造单极型器件的台阶式工艺-钱眼专利分类

电子装置结构及其形成方法、蚀刻及测量蚀刻深度的方法　[申请号/专利号：01818654]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一种在集成电路中形成电子装置结构的方法，其包含：提供基片（１１）；在该基片上形成一钝化层（１３）；在该钝化层中形成多个通孔（１５）；通过等向性蚀刻去除该钝化层下的基片物...

2004年2月11日

联邦

恒压电路　[申请号/专利号：91102782]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种基本上在模拟电路中使用的，作为数／模变换器和模／数变换器必须电路的恒压电路，把已充电的电容器连接到运算放大器输入的一端子上，上述运算放大器输入的另一端与输...

1992年10月14日

韩国

降低高功率晶体管导通电阻的方法　[申请号/专利号：02122490]
申请人/专利权人：华瑞股份有限公司
本发明提供一种降低高功率晶体管导通电阻的方法，特别指一种在晶圆制程中，在晶圆上生长一层垒晶层时，再生长一层再生垒晶层，该再生垒晶层的厚度约为５μｍ～１０μｍ，而其浓度约...

2003年12月31日

台湾

电子器件、组件及制造电子器件的方法　[申请号/专利号：200480017089]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种半导体基板，其包括带有公用电介质层的垂直互连和垂直电容器。该基板可与其它器件适当地结合以形成组件。该基板可在蚀刻处理中制成，该蚀刻处理包括第一侧上的第一步骤、然后在...

2006年7月26日

荷兰

一种纳米晶体管的制备方法　[申请号/专利号：03136105]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种高性能纳米晶体管的制备方法，包括步骤：在导电基片上氧化、生长或沉积绝缘层，制备出所需衬底；在衬底上制备源漏极的金属电极；将纳米材料置于两电极之间且两端分...

2004年11月24日

北京

垂直金属氧化物半导体场效应二极管及制造方法　[申请号/专利号：02814795]
申请人/专利权人：弗拉姆技术公司
此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座（３０４）形成，并具有一个二极管端子（３２４）作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅（３１８）...

2004年11月10日

制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：95120071]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所、夏普公司
本发明涉及一种形成ＴＦＴ的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括卤族氟化物气体的蚀...

1996年10月22日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：95109227]
申请人/专利权人：夏普公司
本发明的半导体器件包含：一具有绝缘性表面的基板及形成于基板的绝缘表面而由具有结晶硅膜所构成的有源区域。该有源区域形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，利用非...

1996年4月17日

形成具有高沟道密度的半导体器件的方法　[申请号/专利号：03149404]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种制造半导体器件１０的方法，通过如下步骤进行：在衬底上形成第一介电层１４０；腐蚀穿透第一介电层以形成沟槽１５０，在沟槽侧壁１６０上具有沟道区１３５；侧向去除相邻于沟道...

2004年1月21日

电容器结构及其形成方法　[申请号/专利号：200480019569]
申请人/专利权人：微米技术有限公司
本发明包括在阻挡层（４８）之上淀积金属氧化物电介质材料（５０）的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同...

2006年8月16日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：98108385]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种高耐压台面型半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，可在台面槽的所有部分上稳定地形成具有足够厚度的绝缘保护层，结果，可减少高耐压特性的离散度，同时能大幅度改善...

1998年11月25日

具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法　[申请号/专利号：200410005258]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该...

2004年9月22日

联邦

具有平行板沟槽电容器的半导体器件　[申请号/专利号：200380104160]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
半导体器件（１０）形成在半导体衬底（１２）上，该半导体衬底的表面（２４）形成有沟槽（１８）。电容器（２０）具有第一极板（２２），该第一极板形成衬底表面上并具有第一和第二...

2006年1月4日

有机半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03816762]
申请人/专利权人：先锋株式会社
本发明提供一种具有夹在源电极和漏电极之间的ｐ型有机半导体层的有机半导体器件，它包括一个形成在所述ｐ型有机半导体层的中间部分中的ｎ型有机半导体层和一个埋置在所述ｎ型有机半...

2005年9月14日

电容器及制造电容器之方法　[申请号/专利号：02823791]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一电容器，其系包括一半导体衬底（１１４），而在该衬底（１１４）之中系形成有一沟渠（１１２ａ、１１２ｂ），并且，该衬底（１１４）系经由该沟渠（１１２ａ、１１２ｂ）而被掺杂...

2005年3月16日

联邦

制造半导体整流器件的方法及所得器件　[申请号/专利号：01143693]
申请人/专利权人：先进功率半导体股份有限公司
垂直半导体整流器件，它包括的第一导电类型衬底在其第一主面上绝缘地形成有多个栅电极，同时在此第一主面的与栅电极相邻的第二导电类型表面区中形成有多个第一导电类型的源／漏区。...

2002年9月4日

垫高源/漏极区的半导体组件制造方法　[申请号/专利号：01110417]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
一种半导体组件制造方法，在基板上形成垫高的源／漏极区域的半导体组件。此源／漏极区域的垫高部在后续的金属硅化制造工艺做为反应的原料，避免消耗源／漏极区中原本存在的硅。形成...

2002年11月6日

台湾

一种单电子晶体管及其制备方法　[申请号/专利号：00133517]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及微电子及微加工方法。本发明提供一种由一维波导及线条栅等组成的单电子晶体管。本发明的单电子晶体管是利用一维波导和线条栅组合形成量子点等技术来制备的。本发明通过“...

2002年6月12日

北京