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钱眼专利首页 > 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 的专利共 737 条
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1
半导体制造装置的气体供给系统　[申请号/专利号：200810091619]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气...
2008年10月15日
2
2008年12月3日
3
一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置　[申请号/专利号：200810019104]
申请人/专利权人：南京大学
改进氢化物气相外延生长ＧａＮ材料均匀性的方法，在ＨＶＰＥ生长过程中，将ＧａＣｌ或者ＮＨ３源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板...
2008年10月8日
4
基板处理装置用的部件及保护膜形成方法　[申请号/专利号：200710141839]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材（５６）的散热板（３６）连接于直流电源的阳极，...
2008年4月2日
5
变容二极管用硅外延材料制备方法　[申请号/专利号：200810055078]
申请人/专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
本发明涉及一种二极管用外延材料的制备方法，尤其是一种变容二极管用硅外延材料制备方法，该方法通过采用三次ＨＣｌ原位腐蚀工艺，并控制ＨＣｌ与Ｈ↓［２］的比例，将晶片制作过程...
2008年10月29日
6
快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法　[申请号/专利号：200710133452]
申请人/专利权人：南京大学、苏州大学
本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的...
2008年4月9日
7
氮化物半导体发光器件的制造方法　[申请号/专利号：200810090009]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述ｎ型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触...
2008年10月1日
8
2008年12月10日
9
2008年11月26日
10
半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法　[申请号/专利号：200810092532]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种能够抑制半导体膜的膜质不稳定的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：导入半导体的材料气体的工序；将材料气体的气氛压力调压至规定...
2008年10月22日
11
2008年12月3日
12
大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法　[申请号/专利号：200810019103]
申请人/专利权人：南京大学
大尺寸非极性面ＧａＮ自支撑衬底制备方法，在ＨＶＰＥ生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为５００－８００℃，然后升温至生长温度开始生长ＧａＮ，生长温度...
2008年10月8日
13
2008年5月28日
14
2008年5月28日
15
等离子体处理装置及其运转处理方法和电子装置制造方法　[申请号/专利号：200710192987]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、国立大学法人东北大学
本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置，利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介...
2008年4月16日
16
一种纳米硅薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200710190436]
申请人/专利权人：苏州科技学院
一种涉及半导体微电子和光电子器件中纳米硅薄膜的制备方法，采用射频感应耦合等离子体系统设备（ＩＣＰ），利用ＲＦ（射频）感应耦合等离子体化学气相沉淀方法，在单晶硅片或绝缘层...
2008年4月30日
17
半导体处理用的热处理装置　[申请号/专利号：200710140224]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆...
2008年2月6日
18
处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置　[申请号/专利号：200710154446]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构（３）包括：用于向作为收...
2008年4月9日
19
等离子体处理装置　[申请号/专利号：200710180882]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种等离子体处理装置，包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔具有一底部，而基座设置于真空腔的底部，下电极则设置于基座上。基座与真...
2008年3月12日
20
气化装置和半导体处理系统　[申请号/专利号：200710147868]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，该装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内...
2008年3月5日
21
传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法　[申请号/专利号：200710154403]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法。其能在短时间内供给使载置台与玻璃基板间的空间变成设定压力的量的传热气体，并能将该空间正确保持在设定压力。传...
2008年4月2日
22
2008年12月10日
23
半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法　[申请号/专利号：200810091254]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规...
2008年10月29日
24
处理系统、处理方法和计算机程序　[申请号/专利号：200810092098]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置（１）中设有多个向收容半导体晶片（Ｗ）的反应管（２）内供给处理气体的气体供给管（１６～２...
2008年9月10日
25
一种无掩膜半导体外延片制作方法　[申请号/专利号：200710030020]
申请人/专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
本发明是一种无掩膜半导体外延片制作方法，先在蓝宝石衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长出缓冲层，利用微影技术在缓冲层表面显影出一定图形再按照上述图形在缓冲层上刻蚀出图形窗口，然后...
2008年3月26日
26
一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法　[申请号/专利号：200710009955]
申请人/专利权人：厦门大学
一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种ｐ型氮化镓（ｐ－ＧａＮ）。提供一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法。将（０００１）取向的蓝宝石衬底装入反应室，在Ｈ↓［２］...
2008年5月21日
27
等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质　[申请号/专利号：200710162644]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时，使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上，...
2008年4月30日
28
基于Al*O*衬底的GaN薄膜的生长方法　[申请号/专利号：200710018353]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种基于Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底的ＧａＮ薄膜的生长方法。主要解决现有技术低温插入ＡｌＮ层生长过程中产生的过多热应力问题。本发明的ＧａＮ薄膜生长过程是：将Ａ...
2008年3月12日
29
微波等离子体处理装置、电介质窗制造方法和微波等离子体处理方法　[申请号/专利号：200710163060]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、国立大学法人东北大学
本发明提供一种抑制气体的流速的微波等离子体处理装置。微波等离子体处理装置（１００）具有：通过缝隙天线（３０）透过微波的由多个电介质零件（３１０）构成的电介质窗；固定在梁...
2008年4月2日
30
2008年6月4日
31
具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710129230]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过ＲＦ溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非...
2008年1月2日
32
基板处理装置及基板处理方法　[申请号/专利号：200810002399]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能简单且高效率地加热绝缘性基板的表面部分且对其进行规定的处理。在基板（１０）表面上形成导电薄膜（２０），在该导电薄膜（２０）上...
2008年7月23日
33
用于气体供给设备的喷头　[申请号/专利号：200710146444]
申请人/专利权人：阿维扎技术公司
一种用于气体供给设备的喷头。该喷头包括在一侧具有分布盘的主体以及包含在该主体中的至少一个气体腔。多个孔从分布盘的外表面垂直地延伸到所述腔。另外，至少一个孔的至少一部分沿...
2008年5月7日
34
半导体制造方法及半导体激光元件制造方法　[申请号/专利号：200710182153]
申请人/专利权人：夏普株式会社
在使未掺杂Ｍｇ的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层结晶生长之后，在使Ｍｇ掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从Ⅲ族元素原料容器向反应区域（反应炉）供给Ⅲ族元素原料ＴＭＧ...
2008年3月5日
35
2008年1月30日
36
2008年1月30日
37
成膜装置及其使用方法　[申请号/专利号：200710192998]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，...
2008年4月9日
38
2008年1月9日
39
半导体处理装置　[申请号/专利号：200710123074]
申请人/专利权人：IPS有限公司
一种装置，用于半导体处理，能够执行在例如晶圆的基片的表面上的例如蚀刻、沉积等的半导体处理。该装置用于半导体处理，包括：反应室，具有通道，要被处理的基片从中传送通过；一个...
2008年1月2日
40
生长氮化镓晶体的方法　[申请号/专利号：200710138204]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板（Ｕ）上部分地形成掩膜（Ｍ），其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜（Ｍ）的基底基板（Ｕ）上外延...
2008年3月19日
41
热处理装置　[申请号/专利号：200710152463]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，...
2008年4月16日
42
薄膜半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710186006]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使在低的基板温度下也能维持成膜速度而把结晶性硅薄膜在基板上成膜，这样把结晶性硅薄膜直接向基板上成膜在生产上实用化，而且谋求通过...
2008年5月21日
43
衬底支持装置及薄膜晶体管阵列面板的制造方法　[申请号/专利号：200710085443]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种衬底支持装置及薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述衬底支持装置包括：支持所述衬底的基座；形成在所述基座边缘的支持部；和与所述支持部交迭的遮蔽框架。...
2008年3月19日
44
外延晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710148267]
申请人/专利权人：胜高股份有限公司
本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在１００℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的...
2008年3月12日
45
金属有机汽化和供给设备　[申请号/专利号：200710112134]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社、创研工业株式会社
一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路...
2007年12月26日
46
生长氮化镓晶体的方法　[申请号/专利号：200710110258]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底（Ｕ）上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模（Ｍ）的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模（Ｍ）的地衬底（Ｕ）上外延...
2007年12月12日
47
电感耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法　[申请号/专利号：200710104631]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种不更换天线，不提高装置成本和电力成本，并且能够进行高精度的等离子体密度分布控制的电感耦合等离子体处理装置。在处理室（４）的上方经由电介体壁（２）配置着高频...
2007年11月21日
48
用于校正外延基座位置的工具　[申请号/专利号：200720144102]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本实用新型公开了一种用于校正外延基座位置的工具，包括由特氟龙材料制成的Ｔ形工具，Ｔ形工具顶部为平面，Ｔ形工具两翼之间存在高度差。本实用新型结构简单，应用简便而且不受操作...
49
半导体处理用的成膜方法和装置　[申请号/专利号：200710147867]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合...
2008年3月5日
50
立式等离子体处理装置和半导体处理方法　[申请号/专利号：200710095828]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同...
2007年10月10日
 

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