在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择-钱眼专利分类

一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺　[申请号/专利号：200810054663]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化...

2008年9月24日

河北

布线板和半导体器件　[申请号/专利号：200810003253]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种布线板和半导体器件，在所述布线板中电子部件经由凸点安装在主表面上，并且所述电子部件周围的至少一部分被树脂覆盖，所述布线板包括：阻挡物，设置在所述布线板的主表面上安装...

2008年8月6日

一种进行电极剥离的方法　[申请号/专利号：200710150996]
申请人/专利权人：天津工业大学
本发明一种进行电极剥离的方法，采用氮化硅和二氧化硅组成的双层膜技术，利用溅射剥离工艺实现金属电极的制作，属于光通讯领域以及半导体领域。本发明利用氮化硅与二氧化硅在缓冲二...

2008年7月30日

天津

制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200810109564]
申请人/专利权人：富士通株式会社
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2008年12月3日

基板载置机构和具备该基板载置机构的基板处理装置　[申请号/专利号：200810109823]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
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2008年12月3日

一种定点沉积介质颗粒的方法　[申请号/专利号：200710048118]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：ａ．在半导体器件的介质层上涂...

2008年3月26日

上海

制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件　[申请号/专利号：200810110641]
申请人/专利权人：日产自动车株式会社
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2008年12月10日

在含有电介质材料的硅形成中改进的空隙填充沉积　[申请号/专利号：200810085427]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明涉及包含电介质材料的硅的形成中改进的空隙填充沉积，其公开了一种用于在形成于衬底上的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法，其中，所述方法包括将氢气和氧气与水蒸气生...

2008年11月12日

包括阻挡金属和涂布膜的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109142]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
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2008年11月26日

绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200810081085]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种绝缘膜的制造方法，该绝缘膜可以使用非光感性的硅氧烷树脂且通过湿蚀刻法形成为所希望的形状。该制造方法包括：以在有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液...

2008年9月3日

在还原气氛下固化介电膜　[申请号/专利号：200710142193]
申请人/专利权人：气体产品与化学公司
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2008年1月9日

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710128129]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
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2008年1月16日

立式热处理装置及其使用方法　[申请号/专利号：200710128118]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
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2008年1月9日

用于形成浅沟渠隔离区的方法　[申请号/专利号：200710123112]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种用于形成浅沟渠隔离区的方法。此方法包括在所提供的基底上方依次形成衬垫氧化物层和氮化硅层的步骤。接下来，部分蚀刻衬垫氧化物层、氮化硅层以及基底以形成沟渠。接着，在沟渠...

2008年1月2日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710100937]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含（Ｈｆ↓［ｚ］Ｚｒ↓［１－ｚ］）↓［ｘ］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－ｙ...

2007年10月31日

形成介电结构的方法以及半导体结构　[申请号/专利号：200810005454]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低...

2008年8月13日

提高两个不同层之间粘附强度的半导体结构和方法　[申请号/专利号：200810002918]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种在低ｋ电介质层与包含电介质的衬底之间具有提高粘附强度的机械坚固的半导体结构。特别地，本发明提供一种结构，其包括包含电介质的衬底，该衬底具有包括与衬底化学和物理不同的...

2008年7月30日

半导体处理用的热处理方法和装置　[申请号/专利号：200810095113]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体...

2008年9月3日

半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200710153182]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：步骤Ａ，提供衬底，该衬底包含在其中形成的隔离区；步骤Ｂ，在该衬底及部分的隔离区上形成介电层，该介电层具有第一厚度；步骤...

2008年4月2日

半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710180918]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极／漏极区域；一预定区域，连接该源极／漏极区域；以及一光致抗...

2008年4月16日

立式等离子体处理装置和半导体处理方法　[申请号/专利号：200710095828]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同...

2007年10月10日

基板处理装置、基板处理方法　[申请号/专利号：200710106399]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
本发明提供一种基板处理装置，能够适当地进行药液溶解回流处理及其后的第三除去处理（主要为再显影处理）。基板处理装置（１００）一体地具有：搬送所述基板的基板搬送机构（１２）...

2007年12月5日

半导体装置的制造方法和半导体装置　[申请号/专利号：200710091615]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种半导体装置的制造方法和半导体装置。所述方法包括：在其表面侧具有第一导电层的衬底上方形成绝缘膜的第一步骤；采用包含碳或硅的气体进行对绝缘膜的等离子体处理的...

2007年10月10日

等离子体处理装置及其运转处理方法和电子装置制造方法　[申请号/专利号：200710192987]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、国立大学法人东北大学
本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置，利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介...

2008年4月16日

半导体器件和制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710090652]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、NEC液晶技术株式会社
本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中...

2007年11月7日

集成工艺调制一种利用HDP-CVD间隙填充的新型方法　[申请号/专利号：200710090263]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了一种用于在设置于工艺腔室内的衬底上沉积氧化硅薄膜的工艺。将包括卤素源、流动气体、硅源和氧化气体的工艺气体流入工艺腔室中。具有离子密度至少为１０↑［１１］离子...

2007年11月28日

具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710092027]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的４族选择的且具有小于大约０．５厘米每秒（ｃｍ↑［２］／ｓ）的热扩散率的...

2008年4月2日

用于精细电路形成的印刷电路板的制造方法　[申请号/专利号：200710098177]
申请人/专利权人：三星电机株式会社
本发明披露了一种制造用于形成精细电路的印刷电路板的方法，其中通过机械抛光随后通过化学蚀刻去除形成在电路图案上部的非必要金属层。在本发明的方法中，代替昂贵的化学机械抛光，...

2007年11月14日

发光装置和制造该种发光装置的方法　[申请号/专利号：200810083376]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明公开了一种发光装置（１），该发光装置包括绝缘衬底（３，３２）和形成在绝缘衬底（３，３２）上的发光单元（２），发光单元（２）包括：在绝缘衬底（３，３２）上相互平行设...

2008年9月17日

绝缘栅场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810074317]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：（ａ）准备基底，该基底包括源／漏区域、沟道形成区域、形成在沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖源／漏区...

2008年8月20日

传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法　[申请号/专利号：200710154403]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法。其能在短时间内供给使载置台与玻璃基板间的空间变成设定压力的量的传热气体，并能将该空间正确保持在设定压力。传...

2008年4月2日

热处理装置、热处理方法、计算机程序及存储介质　[申请号/专利号：200710141870]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种立式热处理装置，实现装载时反应管的内壁的温度稳定化，抑制例如附着在内壁上的膜剥落，减少颗粒污染。使用该热处理装置的热处理方法，预先在反应管的内壁上安装内壁...

2008年2月20日

平衡硅片应力的后道互连实施方法　[申请号/专利号：200710172269]
申请人/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
本发明公开了一种平衡硅片应力的后道互连实施方法，涉及半导体集成电路制造工艺技术领域。现有的后道互连实施方法容易产生很大的应力，给后续工艺步骤增加难度，甚至引起硅片翘曲以...

2008年5月21日

上海

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710148559]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开一种半导体器件，其包括：下层，其在顶表面上具有不平坦区域；介质阻挡层，其设置在下层上，并具有平坦的顶表面；以及层间介质层，其设置在该介质阻挡层上，并具有平坦的...

2008年3月5日

一种半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710169212]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种半导体结构，包括紧邻并连接半导体结构内的拓扑特征的侧壁的多层间隔件。所述多层间隔件包括被层压到第二间隔件亚层上的含有沉积的硅氧化物材料的第一间隔件亚层，第二间隔件亚...

2008年5月21日

外延晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710148267]
申请人/专利权人：胜高股份有限公司
本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在１００℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的...

2008年3月12日

热处理装置　[申请号/专利号：200710152463]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，...

2008年4月16日

等离子体处理装置和等离子体处理方法　[申请号/专利号：200710093621]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、国立大学法人东北大学
本发明提供一种微波等离子体处理装置（１００），使通过多个缝隙（３７）的微波透过由梁（２６）所支撑的多枚电介质零件（３１），利用透过的微波使气体等离子体化，对基板Ｇ进行等...

2007年10月3日

等离子体处理装置和方法　[申请号/专利号：200710089461]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、国立大学法人东北大学
一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定...

2007年9月26日

半导体封装制造方法及半导体器件　[申请号/专利号：200710165691]
申请人/专利权人：因特格瑞特科技有限公司
本发明提供了一种半导体封装制造方法，该方法包括：在衬底上成形金属电路图案；将一集成电路单元连接于所述金属电路图案上；在所述衬底、所述金属电路图案及所述集成电路单元上形成...

2008年5月7日

薄膜半导体装置、显示装置及薄膜半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710153197]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明的目的在于提供一种薄膜半导体装置及显示装置，通过对污染物质的阻断作用强且能够通过氢供给而对多晶硅膜进行缺陷修补的层间绝缘膜，而覆盖多晶硅膜，从而具有稳定的优良特性...

2008年4月2日

用于形成接触孔的掩模　[申请号/专利号：200710141970]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明的实施例涉及一种用于形成接触孔的掩模，在所述的掩模中，在用于形成接触孔的光刻处理中，用于形成接触孔的掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大...

2008年2月20日

贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法　[申请号/专利号：200810083464]
申请人/专利权人：富士胶片株式会社
一种贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法，该方法包括：在具有由塑料制成的湿润表面的容器中贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液，并且所述的涂布溶液含...

2008年9月17日

半导体处理用的热处理装置　[申请号/专利号：200710140224]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆...

2008年2月6日

等离子体处理装置　[申请号/专利号：200710180882]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种等离子体处理装置，包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔具有一底部，而基座设置于真空腔的底部，下电极则设置于基座上。基座与真...

2008年3月12日

半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200710138353]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩...

2008年2月6日

处理聚硅氮烷膜的方法　[申请号/专利号：200710196360]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
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2008年6月4日

形成绝缘膜的方法　[申请号/专利号：200710142216]
申请人/专利权人：富士电机控股株式会社
本发明的一个目的是提供一种形成绝缘膜的方法。该方法减少与周边电极相邻的器件元件之上抗蚀膜的高度差（隆起），并限制器件元件端部的凸起部分上的抗蚀膜厚度的减小。在此方法中，...

2008年2月27日

碳化硅半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200710181219]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种具有ＭＯＳ结构的碳化硅半导体器件的制造方法，包括制备由碳化硅制成衬底（１），以及形成沟道区域（４）、第一杂质区域（６，７）、第二杂质区域（１，１３）、栅极绝缘层（８...

2008年5月7日