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钱眼专利首页 > 包含有碲或硒或硫的 的专利共 22
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2008年1月9日
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一种Sb*S*热电薄膜的制备方法 [申请号/专利号:200610043156]
申请人/专利权人:陕西科技大学
一种Sb↓[2]S↓[3]热电薄膜的制备方法,首先将氯化锑SbCl↓[3]、硫脲SC(NH↓[2])↓[2]分别溶解于蒸馏水中配制成氯化锑溶液,然后将SbCl↓[3]和...
2007年1月31日
5
帕尔帖元件或塞贝克元件的结构及其制造方法 [申请号/专利号:200580035593]
申请人/专利权人:株式会社明电舍、近藤义臣、岩泽直孝
一种包括具有不同的塞贝克系数的第1和第2导电部件的帕尔帖或塞贝克元件。为了减小从每个导电部件中的一个到另一个的热传导,在长度方向上的中间部分的横截面面积小于两个端部的横...
2007年9月26日
6
热电材料及其制备方法 [申请号/专利号:02159571]
申请人/专利权人:雅马哈株式会社
本发明公开了一种热电材料,其通过下述方法制备,包括:液体淬火(S4);初始凝固(S6)如热压或挤出;以及顶锻法(S7)。尽管在热压/挤出过程中,晶粒的C-平面平行于施加...
2003年6月25日
7
一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法 [申请号/专利号:200810106202]
申请人/专利权人:北京科技大学
一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速...
2008年9月24日
8
热电半导体材料,及其制造方法和用该材料的热电微型组件及热锻造方法 [申请号/专利号:97198779]
申请人/专利权人:株式会社小松制作所、小松电子株式会社
本发明的目的是提供一种具有充分强度与性能的、制造成品合格率高的热电半导体材料。本发明的特征是通过热锻造具有菱形结构(六面体晶体结构)的热电半导体粉末烧结材料并使其塑性变...
1999年10月27日
9
热电器件及其制造方法 [申请号/专利号:97191237]
申请人/专利权人:松下电工株式会社
一种热电器件在Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度,用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb...
1998年11月25日
10
一种热电材料制成的铸板 [申请号/专利号:98800020]
申请人/专利权人:松下电工株式会社、克莱思特有限公司
由可劈裂热电材料制成的铸板(10)呈现一种具有多个劈裂面的层状结构,基本上所有的劈裂面都被设置在相对于上、下表面呈一小劈裂角的方位上。该铸板能沿基本垂直于劈裂面的破裂面...
1999年5月5日
11
热电材料、热电元件及热电模块及它们的制造方法 [申请号/专利号:200480024219]
申请人/专利权人:京瓷株式会社
本发明提供一种与P型相比同等以上地提高性能指数的N型热电材料,该N型热电材料以Bi、Sb中的至少一种及Te、Se中的至少一种作为主成分,含有溴(Br)及碘(I),具有与...
2006年9月27日
12
一种非晶/纳米晶复合热电材料及其制备方法 [申请号/专利号:200610053779]
申请人/专利权人:浙江大学
本发明公开的非晶/纳米晶复合热电材料,是在表达式为Ge↓[20]Sb↓[x]Te↓[80-x]的非晶基体中分布着大小在5-20nm的GeTe和Te的纳米晶颗粒,式中0≤...
2007年3月28日
13
含银的P型半导体 [申请号/专利号:200580033946]
申请人/专利权人:密歇根州州立大学托管委员会
一种热电组合物,包括由通式(Ag↓[a]X↓[1-a])↓[1±x](Sn↓[b]Pb↓[1-b])↓[m]M↓[1-y]′Q↓[2+m]表示的材料,其中X是Na、K或...
2007年9月12日
14
Ag-Pb-Sb-Te热电材料及其制备方法 [申请号/专利号:200510114218]
申请人/专利权人:清华大学、日本丰田汽车株式会社
本发明公开了属于新能源材料及其制备技术领域,涉及具有高温差电效应的热电半导体化合物的一种Ag-Pb-Sb-Te热电材料及其制备方法。本发明采用机械合金化(MA)结合放电...
2006年4月5日
15
一种二氧化碳激光焊接装置 [申请号/专利号:200510101185]
申请人/专利权人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种二氧化碳激光焊接装置,其包括一二氧化碳激光器、一控制器、一透镜系统及一载台,所述二氧化碳激光器用于产生激光,所述控制器用于控制所述激光器的运行,所述透镜系...
2007年5月16日
16
热电半导体材料、由该热电半导体材料制作的热电半导体元件、使用该热电半导体元件的热 [申请号/专利号:200480019353]
申请人/专利权人:石川岛播磨重工业株式会社
调制对(Bi-Sb)↓[2]Te↓[3]系的组成加入了过剩的Te的金属混合物,使金属混合物熔融后,借助圆周速度为5m/秒以下的冷却辊的表面使其凝固成厚度为30μm以上,...
2006年8月9日
17
小功率热电发生器 [申请号/专利号:200480017390]
申请人/专利权人:应用数字解决方案公司
公开了一种用于热电发生器(10)的箔段,热电发生器(10)包括按照分隔关系设置在底板(12)上的顶板(14)。箔段阵列(16)以并排排列的形式垂直地设置在底板和顶板之间...
2006年9月20日
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用于热电发电器或珀尔帖装置的Pb-Ge-Te化合物 [申请号/专利号:200480012736]
申请人/专利权人:巴斯福股份公司、密执安州大学
一种由一般分子式(Pb↓[1-x]Ge↓[x])Te的三元化合物构成的热电活性p型或n型导电半导体材料,其中x从0.16至0.5取值,其中0至10重量%的所述三元化合物...
2006年6月14日
19
增强界面热电冷却器 [申请号/专利号:01819960]
申请人/专利权人:国际商业机器公司
提供一种提高冷却效率的具有增强结构化界面的热电器件。在一个实施例中,该热电器件包括包含p型热电材料的超晶格的第一热元件和包含n型热电材料的超晶格的第二热元件。第一热元件...
2004年2月25日
20
增强界面热电冷却器 [申请号/专利号:01819959]
申请人/专利权人:国际商业机器公司
提供一种效率改进的热电器件。在一个实施例中,热电器件包括第一热元件和与第一热元件电耦接的第二热元件。第一尖端阵列在第一组离散点处物理接近第一热元件(但是不一定与其物理接...
2004年2月25日
21
热电设备 [申请号/专利号:01818485]
申请人/专利权人:国际商业机器公司
提供了一种效率更高的热电设备。在一种实施方案中,该热电设备包括与冷板热耦合的电导体和与该电导体电耦合的热电偶。热电偶由热电材料构成并且有多个触点,热电偶通过这些触点与电...
2004年12月1日
22
同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法 [申请号/专利号:200810059880]
申请人/专利权人:杭州电子科技大学
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套,二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是:将原料加入反应容器中,加入蒸馏水、硼氢化钾、...
2008年8月6日
23
热电变换装置及其制造方法 [申请号/专利号:200580019550]
申请人/专利权人:株式会社电装
热电变换装置,具备将多个P型热电元件(12)和多个N型热电元件(13)排列成规定的排列形状后构成的热电元件组装体(10)、多个热交换元件(22、32)和保持这些热交换元...
2007年5月23日
24
一种发光容器 [申请号/专利号:200310109285]
申请人/专利权人:浙江大学
本发明提供了一种借助热电材料实现发光功能的发光容器。在容器的外表设置与其紧贴的密封发光装置,其发光装置包括热电转换器件及发光器件,热电转换器件的电极与发光器件相联,构成...
2004年11月17日
 

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