改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割-钱眼专利分类

连续逆压印图型直接转移式制造图案化磁记录介质的方法　[申请号/专利号：200710018124]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明公开了一种连续图型直接转移式图案化磁记录介质的制造方法，适用于高密度磁存储类器件的制作。利用已经图型化的圆柱形压印模具，通过微接触逆压印技术，将模具微结构凸面的光...

2007年11月21日

西安

晶圆抛光用清洗剂　[申请号/专利号：200810011689]
申请人/专利权人：大连三达奥克化学股份有限公司
本发明提供一种制备方法简单、成本低、对环境无污染且可满足线宽尺寸９０ｎｍ甚至更小的晶圆抛光清洗要求的晶圆抛光用清洗剂。原料及重量配比是表面活性剂５％～１５％、有机碱０．...

2008年10月22日

大连

晶圆研磨用清洗剂　[申请号/专利号：200810011688]
申请人/专利权人：大连三达奥克化学股份有限公司
本发明公开一种制备方法简单、成本低、对环境无污染且可满足直径为３００ｍｍ晶圆研磨清洗要求的晶圆研磨用清洗剂。所用原料及重量百分比是表面活性剂５％～２０％，含氟羧酸０．１...

2008年10月22日

大连

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810125405]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
...

2008年12月10日

用于化学机械抛光的抛光浆液和方法　[申请号/专利号：200680002121]
申请人/专利权人：克莱麦克斯工程材料有限公司
本发明提供了用于化学机械抛光的水性抛光浆液，可有效地在高抛光速率下对铜进行抛光。本发明的水性浆液可以包含溶解在氧化剂中的可溶性钼盐和溶解在氧化剂中的钼酸。通过化学机械平...

2008年1月9日

美国

基板处理装置　[申请号/专利号：200810094841]
申请人/专利权人：大日本网目版制造株式会社
本发明的基板处理装置是一种用于对基板边缘部进行清洗处理的基板处理装置。该基板处理装置具有：基板保持机构，其用于保持基板；刷子，其具有清洗面，所述清洗面相对纵向倾斜，所述...

2008年10月29日

半导体材料微纳多尺度功能表面激光造型方法　[申请号/专利号：200810019369]
申请人/专利权人：江苏大学
半导体材料微纳多尺度功能表面激光造型方法，涉及微纳米材料制备和激光微加工技术领域，本发明的目的是以半导体材料为基体、通过多尺度表面微造型及微结构表面处理的系统性工艺设计...

2008年7月16日

江苏

半导体晶片激光刻蚀开沟方法　[申请号/专利号：200810018637]
申请人/专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
一种半导体晶片激光刻蚀开沟方法，其特征在于：利用激光束垂直辐射半导体晶片表面，伴随激光束与半导体晶片之间的相对移动，在移动路径上激光束以熔化并蒸发的方式刻蚀辐射区表层的...

2008年8月20日

江苏

具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法　[申请号/专利号：200810033062]
申请人/专利权人：上海申和热磁电子有限公司、上海汉虹精密机械有限公司
本发明涉及一种具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法。本硅片的边缘轮廓包括从硅片上表面环绕过硅片先端面至硅片下表面的轮廓，硅片先端面轮廓为一直线，硅片上表面至硅片先端面之...

2008年7月23日

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法　[申请号/专利号：200810008534]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
提供一种能够增强衬底ＰＬ强度的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法。在这种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法中，首先，抛光晶片３的表面３ａ（抛光步骤）。其次，清洗晶片３的表面...

2008年8月13日

等离子体发生装置及使用这种装置的工件处理装置　[申请号/专利号：200710148035]
申请人/专利权人：诺日士钢机株式会社
本发明提供一种等离子体发生装置以及使用这种装置的工件处理装置，该等离子体发生装置包括：微波发生部，生成微波；气体供给部，提供等离子体化的气体；等离子体发生喷嘴，包括接收...

2008年3月5日

半导体晶圆背面加工方法,衬底背面加工方法,和辐射固化型压敏粘着片　[申请号/专利号：200710142780]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
本发明涉及半导体晶圆背面加工方法，该方法包括在半导体晶圆的正面施用辐射固化型压敏粘着片，该辐射固化型压敏粘着片包括基材膜和在该基材膜的一侧上布置的压敏粘着剂层，所述半导...

2008年3月5日

通孔加工方法　[申请号/专利号：200710149167]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种通孔加工方法，其能够不熔融焊盘而在晶片基板上形成到达焊盘的通孔。在上述通孔加工方法中，从基板背面侧对晶片照射脉冲激光光线而形成到达焊盘的通孔，上述晶片在基...

2008年3月12日

晶片的加工方法　[申请号/专利号：200710142766]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
一种晶片的激光加工方法，其特征在于，在晶片的器件区域和外周剩余区域的边界部形成分离槽，该晶片具有在表面形成了多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，该激光加工方...

2008年2月27日

多晶硅介质平坦化的方法　[申请号/专利号：200710078625]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
本发明公开了一种多晶硅介质平坦化的方法，用于集成电路制造工艺中的介质平坦。该方法步骤包括：１．在带有槽的硅片上生长２００ｎｍ氧化层；２．在生长了所述氧化层上的硅片上淀积...

2008年3月12日

重庆

具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710136016]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周...

2008年2月13日

切割用压敏粘着带或片和拾取被加工物的切断片的方法　[申请号/专利号：200710146958]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
...

2008年5月28日

基板处理装置和基板处理方法　[申请号/专利号：200710148564]
申请人/专利权人：大日本网目版制造株式会社
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置包括：基板保持单元，其用于保持基板；推拉板，其以隔开间隔的方式与所述基板保持单元所保持的基板的一个面相对向配置，...

2008年3月5日

用于半导体晶片的碱性蚀刻溶液和碱性蚀刻方法　[申请号/专利号：200710141654]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明提供一种碱性蚀刻溶液，其即使在传统上广泛使用的相对低的碱性浓度下仍能够提高表面粗糙度、一种使用所述溶液的碱性蚀刻方法、一种制造硅晶片的方法、和一种通过所述方法获得...

2008年4月9日

化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法　[申请号/专利号：200710104113]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物...

2007年11月21日

制备抛光的半导体的方法　[申请号/专利号：200710102176]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种制备半导体晶片的方法，将所述半导体晶片从晶体切割，并对其实施从所述半导体晶片的正面和背面去除材料的一系列加工步骤，其包括以下加工步骤：机械加工步骤，蚀刻步...

2007年11月7日

一种重掺砷衬底的硅外延方法　[申请号/专利号：200710061685]
申请人/专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
本发明公开了一种制造硅外延片的方法，即一种重掺砷衬底的硅外延方法。它是在常规“二步外延法”重掺砷衬底硅外延工艺的基础上，在“第二次用大流量Ｈ↓［２］冲洗”时，向冲洗的Ｈ...

2007年9月5日

河北

重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法　[申请号/专利号：200710061684]
申请人/专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
...

2008年1月23日

河北

集成微热沉系统及其制备方法　[申请号/专利号：200710041126]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明涉及一种集成微热沉系统及其制备方法，由玻璃片和硅片键合而成，在硅片的一个面上加工有均匀平行分布的微型冷却通道，另一面的氧化膜层上与微型冷却通道对应的区域中，纵向布...

2007年12月12日

扩散抛光片单侧主扩散制作方法　[申请号/专利号：200710055275]
申请人/专利权人：吉林华微电子股份有限公司
一种扩散抛光片单侧主扩散制作方法，属于半导体器件制造工艺技术领域。现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈Ｎ↑［＋］－...

2007年9月5日

吉林

一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法　[申请号/专利号：200610119211]
申请人/专利权人：上海合晶硅材料有限公司、栾兴伟
一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法，它是利用硅单晶切磨加工后自身形成的损伤层，对其进行控制腐蚀（包括碱腐蚀、酸腐蚀或酸碱混合腐蚀）或控制抛光加工，通过控制腐蚀量或...

2007年8月22日

衬底处理设备和衬底处理方法　[申请号/专利号：200610111072]
申请人/专利权人：大日本网目版制造株式会社
一种衬底处理设备，其在部分地形成于腔室中的化学溶液处理室中进行化学溶液处理。在该化学溶液处理的过程中，该衬底处理设备密封该化学溶液处理室，测量该化学溶液处理室中的压力，...

2007年2月21日

半导体晶片及制造半导体晶片的工艺　[申请号/专利号：200610105981]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于０．３μｍ的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：（ａ）提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶...

2007年1月24日

半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备　[申请号/专利号：200610096104]
申请人/专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
本发明涉及一种半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用腐蚀槽、喷淋式预冲槽和阶梯式高低冲水槽配套使用，组成一组设备（系统），用于半导体晶...

2007年4月4日

江苏

半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200610094020]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；所述半导体晶片的所述侧面的至少一部...

2006年12月27日

薄膜形成方法及半导体处理设备　[申请号/专利号：200610093135]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜...

2006年12月27日

具备洗涤装置的加工机　[申请号/专利号：200610093033]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
本发明提供一种具备能减小遮挡开口部的盖部件处于避让状态时的空间、并能防止使盖部件避让时洗涤水落下的洗涤装置的加工机。其具备洗涤装置，洗涤装置具备：上面开口的洗涤外罩；旋...

2006年12月6日

用于去除导电材料的组合物及使用其制造阵列基板的方法　[申请号/专利号：200610092226]
申请人/专利权人：LG.菲利浦LCD株式会社、东进世美肯株式会社
一种用于去除导电材料的组合物以及一种使用该组合物制造阵列基板的方法，其中该组合物可以包括大约３ｗｔ％至１５ｗｔ％的硝酸、大约４０ｗｔ％至７０ｗｔ％的磷酸、大约５ｗｔ％至...

2007年1月10日

韩国

薄化晶片的方法　[申请号/专利号：200610082732]
申请人/专利权人：探微科技股份有限公司
本发明公开了一种薄化晶片的方法。首先，提供晶片。接着利用黏着层将该晶片的正面接合于承载晶片上，该黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带。随后进行薄化工艺，由该晶片的背面薄化该...

2007年11月21日

台湾

制备半导体衬底的方法　[申请号/专利号：200710101162]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表...

2007年11月14日

等离子体发生装置和工件处理装置　[申请号/专利号：200710079921]
申请人/专利权人：诺日士钢机株式会社
本发明的等离子体发生装置包括：微波发生部，生成微波；供气部，提供等离子体化的气体；等离子体发生喷嘴，包含接收所述微波的接收构件，并根据接收到的微波的能量，使所述气体等离...

2007年8月29日

表面波激发等离子体产生装置以及表面波激发等离子体处理装置　[申请号/专利号：200680001441]
申请人/专利权人：株式会社岛津制作所
本发明可有效地产生表面波激发等离子体。表面波激发等离子体产生装置（１０）包括环状导波管（２）以及电介质管（３）。环状导波管（２）包括导入口（２ａ）、终端板（２ｂ）以及底...

2007年12月19日

硅晶片的制造方法　[申请号/专利号：200610159243]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整...

2007年2月21日

基板处理方法及其装置　[申请号/专利号：200610149397]
申请人/专利权人：大日本网目版制造株式会社
本发明提供一种基板处理方法及其装置，该方法是对基板进行处理的基板处理方法，上述方法包括如下工序：加热工序，在氧气环境中对在表面形成有被离子注入过的膜的基板进行加热；除去...

2007年5月30日

晶片抛光方法与晶片抛光设备　[申请号/专利号：200810035252]
申请人/专利权人：薛松生
一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，包括以下步骤：确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出...

2008年9月3日

加工氮化物半导体晶体的方法　[申请号/专利号：200610093295]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体（１）时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体（１）和工具电极（３）之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和...

2006年12月27日

化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法　[申请号/专利号：200610091740]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明涉及化合物半导体衬底，其包括由ｐ型化合物半导体构成的衬底；和包含ｐ型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。...

2006年12月13日

具有改良型夹具的晶片清洗机台　[申请号/专利号：200620049609]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本实用新型提供一种具有改良型夹具的晶片清洗机台。现有的晶片清洗机台的夹具是直角形的，其在固定晶盒的时候，能够卡住晶舟底盘的面积很小，容易产生晶舟底盘没有锁好而松脱，导致...

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法　[申请号/专利号：200610141238]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种用于制造未抛光半导体晶片的方法，包括以下步骤：ａ）拉制半导体材料的单晶，ｂ）将半导体晶片研磨成圆形，ｃ）从该晶体分离半导体晶片，ｄ）磨圆该半导体晶片的边缘...

2007年4月4日

等离子体发生装置和工件处理装置　[申请号/专利号：200710002873]
申请人/专利权人：诺日士钢机株式会社
本发明提供一种等离子体发生装置以及使用该等离子体发生装置的工件处理装置。所述等离子体发生装置包括：装置主体，具有微波发生部以及等离子体发生喷嘴，该微波发生部产生微波，该...

2007年8月29日

阻挡层用抛光液　[申请号/专利号：200710008374]
申请人/专利权人：富士胶片株式会社
根据本发明的一个方面，提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述的抛光液包括其部分表面被铝覆盖的胶体二氧化硅，和氧化剂，其中所述抛光液的ｐＨ为２至７。...

2007年8月8日

激光加工装置　[申请号/专利号：200610148538]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
本发明的激光加工装置，具备：用于保持被加工物的卡盘台、及对保持在卡盘台上的被加工物照射激光光束的激光光束照射机构，该激光光束照射机构具备振荡激光光束的激光光束振荡机构、...

2007年5月23日

剥离聚合物的组合物　[申请号/专利号：200610111192]
申请人/专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
提供了用于从基片（例如电子器件）上去除聚合材料的组合物以及使用该组合物的方法。这些组合物和方法降低了对任何下层金属表面的腐蚀，并特别适于从电子器件基片上去除聚合残留物。...

2007年2月21日

美国

化学机械研磨用水系分散体及研磨方法、调制用的试剂盒　[申请号/专利号：200610056893]
申请人/专利权人：JSR株式会社
本发明提供化学机械研磨用水系分散体及化学机械研磨方法、以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。其中，所述化学机械研磨用水系分散体可以高效地分别研磨各种被研磨物，可...

2006年9月13日