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在不同半导体区域的,如Cu2X/CdX异质结,X为周期表中的Ⅵ族元素
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单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合 [申请号/专利号:02809313]
申请人/专利权人:
康涅狄格州大学
用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构,在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行...
2004年6月23日
美国
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2
形成化合物半导体膜和制作相关电子器件的方法 [申请号/专利号:98102989]
申请人/专利权人:
国际太阳能电子技术公司
一种形成化合物膜的方法,包括步骤:制备源材料,其包括含有ⅠB-ⅢA族合金的颗粒,至少具有一个ⅠB-ⅢA族合金相,ⅠB-ⅢA族合金在所述源材料中构成大于大约50摩尔百分比...
1999年4月7日
美国
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3
负微分电阻场效应晶体管及其电路 [申请号/专利号:02828011]
申请人/专利权人:
普罗格瑞森特技术公司
本发明公开了一种改进型负微分电阻场效应晶体管(NDR-FET)。该NDR-FET包括在衬底(可以是硅或SOI)与栅极绝缘层之间的交界面之上或者极靠近该交界面形成的电荷陷...
2005年5月18日
美国
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