带有高能辐射的-钱眼专利分类

金属-碳化硅欧姆接触的局部退火及其形成的装置　[申请号/专利号：200480030245]
申请人/专利权人：克里公司
用于半导体装置的接触可以通过以下形成：在碳化硅（ＳｉＣ）衬底上形成金属，对ＳｉＣ衬底和金属的界面位置进行退火以因此形成金属－ＳｉＣ材料，并避免在ＳｉＣ衬底位置上的退火进...

2006年11月22日

一种改进大功率双向晶闸管换向能力的方法　[申请号/专利号：91104569]
申请人/专利权人：吉林大学
本发明是一种用１２Ｍｅｖ电子辐照提高大功率双向晶闸管换向能力的方法。通过三种不同方式的辐照和辐照后的退火工艺，来实现器件全面参数的最佳化，这一新工艺可使双向晶闸管的成品...

1992年6月24日

测量带电粒子束分布的方法以及其它相关方法　[申请号/专利号：99110976]
申请人/专利权人：日新电机株式会社
用法拉第检测器阵列分别测量Ｚ坐标上的两个点Ｚ↓［ｆ］和Ｚ↓［ｂ］上沿扫描方向（Ｘ轴方向）的粒子束电流密度分布。利用这样测量到的电流密度分布，通过内插法得到工件Ｚ坐标任意...

2000年3月22日

等离子体掺杂方法　[申请号/专利号：200710127001]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下３个阶段，第１阶段是在真空容器内的试样电极放置试...

2007年12月12日

薄膜处理方法和薄膜处理系统　[申请号/专利号：200610001791]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布ＳＯＤ膜，则如图９（ａ）所示，ＳＯＤ膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成...

2006年7月26日

载流子寿命的轴向调节方法　[申请号/专利号：89108602]
申请人/专利权人：亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
在具有半导体晶体衬底（１）的半导体器件中轴向调节载流子寿命的方法包括下列步骤：（ａ）将杂质原子扩散入半导体衬底，这些杂质原子应具有如下特性，即它们（Ｉ）在晶格格点上易于...

1990年6月13日

2008年1月23日

制造软恢复快速功率二极管的方法及其制造的功率二极管　[申请号/专利号：01122481]
申请人/专利权人：ABB瑞士有限公司
在制造具有软恢复特性（“软恢复”）快速功率二极管（２６）的方法上，在此方法上通过具有轴向分布图的一个第一未掩蔽的辐射（１４）和通过具有横向分布图的一个随后的第二掩蔽的辐...

2002年1月30日

形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法　[申请号/专利号：03104832]
申请人/专利权人：奥博先进科技整合有限公司
一种形成动态准中性束（ｄｙｎａｍｉｃ　ｑｕａｓｉ－ｎｅｕｔｒａｌ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｂｅａｍ）方式减少电子激发能损的方法，其是当一粒子束施加于一目标物的一选定作用区域时...

2004年8月25日

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