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钱眼专利首页 > 有绝缘栅场效应晶体管的组件 的专利共 216 条
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1
一种深沟槽大功率P型MOS器件　[申请号/专利号：200820030791]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
本实用新型涉及一种深沟槽大功率Ｐ型ＭＯＳ器件。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个...
2
2008年12月10日
3
半导体结构　[申请号/专利号：200820001825]
申请人/专利权人：普诚科技股份有限公司
本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属...
4
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810003870]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。Ｎ型ＭＩＳ晶体管ＮＴｒ包括形成在半导体衬底１００的第一活性区域１００ａ上的第一栅极绝缘膜１０５ａ与形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅...
2008年11月19日
5
一种深沟槽大功率N型MOS器件　[申请号/专利号：200820030788]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
本实用新型涉及一种深沟槽大功率Ｎ型ＭＯＳ器件。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个...
6
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810092211]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可提供具有向上漏极的沟槽ＭＯＳ晶体管。该半导体器件可包括：半导体衬底上的第一导电型阱、第一导电型阱上的第二导电型阱、通过除...
2008年10月22日
7
半导体元件及制造方法　[申请号/专利号：200810090722]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有Ｐ型传导性的区域的Ｎ型传导性的半导体材料。Ｎ型传导性的掺杂区在Ｐ型传...
2008年10月22日
8
半导体器件　[申请号/专利号：200810099558]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种半导体器件包括半导体衬底（１０）和衬底上的超结结构。超结结构由交替设置的ｐ型和ｎ型柱区（２０，３０）构成。ｐ型沟道层（４０）形成到超结结构的表面。沟槽栅极结构形成到...
2008年11月19日
9
10
2008年11月26日
11
半导体器件以及方法　[申请号/专利号：200810002202]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明的实施例提供了一种采用双应力ＳＴＩ的器件、方法等等。提供了一种具有这样的衬底的半导体器件，所述衬底具有第一晶体管区域和不同于所述第一晶体管区域的第二晶体管区域。所...
2008年7月9日
12
棋盘式高电压垂直晶体管布局　[申请号/专利号：200810080745]
申请人/专利权人：电力集成公司
本发明涉及棋盘式高电压垂直晶体管布局。在一个实施例中，将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列中的相邻部分被...
2008年8月20日
13
一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810019085]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
本发明涉及一种深沟槽大功率ＭＯＳ器件及其制造方法。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少...
2008年7月9日
14
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810003170]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供即便是随着精细化的发展栅极长度的变化进一步增大的情况下，能够实现安定搭载了高驱动力ＭＩＳＦＥＴ的高性能装置的全硅化物化（ＦＵＳＩ）技术。本发明提供一种半导体装置及其...
2008年9月17日
15
电流镜像电路　[申请号/专利号：200810081371]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
本发明涉及电流镜像电路。提供一种半导体器件，通过利用多晶硅将形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的栅极彼此之间连接以及通过进一步将连接到衬底的熔丝连接到与多晶硅相连的栅极...
2008年8月27日
16
与高压垂直晶体管集成的感测FET　[申请号/专利号：200810080752]
申请人/专利权人：电力集成公司
在一个实施例中，半导体器件包括主垂直场效应晶体管（ＦＥＴ）和感测ＦＥＴ。主垂直ＦＥＴ和感测ＦＥＴ都形成在半导体材料柱上。两者共享形成在衬底之上的柱中的延伸漏极区，并且第...
2008年8月20日
17
一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法　[申请号/专利号：200810023626]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
一种功率沟槽式ＭＯＳ场效应管及其制造方法，其特征在于对ＭＯＳ场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：１．将单胞阵列的边缘单胞外围的Ｐ↑［－］阱直接作为场限...
2008年9月10日
18
MOS结构的功率晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：200810019844]
申请人/专利权人：江苏宏微科技有限公司
本发明涉及一种ＭＯＳ结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层，多晶硅层一端与相邻多晶硅层之间的有源区原胞具有引线...
2008年8月20日
19
带有多晶硅场板的功率MOS场效应管及其制造方法　[申请号/专利号：200810019985]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
一种带有多晶硅场板的功率ＭＯＳ场效应管及其制造方法，其特征在于对ＭＯＳ场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：１．将单胞阵列的边缘单胞外围的Ｐ↑［－］阱直...
2008年9月24日
20
完全硅化区域以提高性能的结构及其方法　[申请号/专利号：200810002203]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及完全硅化区域以提高性能的结构及其方法。公开了包括完全硅化的区域的结构以及相关的方法。在一个实施例中，一种结构包括：衬底；部分硅化的区域，位于在所述衬底上形成的...
2008年7月23日
21
绝缘栅型半导体装置　[申请号/专利号：200810085496]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将检测主动作部的动作的传感部集成于同一芯片的ＭＯＳＦＥＴ中，传感部的电流分布不均匀区域的面积比电流分布均匀的区域面积大，故存在传感部...
2008年9月24日
22
具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构　[申请号/专利号：200710149391]
申请人/专利权人：万国半导体股份有限公司
本发明披露一种底源横向扩散式ＭＯＳ（ＢＳ－ＬＤ－ＭＯＳ）器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该ＢＳ－ＬＤＭＯ...
2008年3月19日
23
半导体器件结构及基于晶体管密度的应力层的形成方法　[申请号/专利号：200710180217]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种半导体器件结构及一种用于增加包括在半导体器件中的晶体管的载流子迁移率的方法，该方法包括在多个晶体管上方形成引起应力的层，该晶体管形成在不同晶体管密度的区域...
2008年4月16日
24
防止相邻栅极相互影响的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710089845]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明的半导体器件在有源区中具有一对栅极形成区、两栅极形成区间的漏极形成区，及在两栅极形成区外的源极形成区。凹栅形成于有源区的各栅极形成区内并且在形成于基板中其面对着漏...
2008年4月2日
25
半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法　[申请号/专利号：200710180186]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种在半导体衬底上制造多个ＦｉｎＦＥＴ的方法，其中每个独立的ＦｉｎＦＥＴ的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控...
2008年5月21日
26
鳍片型场效应晶体管及其设计方法　[申请号/专利号：200710140313]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种鳍片型场效应晶体管（ＦＩＮＦＥＴ）包括形成源极－漏极区域的多个鳍片以及在所述鳍片附近设置的栅极区域。所述鳍片中的至少第一个鳍片具有第一晶体取向，和所述鳍片中的至少第...
2008年2月20日
27
半导体的结构　[申请号/专利号：200710101187]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及...
2008年3月5日
28
集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管　[申请号/专利号：200710134474]
申请人/专利权人：无锡博创微电子有限公司
本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂Ｎ型衬底，在Ｎ型衬底上设置有Ｎ型外延，在Ｎ型外延上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗...
2008年4月9日
29
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710126305]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置，具备：半导体基板（５）；埋设于半导体基板（５）中的多个栅电极（１１ａ～１１ｃ）；在多个栅电极（１１ａ～１１ｃ）的每个之上设置的第一绝缘层（１２ａ～１２ｃ...
2008年2月6日
30
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710088958]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体基底，包括一第一有源区以及一第二有源区；一第一硅化结构，形成于该第一有源区，其中该第一硅化结构具有一第一...
2008年4月23日
31
垂直场效应晶体管阵列及其制造方法　[申请号/专利号：200710146550]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
垂直场效应晶体管半导体结构和制造垂直场效应晶体管半导体结构的方法提供半导体柱的阵列。半导体柱的阵列中的每个半导体柱的每个垂直部分具有大于与邻近半导体柱的分离距离的线宽。...
2008年3月12日
32
功率金属氧化物硅场效应晶体管　[申请号/专利号：200710162860]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了一种功率金属氧化物硅场效应晶体管，其中源极彼此连接，单个源极向两个沟道提供电子，使所述源极和沟道之间的接触表面不同变化以最大化从而大电流在小面积中流动，以及...
2008年4月23日
33
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710167118]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体器件，其包括至少具有相互不同的沟道宽度的多个晶体管。通过使用用于每一个所述晶体管的基本相等的沟道剂量，以及使用将沉积在所述晶体管的栅极绝缘膜和／或每一个所述晶...
2008年4月23日
34
具有一对鳍的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710166997]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，...
2008年5月21日
35
半导体集成电路装置　[申请号/专利号：200710184869]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体集成电路装置包括：第一和第二场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的漏极扩散层、以及在栅电极外侧形成的源极扩散层；以及衬底电势扩散层或阱电势扩...
2008年5月7日
36
半导体器件　[申请号/专利号：200710167664]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明是即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的ｎ...
2008年3月12日
37
2008年6月4日
38
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710161782]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种半导体器件包括：半导体衬底，具有隔离区和包括栅极形成带的有源区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区内以暴露有源区的包括栅极形成带的部分的侧表面，以使得有源区的包含栅极...
2008年4月2日
39
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710138244]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板...
2008年2月13日
40
半导体装置　[申请号/专利号：200710141774]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社、三洋半导体制造株式会社
一种半导体装置，在分立半导体的芯片中，已知在半导体衬底的第一主面侧设置电流经路上的第一电极及第二电极，且可进行倒装片安装。但是，由于在衬底内的水平方向也流过电流，故存在...
2008年3月5日
41
2008年6月11日
42
绝缘栅型半导体装置　[申请号/专利号：200710127396]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将动作部的动作检出的传感部集成于同一芯片的ＭＯＳ－ＦＥＴ中，以往，将传感部配设于芯片边角部，与传感部邻接的动作部的沟道区域存在其设计...
2008年1月2日
43
包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管　[申请号/专利号：200710112138]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设...
2007年12月26日
44
半导体集成电路装置　[申请号/专利号：200710109695]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
提供了一种半导体集成电路装置，其包括：具有由低杂质浓度区和高杂质浓度区形成的源／漏区的低压ＭＯＳ晶体管；以及类似地具有由低杂质浓度区和高杂质浓度区形成的源／漏区的高压Ｍ...
2008年1月2日
45
2008年1月30日
46
具有应力器件沟道的半导体结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710103297]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
具有应力器件沟道的半导体结构及其形成方法。一种具有分级的掺杂剂分布的多层埋置应力器，其用于在半导体结构中对器件沟道区引发应力。本发明的多层埋置应力器在半导体结构的如下区...
2007年12月12日
47
半导体结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710089514]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，特别涉及一种半导体结构，包括：一基底，一第一ＭＯＳ元件位于该基底的第一区域之上，其中第一ＭＯＳ元件包括一第一间隙壁衬层。该半导体结...
2007年10月3日
48
半导体结构以及制造半导体结构的方法　[申请号/专利号：200710089328]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
制造ＣＭＯＳ结构的方法使用位于半导体衬底的第一取向区域上方的第一栅极叠层。第二栅极材料层位于第一栅极叠层和横向相邻的所述半导体衬底的第二取向区域上。平面化层位于第二栅极...
2007年12月5日
49
半导体结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710088698]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法以扩散地形程序（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　　ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ　　ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＤＴＥ）形成半导体结构。首先在半导体基...
2007年9月19日
50
半导体元件、集成电路以及半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200710085900]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种半导体元件，包括：第一高压阱区，具有第一掺杂杂质且设置于导体基底；第二高压阱区，具有第二掺杂杂质且设置于半导体基底，并侧向相邻于第一高压阱区；低压阱区，具有第二掺杂...
2007年11月28日
 

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