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钱眼专利首页 > 由PN结或其他整流结栅产生场效应的 的专利共 56 条
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1
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200580039042]
申请人/专利权人：丰田自动车株式会社
一种半导体器件，其具有漏极２２、半导体基板３２、覆盖半导体基板３２的表面的一部分并且在半导体基板３２的表面上留下非覆盖表面５５的电流调节层４２、覆盖电流调节层４２表面的...
2007年10月17日
2
化合物半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510077883]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种化合物半导体装置，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在为埋入栅极电极结构时，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，多产生引线接合时的不良。不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊...
2006年1月4日
3
化合物半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510077880]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种化合物半导体装置及其制造方法，以往在化合物半导体装置中，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在采用埋入栅极电极结构的情况下，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，引线接合时多有不...
2006年3月15日
4
MOS型半导体器件　[申请号/专利号：200410047431]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的半导体器件，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的ＭＯＳＦＥＴ的有源区域、通过所述有源区域上而设置的至少一条栅极和在所述栅极的两侧与所述有源区域的表面接触而形...
2005年2月2日
5
离子注入掩模及其制造方法,使用离子注入掩模的碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610108343]
申请人/专利权人：本田技研工业株式会社、新电元工业株式会社
本发明披露了一种离子注入掩模（１０）的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材（１１）的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜（１２）；在所述氧化物膜（１２）上形成金属薄...
2007年2月7日
6
结型场效应晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200610091632]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种能抑制栅区内的Ｐ层杂质的不均匀性并得到良好的ｐｎ结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在ＧａＡｓ衬底（１）上形成的ｎ↑［＋］－ＡｌＧａＡｓ层（...
2006年12月13日
7
结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610081878]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种结型场效应晶体管，具备：第１导电型半导体层（１１）；第２导电型半导体层（１２），其设置在第１导电型半导体层（１１）上；元件形成区域，其设置在第２导电型半导体层（１２...
2006年11月29日
8
微T型电极的制造方法　[申请号/专利号：03818726]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明目的是提供一种以廉价高生产率地制造微Ｔ型电极的方法。本发明的微Ｔ型电极的制造方法包括：叠层保护膜形成工序，其在Ｔ型栅电极形成面上，在最上层形成叠层保护膜，该叠层保...
2005年9月28日
9
用于高K介电材料的界面层　[申请号/专利号：200580023883]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
提供一种方法和装置，用于在硅衬底（１１）上沉积纯锗层（１２）。该锗层非常薄，在约１４＊的量级上，并且小于硅上纯锗的临界厚度。该锗层（１２）用作硅衬底（１１）和高ｋ栅极层...
2007年6月20日
10
有机半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03816762]
申请人/专利权人：先锋株式会社
本发明提供一种具有夹在源电极和漏电极之间的ｐ型有机半导体层的有机半导体器件，它包括一个形成在所述ｐ型有机半导体层的中间部分中的ｎ型有机半导体层和一个埋置在所述ｎ型有机半...
2005年9月14日
11
高击穿电压的高电子迁移率晶体管　[申请号/专利号：200410046387]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空...
2005年12月14日
12
半导体装置　[申请号/专利号：03103350]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及半导体装置。在已有的半导体装置中，因为为了向半导体器件表面的全部电极供给均等的电流，用引线接合法使导线与全部电极连接，所以存在着由于引线接合法引起的冲击对半导...
2003年9月10日
13
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：03103349]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及半导体装置及其制造方法。在已有的半导体装置的制造方法中，因为用引线接合法使导线与半导体器件表面的电极连接，所以存在着由引线接合法引起的冲击对半导体器件产生恶劣...
2003年9月10日
14
一种新单体式复合型非易失性存储器　[申请号/专利号：200380100010]
申请人/专利权人：柰米闪芯集成电路有限公司
一种非易失性存储器阵列，具有一单晶体管快闪存储单元及一双晶体管ＥＥＰＲＯＭ存储单元，可整合在相同基板上，该非易失性存储单元具有一低耦合系数的浮置栅，可减小存储单元体积，...
2005年10月19日
15
等离子体振动开关元件　[申请号/专利号：03809646]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（１０１）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（１０３），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成...
2005年8月3日
16
栅电极及其制造方法　[申请号/专利号：03819984]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最...
2005年10月5日
17
半导体器件　[申请号/专利号：98124966]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
本发明涉及一种半导体器件，该器件包括：具有第一导电类型的半导体基片；一个栅极；在基片上形成的分别位于栅极相应两侧的具有第二导电类型的源和漏扩散层；一个具有第二导电类型的...
1999年7月14日
18
半导体装置　[申请号/专利号：200410012008]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、岐阜三洋电子株式会社
一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中...
2005年6月8日
19
半导体装置　[申请号/专利号：200410012006]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、岐阜三洋电子株式会社
一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在在护圈区域耗尽层形状畸变，且不能得到稳定的耐压特性这样的问题。在本发明的半导体装置中，由同一工序形成实动作区域的热氧化膜２５和...
2005年6月22日
20
开关电路装置　[申请号/专利号：200410002904]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种开关电路装置，以往由于未实施提高静电击穿电压的对策，故ＦＥＴ的栅极肖脱基结的两端导出到外部的共通输入端子ＩＮ－控制端子Ｃｔｌ－１间、共通输入端子ＩＮ－控制端子Ｃｔｌ...
2004年8月25日
21
硅/锗硅垂直结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：98104250]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
描述了一种结型场效应管及其制作方法，包括窗口中的水平半导体层以形成沟道和其中开有窗口的半导体层，它形成环绕沟道的栅电极。水平半导体层可以是在源和漏附近具有渐变组分的Ｓｉ...
1998年9月16日
22
横向结型场效应晶体管　[申请号/专利号：200410075244]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种ＳｉＣ制的横向ＪＦＥＴ，它使用ｎ型ＳｉＣ衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向ＪＦＥＴ包括：ｎ型ＳｉＣ衬底（１ｎ）；ｐ型ＳｉＣ膜（２），被形成在ｎ...
2005年2月9日
23
半导体器件　[申请号/专利号：200580025979]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板（１０１）上，形成有：由第一ＧａＮ基半...
2007年7月18日
24
肖特基器件和形成方法　[申请号/专利号：200580021992]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
传导层（４１）包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域（２５）。具有第二传导类型的第二区域（１３）位于第一区域（２２）下面，其中第二传导类型与...
2007年6月6日
25
结型场效应晶体管　[申请号/专利号：200580002806]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种结型场效应晶体管（２０），包括具有沟道区的ｎ型半导体层（１）、在沟道区上形成的缓冲层（３），以及在缓冲层（３）上形成的ｐ↑［＋］区（４ａ，４ｂ）。缓冲层（３）中的电...
2007年2月7日
26
化合物半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：02140905]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
以前，将晶片的取向面以［０１方向－１方向］的方向形成，在和取向面垂直、水平方向上进行切割时，在切断时大多产生表面缺陷，所以存在半导体元件收率低，以低切割速度生产，不能提...
2003年2月12日
27
功率结场效应晶体管结构及其制法　[申请号/专利号：200510072894]
申请人/专利权人：达晶控股有限公司
本发明为一种功率结场效应晶体管结构及其制法，其制法包含步骤：（ａ）提供衬底，其具有外延层；（ｂ）形成氧化层于外延层上；（ｃ）进行第一次光刻蚀刻，以形成栅极总线及保护环开...
2006年11月22日
28
功率结场效应晶体管结构及其制法　[申请号/专利号：200510072893]
申请人/专利权人：达晶控股有限公司
一种功率结场效应晶体管结构及其制法，该功率结场效应晶体管包括：衬底；外延层，形成于衬底上，其中外延层还具栅极凹槽及栅极总线凹槽；栅极，形成于外延层的栅极凹槽底部；栅极总...
2006年11月22日
29
横向结型场效应晶体管　[申请号/专利号：00817600]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种ＳｉＣ制的横向ＪＦＥＴ，它使用ｎ型ＳｉＣ衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向ＪＦＥＴ包括：ｎ型ＳｉＣ衬底（１ｎ）；ｐ型ＳｉＣ膜（２），被形成在ｎ...
2003年4月23日
30
非易失性存储装置　[申请号/专利号：200480029224]
申请人/专利权人：马萨诸塞州技术研究院
一种存储装置，可以包括具有可选择横向电导的有源层。所述层可以包括多个纳米颗粒。...
2006年11月15日
31
面结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：00818361]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。该ＪＦＥＴ包括：第二导电型的栅极区域（２），其...
2003年6月11日
32
静电感应晶体管及其制造方法和电能转换装置　[申请号/专利号：98814032]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
根据本发明的静电感应晶体管包括能带间隙大于硅的半导体衬底，半导体衬底具有连接栅电极的第一栅极区，和设置在将变为漏极区的第一半导体区内的第二栅极区，第一栅极区接触变为源极...
2001年4月25日
33
碳化硅半导体开关器件　[申请号/专利号：98813915]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型...
2001年3月7日
34
纵型有机FET及其制造方法　[申请号/专利号：200480023853]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种抑制由有机半导体构成的活性层的分子取向、提高载流子迁移率的纵型有机ＦＥＴ。本发明涉及基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层，具有源极层、活性层和漏极...
2006年9月27日
35
喹喔啉衍生物以及使用它的有机半导体元件、电致发光元件以及电子仪器　[申请号/专利号：200480010414]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式（１）所示的喹喔啉衍生物，式中，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［１２］各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基...
2006年5月24日
36
具有选择性生长接触焊盘的半导体器件　[申请号/专利号：98125892]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
一种半导体器件，具有利用各向异性硅选择性生长技术生长的接触焊盘，包括与扩散层交叉的第一字线，扩散层形成在衬底上并且被元件隔离区以直角包围，第二字线平行于形成在扩散层圆角...
1999年6月16日
37
带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410092645]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种碳化硅半导体器件包括衬底（１、３１）和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层（２、３２），其设置在衬底（１、３１）上；第一栅极层（３、３３），其设置在第一半...
2005年5月18日
38
开关用半导体器件及开关电路　[申请号/专利号：200410064104]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片（１０１）上形成的由Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（其中，０≤ｘ≤１）构成的第一化合物层（１０２）、在第...
2005年2月23日
39
碳化硅半导体器件　[申请号/专利号：03152590]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种碳化硅（ＳｉＣ）衬底，设有偏取向｛０００１｝表面，该偏取向｛０００１｝。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向＜１１－２０＞方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外...
2004年3月10日
40
碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件　[申请号/专利号：98801243]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
在衬底１的碳化硅晶体生长表面１ａ中，一边保持硅原子２相对于碳原子处于过剩状态，一边利用ＭＢＥ法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此，可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的...
1999年12月1日
41
保护元件　[申请号/专利号：03801340]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种保护元件。微波ＦＥＴ所具有的内在肖特基结（接合）电容或ＰＮ结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特...
2005年1月26日
42
新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺　[申请号/专利号：02126030]
申请人/专利权人：虞和元
本发明揭示了结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属半导体场效应晶体管ＭＥＳＦＥＴ结构及制造工艺，在低电压、高电流、高频中的应用。该结构包含一个位于栅极下面可以有效减小结电容...
2004年2月11日
43
在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件　[申请号/专利号：01804908]
申请人/专利权人：国际整流器有限公司
一种倒装芯片式ＭＯＳＦＥＴ结构具有垂直导电半导体管芯（３０），其中，管芯的下层同管芯顶部上的漏极（３２）通过扩散散热片或导通电极连接。源极（３１）和栅极（３３，３４）也...
2003年3月5日
44
制造半导体器件的方法及其半导体器件　[申请号/专利号：01811030]
申请人/专利权人：自由度半导体公司
一种制造半导体器件的方法包括提供具有表面（１１９）的基片（１１０），在基片的表面上提供由未掺杂的砷化镓所构成的层面（１２０），在该层面的第一部分上形成栅接头（２１０），...
2003年8月13日
45
异质结场效应型半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200310117987]
申请人/专利权人：NEC化合物半导体器件株式会社
在异质结场效应型半导体器件中，沟道层（５，５）形成在ＧａＡｓ衬底（１）上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层（９，９）上。第一导电类型的第一和第二帽盖层（１１，１１’，...
2004年6月23日
46
异质结场效应晶体管　[申请号/专利号：01123693]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Ｓｉ基板１０上积层Ｓｉ集电极埋入层１１、Ｃ含...
2002年4月10日
47
槽形栅静电感应器件　[申请号/专利号：98218523]
申请人/专利权人：李思敏
一种槽形栅静电感应器件，包括下层为型低阻层、上层为Ｎ－型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底片的上表面是Ｎ＋型源区，硅衬底片的...
48
纵向结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：03815406]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明的纵向ＪＦＥＴ１ａ配备ｎ↑［＋］型漏极半导体部（２）、ｎ型漂移半导体部（３）、ｐ↑［＋］型栅极半导体部（４）、ｎ型沟道半导体部（５）、ｎ↑［＋］型源极半导体部（７...
2005年9月7日
49
用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极　[申请号/专利号：02802830]
申请人/专利权人：丰田合成株式会社
本发明的目的在于使ｎ－电极和由第ＩＩＩ族氮化物化合物半导体形成的ｎ－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，ｎ－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒...
2004年2月4日
50
用于P-型SiC的电极　[申请号/专利号：02802829]
申请人/专利权人：丰田合成株式会社
本发明的目的是提供一种用于ｐ－型ＳｉＣ的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的ｐ－型电极包含选自镍（Ｎｉ）、钴（...
2004年2月4日
 

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