横向晶体管-钱眼专利分类

横向PNP晶体管及采用该种晶体管的马达稳速电路　[申请号/专利号：200520112815]
申请人/专利权人：BCD半导体制造有限公司
本实用新型揭示一种横向ＰＮＰ晶体管，包括以标准双极工艺的普通横向ＰＮＰ晶体管为基础，在基极上加入深磷（Ｄｅｅｐ　　Ｎ＋）形成空穴收集保护环结构。本实用新型还提供一种马达...

开曼

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横向晶体管　[申请号/专利号：03132730]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明的目的在于：即使在长时间持续使用的情况下，也能够提供电流放大系数的变化较小的横向晶体管。本发明的横向晶体管在ＬＯＣＯＳ氧化膜（场绝缘膜）１２上形成多晶硅层１４，多...

2004年8月4日

日本

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制造垂直栅极半导体器件的方法　[申请号/专利号：03819359]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种制造半导体器件（１０）的方法，包括在半导体衬底（１４，１６）的水平表面上形成的多层结构（１７，１８，１９，２０）的第一垂直表面（４１）上淀积第一导电层（５０）。第一...

2005年9月28日

美国

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横型异质结双极三极管及其制造方法　[申请号/专利号：00130023]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Ｓｉ基板、ＢＯＸ层以及半导体层形成所谓的ＳＯＩ构造。然后，在半导体层中，具有由硅构成的集电极、围绕集电极的ＳｉＧｅＣ／Ｓｉ层...

2001年5月9日

日本

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710147180]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；在基极区域中形成第二导电...

2008年3月5日

韩国

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半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610149408]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，外延层表面具有最小的基极宽度，难以得到希望的ｈｆｅ值。本发明的半导体装置中，在Ｐ型单晶硅基板（２）上...

2007年7月4日

日本

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半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610149406]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，由于集电极区域形成得宽，故难以缩小设备尺寸。本发明的半导体装置中，在Ｐ型单晶硅基板（２）上层叠Ｎ型外...

2007年7月4日

日本

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具有双极横向功率晶体管的半导体部件　[申请号/专利号：200380105577]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种半导体部件，包括至少一个横向双极功率晶体管，其由具有共集电极区、基区和发射极区的至少一组单晶体管组成，其通过三个导体轨迹系统并联，该导体轨迹系统使每个单晶体管的发射...

2006年1月18日

荷兰

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薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200710109542]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基...

2008年1月2日

日本

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具有附加ESD注入的横向双极晶体管　[申请号/专利号：200610068320]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
半导体器件（１０）包括第一导电类型（例如ｐ型）的半导体体区（１２）。第二导电类型（例如ｎ型）的第一掺杂区域（１４）布置在半导体体区（１２）的上表面。第二导电类型的第二掺...

2006年11月1日

联邦

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互补双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：02105218]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
有横向ｎｐｎ双极晶体管，垂直和横向ｐｎｐ双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区...

2002年11月27日

韩国

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互补双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：97119313]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
有横向ｎｐｎ双极晶体管，垂直和横向ｐｎｐ双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区...

1998年4月22日

韩国

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横向双极型场效应复合晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：97181220]
申请人/专利权人：艾利森电话股份有限公司
本发明涉及半导体器件及其制作方法，其中半导体器件完全或部分地以横向扩展方式工作。半导体器件包括至少两个高压横向双极型晶体管和至少两个相互对置的发射区／基区，晶体管安置在...

2000年1月26日

瑞典

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具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法　[申请号/专利号：01134756]
申请人/专利权人：三垦电气株式会社
横向ｐｎｐ晶体管包括一个ｐ型的半导体衬底，位于半导体衬底上的ｎ型第一掩埋层，位于第一掩埋层的ｎ型均匀基区，位于均匀基区内的ｎ型第一隔离层，位于均匀基区内部和上表面上的ｐ...

2002年11月27日

日本

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03812915]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
为改进半导体器件（１００），特别是ＳＯＩ器件，应包括：至少一个由电介质材料做的绝缘层（１０）；至少一个安置在该绝缘层（１０）上的硅衬底（２０）；至少一个集成在该硅衬底（...

2005年8月24日

荷兰

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具有ESD保护装置之半导体结构　[申请号/专利号：02810894]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一种半导体结构，具有一基板（１０２）、一设置在基板（１０２）上的组件层（１０４）、一触点（１０８）、以及一以适当方式设置在基板（１０２）及触点（１０８）之间的ＥＳＤ保护...

2004年10月6日

联邦

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