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薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 |
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| 本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基极（１０３）和集电极（１０４），在该横向双极晶体管（１００）中，半导体薄膜（１０５）是在预定方向上晶化的半导体薄膜。而且，ＭＯＳ－双极混合晶体管（２００）在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该ＭＯＳ－双极混合晶体管（２００）中，半导体薄膜（２０５）是在预定方向上晶化的半导体薄膜。 |
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薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
一种薄膜半导体器件，包括： 至少一个ＭＯＳ晶体管，所述ＭＯＳ晶体管包括在形成在绝缘基板上的半导体薄膜中形成的源区、沟道区和漏区，还包括通过绝缘膜形成在所述沟道区表面上的栅电极；和 至少一个横向双极晶体管，所述横向双极晶体管包括在与所述ＭＯＳ晶体管相同的绝缘基板上形成的半导体薄膜中形成的发射极、基极和集电极。
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