存储器结构-钱眼专利分类

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钱眼专利首页 > 存储器结构的专利共 7 条

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410090965]
申请人/专利权人：株式会社东芝
将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第１绝缘膜；在上述第１绝缘膜上形成的第１栅电极；在上述第１栅电极的上方形成...

2005年12月28日

日本

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具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法　[申请号/专利号：03153044]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法。一具有第一导电性的掺杂导电层是形成于位元线上。一具有光罩式只读存储器编码图案的光阻层形成于掺杂导电层上方的一介电层上，以...

2005年2月16日

台湾

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具有利用超薄介质击穿现象的存储器的射频电子标签芯片　[申请号/专利号：03135905]
申请人/专利权人：绵阳凯路微电子有限公司
本发明披露了一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的射频电子标签芯片，系具有改进的不挥发性存储器的射频电子标签。射频电子标签可包括一个处理器（或状态机）和存储器。存储器由...

2004年9月8日

四川

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具有利用超薄介质击穿现象的存储器的接触式电子标签芯片　[申请号/专利号：03135904]
申请人/专利权人：绵阳凯路微电子有限公司
本发明披露了一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的接触式电子标签芯片，系具有改进的不挥发性存储器的接触式电子标签。接触式电子标签可包括一个处理器（或数字控制电路）和存储...

2004年9月8日

四川

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具有利用超薄介质击穿现象的存储器的微控制器　[申请号/专利号：03135903]
申请人/专利权人：绵阳凯路微电子有限公司
本发明披露了一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的微控制器，系一种具有改进的不挥发性存储器的微控制器。微控制器可包括一个处理器和存储器。存储器由大量的存储器单元构成。这...

2004年9月8日

四川

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用于改善层厚控制的缓冲层　[申请号/专利号：98119185]
申请人/专利权人：西门子公司、国际商业机器公司
一衬垫层配置在衬底上和一缓冲层配置在该衬垫层内，以便把衬垫层分成缓冲层下的介质层和缓冲层上的掩模层。一种在半导体芯片上形成有均匀厚度和平坦性层的方法包括下列各步骤：准备...

1999年6月9日

联邦

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结构形成方法　[申请号/专利号：98115634]
申请人/专利权人：西门子公司
本发明涉及一种结构形成方法，至少可制备一种欲成结构的薄层，该方法包括步骤：在衬底上制备欲成结构的薄层，在欲成结构的薄层上制备掩膜，对欲成结构的薄层进行干蚀刻，其中至少配...

1999年3月3日

联邦

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