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钱眼专利首页 > 包含双极型组件的 的专利共 59 条
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1
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610151362]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的目的在于，提供一种具有可以抑制漏电流且可以维持高相对介电常数的ＭＩＭ电容器的半导体装置及其制造方法。下部电极（１６）中与电容绝缘膜（１７）相接的上层是通过例如Ｍ...
2007年6月13日
2
电介质膜电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610111369]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社、揖斐电株式会社、奥克泰克有限公司
一种电介质膜电容器，包含具有开口部的、含有包含白金的材料的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ＡＢＯｘ型钙钛矿结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设...
2007年2月28日
3
储存电容及其形成方法与包括该储存电容的显示器　[申请号/专利号：200610110715]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种储存电容的形成方法，包括：依次形成半导体层和第一介电层在基板上；形成图案化光致抗蚀剂层在该第一介电层上，且该图案化光致抗蚀剂包括第一区和第二区邻近于该第一区；移除未...
2007年1月31日
4
具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610099832]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供具有ＭＩＭ电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属...
2007年1月10日
5
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610091228]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种包括了ＭＩＭ电容器的半导体装置及其制造方法，该ＭＩＭ电容器能够抑制由来自电极的电子的热放出而引起的漏电流及由沟...
2007年3月21日
6
电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610089977]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
在具有半导体－绝缘体－金属（ＳＩＭ）结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族Ⅳ材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电...
2006年12月6日
7
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610080240]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
一种具有ＭＩＭ（金属绝缘体金属）结构的电容器，包括形成在电极沟槽的内部中的下电极、形成在下电极上方的介电膜和形成在介电膜上方的上电极，其中电极沟槽形成在层间绝缘膜中。上...
2006年11月15日
8
沟渠式电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610074028]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种沟渠式电容器的制造方法，是先利用位于衬底上的图案化的掩模层进行图案化工艺，以于衬底中形成多个沟渠。然后，于各沟渠表面的衬底中形成下电极。接着，移除部分图案化的掩模层...
2007年10月10日
9
半导体存储器之电容器结构的制备方法　[申请号/专利号：200610072679]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司
本发明提出一种半导体存储器之电容器结构的制备方法，其首先形成开口于介电结构中，且于该开口之内壁依次形成第一导电层、介电层及第二导电层而形成柱状电容器于该开口中。其次，进...
2007年10月10日
10
电容结构及其制作方法　[申请号/专利号：200610071511]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容结构，其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上，其中蚀刻终止层具有一开口，此开...
2007年10月3日
11
电容结构　[申请号/专利号：200610071463]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容结构，包括多层堆叠的导电图案，且各导电图案包括一封闭导电环、多个相互平行并与封闭导电环电性连接的主要导电条，以及多个与主要导电条交错设置且未与封闭导电环电性连接...
2007年9月26日
12
金属-绝缘层-金属电容器的制造方法　[申请号/专利号：200610067991]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种金属－绝缘层－金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及...
2007年10月3日
13
半导体元件及其形成方法　[申请号/专利号：200610059808]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体元件及其形成方法，具体涉及用来预防尖端引发电容漏电流的元件及其形成方法。是以较厚的底部电极填满导致尖端形成的微沟槽。另一方式则是，将接触插塞形成凹陷...
2007年1月24日
14
电容介电层及其形成方法与电容器　[申请号/专利号：200610058936]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容介电层，其包括第一介电层、第二介电层以及氮化硅叠层。其中，氮化硅叠层位于第一介电层与第二介电层之间。此电容介电层的结构可利用降低其厚度，以提高单位面积电容值，且...
2007年9月12日
15
金字塔形的电容结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610056990]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电...
2006年10月4日
16
半导体器件及其操作方法　[申请号/专利号：200610051510]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
为了提供一种与传统存储元件不同的确定地利用例如介质击穿等现象的存储元件，还为了提供一种具有提高的存储容量的存储装置，本发明提供了一种存储装置及其操作方法，其中该存储装置...
2006年9月13日
17
包括层叠电容器的半导体器件　[申请号/专利号：200610051393]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电...
2006年8月16日
18
集成电路结构　[申请号/专利号：200620116407]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种集成电路结构设置于基底上，此集成电路包括逻辑区，以及存储单元区。此存储单元区包括储存电荷区和非储存电荷区，而在储存电荷区的基底上具有一绝缘层，而绝缘层上方则具有一晶...
19
原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法　[申请号/专利号：200610027447]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明提供一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，可防止多晶硅材料在后续制程被氧化，这种方法是在沉积介电常数材料形成电容器中...
2007年12月12日
20
高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法　[申请号/专利号：200610025277]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Ａｌ...
2006年10月25日
21
半导体叠层电容器　[申请号/专利号：200610024666]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体...
2007年9月19日
22
半导体器件、RF-IC及其制造方法　[申请号/专利号：200610093537]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供一种能够减小电容器的寄生电容同时减小被电容器占据的空间的技术。通过在由下电极、电容器绝缘膜和中间电极组成的电容器上方形成由中间电极、另一电容器绝缘膜和上电极组成的另...
2007年1月10日
23
电容器结构　[申请号/专利号：200610004124]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容器结构，包括多层导电层、介电层及多个接触窗。多层导电层彼此堆叠配置，各导电层具有第一导电图案与第二导电图案。介电层配置在第一导电图案与第二导电图案之间，以及配置...
2007年8月29日
24
高介电常数材料　[申请号/专利号：200610004005]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
电容器（１０）包括衬底（１２）和两个金属电极（１４，１８）。在电极之间形成介电层（１６）。优选地，该介电层具有大于２５的介电常数和对硅具有足够的导带偏移。提出的示例性实...
2006年9月13日
25
空心柱型电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610001628]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种空心柱型电容器，至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞，有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别...
2007年7月25日
26
DRAM空心柱型电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610000286]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种ＤＲＡＭ空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并...
2007年7月18日
27
双极器件中恢复热载流子引起的退化的方法　[申请号/专利号：200580041988]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种恢复由雪崩热载流子造成的退化的方法，包括使呈现雪崩退化的空闲的双极晶体管经过热退火步骤，所述热退火步骤升高所述晶体管的温度从而恢复双极晶体管的雪崩退化。在一个实...
2007年11月14日
28
用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构　[申请号/专利号：200580039025]
申请人/专利权人：斯班逊有限公司
本发明之存储结构包括：第一导体（ＢＬ）；第二导体（ＷＬ）；连接至该第二导体（ＷＬ）之电阻式存储单元（１３０）；连接至该电阻式存储单元（１３０）及该第一导体（ＢＬ）之第一...
2007年10月17日
29
金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510137452]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层...
2007年7月4日
30
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510136919]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包含具有导电氧化物上电极的电容器。铁电电容器形成在衬底上并由一叠层体制成，该叠层体由依次叠置的下电极、电容器铁电膜...
2006年12月13日
31
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器　[申请号/专利号：200510136890]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种形成半导体器件的电容器的方法。在该方法中，电容器下电极淀积在半导体衬底上，且然后介电层淀积在该下电极上。介电阻挡层淀积在该介电层上部。该介电阻挡层包括用于防止...
2006年8月16日
32
铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器　[申请号/专利号：200510134103]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜１０１由用通式（Ｐｂ↓［１－ｄ］Ｂｉ↓［ｄ］）（Ｂ↓［１－ａ］Ｘ↓［ａ］）Ｏ↓［３］表示的铁电膜构成...
2006年7月5日
33
铁电膜及其制造方法　[申请号/专利号：200510134101]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种铁电膜、铁电膜的制造方法，本发明涉及的铁电膜（１０１）的制造方法包括：（ａ）将含有铌元素的多元羧酸盐、含铋元素的多元羧酸盐、多元羧酸或多元羧酸酯、和有机溶剂混合的工...
2006年7月5日
34
用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法　[申请号/专利号：200510118196]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化...
2006年6月21日
35
用于半导体元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510118089]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧...
2006年6月28日
36
具有氧化锆的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510115640]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供了具有氧化锆的电容器及其制造方法。该方法包括：形成存储节点；在存储节点上形成多层介电结构，多层介电结构包括氧化锆（ＺｒＯ↓［２］）层和氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］...
2006年6月21日
37
用于制造集成电路的电容器器件的方法与结构　[申请号/专利号：200510111134]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
一种包括电容器结构的ＤＲＡＭ器件，包括具有表面区的衬底。表面区上具有中间电介质层。中间电介质层具有上下表面。器件在中间电介质层中具有容器结构。容器结构从上表面延伸到下表...
2007年6月13日
38
一种半导体金属电容　[申请号/专利号：200510111038]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种半导体金属电容，该电容具有多层介电层，所述各介电层采用不完全相同的介电材料，从而使得电容受电压依存性的影响大大减小，以满足各种特殊场合的要求。...
2007年6月13日
39
半导体金属电容　[申请号/专利号：200510111037]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种半导体金属电容，其在填充介质中包含层叠式的电容结构，该结构由下到上依次为下层金属板、介电层、中间金属板、另一介电层和上层金属板，所述中间金属板由金属通孔...
2007年6月13日
40
平板电容结构和平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法　[申请号/专利号：200510110604]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种平板电容结构及平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法，它可以简化工艺，降低成本。在所述的平板电容结构中以多晶硅作为它的下极，在平板电容、栅极和电阻的形成工艺...
2007年5月30日
41
金属电容结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510110232]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种金属电容结构及其制造方法，利用集成电路上原有的栅极结构作为金属电容下极板，嵌入一层高温氧化硅介质层作为金属电容介质，嵌入另一层金属作为金属电容上极板，经...
2007年5月16日
42
集成电路结构及其制作方法　[申请号/专利号：200510055016]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种具有至少两种晶体取向的衬底的集成电路结构。第一种晶体管在具有第一种晶体取向的衬底第一部分上，并且第二种晶体管在具有第二种晶体取向的衬底第二部分上。应变层...
2005年9月14日
43
形成氮化钛层的方法及形成电容器的下电极的方法　[申请号/专利号：200510129754]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种在金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器中形成氮化钛层的方法。氮化钛层的沉积使用金属－有机材料作为源气体，通过ＭＯＣＶＤ法实现，伴随着在高温下的快速热工艺（ＲＴＰ）...
2006年7月26日
44
低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510123671]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器（ｄｅｃａｐ）的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。...
2006年6月28日
45
一种平板电容及其实现方法　[申请号/专利号：200510111957]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开一种平板电容，包括硅衬底层、二氧化硅层，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板，其中，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板相互配合向上或向下凸起形成沟槽。通过本发明，从沟槽...
2007年6月27日
46
具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510097530]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供了一种具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法。所述电容器包括：下电极、纳米复合电介质结构和上电极。通过以纳米组合物形式混合氧化铪（ＨｆＯ↓［２］）层和介电常数等...
2006年11月1日
47
具有纳米复合电介质层的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510097528]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供了具有纳米复合电介质层的电容器及其制造方法。电容器的电介质层包括通过混合Ｘ个不同亚层所形成的纳米复合电介质层，其中Ｘ是大于约１的正整数。形成电容器电介质层的方法包括...
2007年1月10日
48
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410042472]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极...
2005年6月15日
49
立体存储器阵列　[申请号/专利号：03826281]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
在具有平面表面（１２）的衬底（１０）上制作立体存储器阵列。立体存储器阵列包括组织成与平面表面（１２）平行的一个以上平面（１２，１４）的多个第一选择线（２０）。多个第二选...
2006年5月17日
50
在一个加工步骤中形成不同厚度的高质量氧化物层的方法　[申请号/专利号：03802891]
申请人/专利权人：NXP股份有限公司
本发明涉及用于在一个加工步骤中在第一和第二半导体区形成不同厚度的高质量氧化物层的方法。所述方法包括以下步骤：ａ）用不同的掺杂物浓度掺杂第一和所述第二半导体区；以及ｂ）在...
2005年6月8日
 

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