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| 本发明公开了一种具有至少两种晶体取向的衬底的集成电路结构。第一种晶体管在具有第一种晶体取向的衬底第一部分上，并且第二种晶体管在具有第二种晶体取向的衬底第二部分上。应变层在所述第一种晶体管和所述第二种晶体管上方。此外，应变层在第一种晶体管上方变形并在第二种晶体管上方驰豫。 |
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集成电路结构及其制作方法
一种集成电路结构，其包含： 具有至少两种晶体取向的衬底； 在具有第一种晶体取向的所述衬底第一部分上形成的第一种晶体管； 在具有第二种晶体取向的所述衬底第二部分上形成的第二种晶体管；及 在所述第一种晶体管和所述第二种晶体管上方的应变层。
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