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1
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810142807]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其具有：在半导体衬底的主表面上设置的第一绝缘分离膜；围绕第一绝缘分离膜的有源区域；设置在半导体衬底的主表面上、比第一绝缘分离膜厚度...
2008年11月12日
2
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810080661]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜、不在元件分离膜的倾斜部上形成而在平坦部上形成的保护膜、自被元件分离膜包围的活性区...
2008年9月3日
3
半导体晶体管器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810009910]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体晶体管器件及其制造方法。该半导体晶体管器件包括漂移区、绝缘结构、栅极绝缘体、栅电极、源极和漏极。漂移区包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第...
2008年8月20日
4
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610163632]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，存在构成分离区域的Ｐ型埋入扩散层的横向扩散宽度宽，而难以缩小装置尺寸的问题。本发明的半导体装置中，在Ｐ型单晶...
2007年7月11日
5
一种IGBT硅外延片的制造方法　[申请号/专利号：200810023330]
申请人/专利权人：南京国盛电子有限公司
本发明公开了一种ＩＧＢＴ硅外延片的制造方法，选用重掺硼的Ｐ型＜１００＞抛光片，电阻率≤０．０２Ωｃｍ，局部平整度≤１．５ｍｍ，背封ＬＴＯＳｉＯ↓［２］厚度为５０００±５...
2008年9月3日
6
半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200610144613]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体器件制造方法，包括在包含活性区的半导体衬底上形成导电层和硅膜，在活性区上的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极，用发射极电极作为掩模部分地蚀刻硅膜，形成覆盖半导体...
2007年5月30日
7
双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810087505]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
一种双极晶体管及其制造方法。所述双极晶体管可包括在衬底中形成的集电极区、在包括所述集电极区的所述衬底上形成的外延层、在所述外延层中形成的基极区、在所述基极区中形成的发射...
2008年9月24日
8
形成自对准晶体管的方法及其结构　[申请号/专利号：200610153918]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
本发明涉及一种形成自对准晶体管的方法及其结构。在一种实施方式中，形成晶体管时使用两部分导体，以与晶体管的有源区之一发生电接触。...
2007年4月4日
9
采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺　[申请号/专利号：200810025560]
申请人/专利权人：无锡友达电子有限公司
采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺是一种用于制造兼容常规薄外延浅基区结的集成注入逻辑（Ｉ↑［２］Ｌ）工艺方法，本发明通过用ＰＷＥＬＬ版，在外延前做一次额为地磷...
2008年10月1日
10
采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺　[申请号/专利号：200810025559]
申请人/专利权人：无锡友达电子有限公司
采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向ＮＰＮ管制作工艺是一种在双极型纵向ＮＰＮ管制作工艺中采用磷埋及深磷埋技术的工艺方法，为了减小ＮＰＮ管饱和压降，提高电路输出功率。采用磷埋...
2008年10月1日
11
形成异质结双极晶体管的方法及相关结构　[申请号/专利号：200710089329]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
形成异质结双极晶体管的方法及相关结构。本发明公开了一种使用多孔硅形成隔离区的方法及相关结构。本发明的一个实施例可以包括形成收集极区；在该收集极区内形成多孔硅区；在收集极...
2007年12月12日
12
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710088556]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型ＭＯＳ晶体管或ＩＧＢＴ等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热...
2007年10月24日
13
双极晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200610156707]
申请人/专利权人：东部电子股份有限公司
本发明公开一种双极晶体管的制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成掺杂有第一导电类型材料的阱区；通过对该阱区执行离子注入工艺形成掺杂有该第一导电类型材料的基区；...
2007年7月4日
14
采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺　[申请号/专利号：200710037559]
申请人/专利权人：上海富华微电子有限公司、吉林华微电子股份有限公司
本发明涉及一种采用ＰＳＧ掺杂技术的ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，由金属底层、Ｎ＋衬底层（在Ｉ　　ＧＢＴ功率器件中为Ｐ＋衬底层）、Ｎ－外延...
2007年8月15日
15
一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺　[申请号/专利号：200710037558]
申请人/专利权人：上海富华微电子有限公司、吉林华微电子股份有限公司
本发明涉及一种复合栅、栅源自隔离ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，特征在于在源区与多晶硅栅层之间除设置有热氧化ＳｉＯ↓［２］栅氧层外，还增加...
2007年8月15日
16
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610149408]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，外延层表面具有最小的基极宽度，难以得到希望的ｈｆｅ值。本发明的半导体装置中，在Ｐ型单晶硅基板（２）上...
2007年7月4日
17
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810080662]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种高性能化的半导体装置及其制造方法，可不设置高精度的曝光装置而制造。该半导体装置具备：在第一导电型集电极层上形成的导电层；在导电层上形成的第一导电型的发射极...
2008年9月3日
18
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610164045]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，存在由于构成分离区的Ｐ型埋入扩散层的横向扩散宽度变宽，而难以得到所希望的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置...
2007年6月20日
19
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610149406]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，由于集电极区域形成得宽，故难以缩小设备尺寸。本发明的半导体装置中，在Ｐ型单晶硅基板（２）上层叠Ｎ型外...
2007年7月4日
20
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610162542]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，具有难以同时满足功率半导体元件的耐压特性和控制半导体元件的装置尺寸小型化的问题。本发明的半导体装置中，在Ｐ型...
2007年6月20日
21
IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺　[申请号/专利号：200810055627]
申请人/专利权人：清华大学
本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种ＩＧＢＴ高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线...
2008年7月9日
22
异质结双极晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200810002829]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种具有自对准的亚光刻非本征基极区域的异质结双极晶体管结构，包括为该基极制作的自对准的金属半导体合金和自对准的金属接触部。非本征基极区域的横向尺寸由牺牲间隔件的印...
2008年7月16日
23
使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810081207]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性...
2008年9月3日
24
biCMOS器件及biCMOS器件的制造方法　[申请号/专利号：200610142898]
申请人/专利权人：东部电子股份有限公司
本发明公开一种包括双极晶体管和多晶硅／绝缘体／多晶硅电容器的ｂｉＣＭＯＳ器件。该ｂｉＣＭＯＳ器件在双极晶体管处可具有相对较低的串联电阻。该双极晶体管可具有理想的放大率。...
2007年5月2日
25
基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法　[申请号/专利号：200610105132]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种基于自支撑ＳｉＣ的ＧａＮ器件及制作方法。主要解决现有ＧａＮ器件尺寸小、电学性能差、热导率低等问题。其方法是：首先在Ｓｉ片上制作掩埋氧化层ＢＯＸ及表层硅Ｓ...
2007年5月30日
26
垂直BJT及其制造方法　[申请号/专利号：200710142402]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
一种在光电二极管区域具有最大电流增益的垂直ＢＪＴ及其制造方法，该垂直ＢＪＴ包括第一和第二集电极区域，位于不同外延层；发射极区域，插入在第一和第二集电极区域间；基极区域，...
2008年2月27日
27
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710147180]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；在基极区域中形成第二导电...
2008年3月5日
28
多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管　[申请号/专利号：200710177246]
申请人/专利权人：清华大学
本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构ＳｉＧｅ异质结晶体管。是在省略了常规ＳｉＧｅ　　ＨＢＴ晶体管中的埋层和Ｎ－外延Ｓｉ层结构后，直接利...
2008年4月16日
29
2008年6月11日
30
非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺　[申请号/专利号：200710118197]
申请人/专利权人：中电华清微电子工程中心有限公司
本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Ｓｉ衬底形成的集电极，ＳｉＧｅ层基区和外基区，以及多晶...
2008年3月12日
31
具有单晶基极的异质结双极晶体管及相关方法　[申请号/专利号：200710167461]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种异质结构双极晶体管（ＨＢＴ）及其相关方法。在一个实施例中，所述ＨＢＴ包括：衬底；在所述衬底顶上的多晶硅发射极；在所述衬底中的集电极；邻近所述集电极的至少一个隔...
2008年5月14日
32
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710136829]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在Ｐ型半导体衬底表面部分中形成有Ｎ型降低表面电场区域和与降低表面电场区域相邻的Ｐ型基极区域。在基极区域内以与降低表面电场区域隔离...
2008年4月23日
33
2008年1月30日
34
2008年1月9日
35
2008年1月9日
36
2008年1月16日
37
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710110869]
申请人/专利权人：丰田自动车株式会社、株式会社爱发科
本发明提供了一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触。所述电极包括：第一导体层、第二导体层和...
2007年12月19日
38
双极结型晶体管(BJT)及其形成方法　[申请号/专利号：200610147094]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种双极结型晶体管（ＢＪＴ）。每个ＢＪＴ的集电极区位于半导体衬底表面中并与第一浅沟槽隔离（ＳＴＩ）区相邻。提供第二ＳＴＩ区，其在第一ＳＴＩ区和集电极区之间延伸...
2007年6月13日
39
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610137367]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供包含能够不增大二极管的ＶＦ地减小恢复电流的ＩＧＢＴ和二极管的半导体装置，其中包括：第１导电型的半导体衬底；在半导体衬底的第１主面侧形成的第１导电型的半导体层；在半导...
2007年5月23日
40
IGBT用硅晶片及其制备方法　[申请号/专利号：200610105541]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
一种ＩＧＢＴ用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为７．０×１０↑［１７］原子／ｃｍ↑［３］或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的...
2006年12月20日
41
单晶外部基极和发射极异质结构双极晶体管及相关方法　[申请号/专利号：200710161922]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种异质结构双极晶体管（ＨＢＴ）及相关方法。在一个实施例中，所述ＨＢＴ包括异质结构双极晶体管（ＨＢＴ），其包括：衬底；在所述衬底顶上的单晶发射极；在所述衬底中的集...
2008年5月14日
42
半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200710089347]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件及其形成方法。器件结构包括基片和至少一个半导体器件，该基片具有前表面和背表面，该至少一个半导体器件包括位于基片内的第一导电结构和位于之上的第二导电结构。第一导...
2007年11月28日
43
全硅化外基极晶体管　[申请号/专利号：200710086007]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极...
2007年9月19日
44
金刚石半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200680001082]
申请人/专利权人：日本电信电话株式会社
在以往的金刚石半导体元件中，晶体缺陷密度高，不能将金刚石特有的高热导率、高介质击穿场强、高频率特性等物理特性反映在晶体管特性上。通过使金刚石基板的面方位稍稍偏离［００１...
2007年10月10日
45
异质结双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610169050]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带...
2007年6月27日
46
磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法　[申请号/专利号：200610089346]
申请人/专利权人：中国科学院微电子研究所
本发明公开了一种ＩｎＰ　　ＨＢＴ自对准发射极的制作方法，包括：Ａ．在ＩｎＰ　　ＨＢＴ外延层结构表面涂敷负性光刻胶，对涂敷的负性光刻胶进行曝光、反转、显影处理，形成发射极...
2007年12月26日
47
绝缘栅型半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710104563]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。在绝缘栅型半导体装置中，使栅极导通时，抑制二极管的正向电压Ｖｆ以及恢复电流的上升，并且，提高导通特性。采用如下结构：在半导...
2008年3月5日
48
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺　[申请号/专利号：200710132586]
申请人/专利权人：无锡友达电子有限公司
采用磷埋技术的双极型悬浮ＰＮＰ管双外延制作工艺是一种在双极型悬浮ＰＮＰ管双外延制作工艺中采用磷埋技术的工艺方法，该方法为投料、氧化、磷埋光刻、腐蚀、磷埋注入、磷埋退火、...
2008年2月27日
49
生产半导体器件的方法　[申请号/专利号：200610095626]
申请人/专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在９０μｍ到２００μｍ之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓...
2006年12月27日
50
异质结双极晶体管及制造方法　[申请号/专利号：200610093821]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供加工性优良、且不增大导通电阻（Ｒｏｎ）的高性能的异质结双极晶体管及其制造方法。异质结双极晶体管，在由ｎ型ＧａＡｓ构成的辅助集电极层和由浓度比辅助集电极层低的ｎ...
2006年12月27日
 

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