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钱眼专利首页 > 仅以一个势垒或面垒为特征的 的专利共 15 条
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1
图像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810099296]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括位于衬底上的晶体管电路和设置在该晶体管电路上方的光电二极管。该光电二极管可以包括碳纳米管和位于碳纳米管上的导电...
2008年11月19日
2
光电二极管以及使用了该光电二极管的光电IC　[申请号/专利号：200810085516]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种光电二极管以及使用了该光电二极管的光电ＩＣ，其能够避免受硅半导体层与绝缘层的界面处的反射的影响，准确地检测出紫外线的总量。该光电二极管具有：形成在绝缘层上...
2008年9月24日
3
背照明图像传感装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710001220]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供了一种背照明图像传感装置，包括：基底；第一掺杂区，位于该基底内；以及第二掺杂区，位于该基底内并位于该第一掺杂区上方，其中该第一掺杂区较佳地深达该基底厚度的５０...
2008年4月2日
4
2008年1月23日
5
具有增强电容的CMOS成像器光电二极管及其制造方法　[申请号/专利号：200710005579]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了具有表面的半导体衬底的像素传感器单元；在衬底中形成的光敏元件具有与包括衬底表面的物理边界隔离的非横向设置的电荷收集区。光敏元件包括在第一导电型材料的衬底中形...
2007年8月22日
6
图像传感器　[申请号/专利号：200610059159]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
在光电二极管的衬底中提供了一种埋置氧化物使得与阴极相对，且所述埋置氧化物与耗尽层的下端接触。由于形成耗尽层的电荷而使得埋置氧化物被极化，因而埋置氧化物作为一个电容器工作...
2006年10月4日
7
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器　[申请号/专利号：200710064946]
申请人/专利权人：清华大学
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器，涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成...
2007年8月29日
8
光反射率受控的光电二极管元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610115991]
申请人/专利权人：EM微电子-马林有限公司
一种光电二极管元件（１），包括：至少一个光敏区域（３），制作在硅半导体衬底（２）中，用于接收光，具体地说相干光；以及钝化层和介电层（４）。所述钝化层由制作在所述光敏区域...
2007年2月28日
9
紫外传感器　[申请号/专利号：200310119906]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
一种紫外传感器１包含一个容器５，在该容器中一个金属管壳２的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板３封闭，它的下端开口被底板４封闭。用作入射光...
2004年6月9日
10
一种能实现紫外光响应的硅器件　[申请号/专利号：200810069342]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
本发明公开了一种能实现紫外光响应的硅器件，它包括：钝化层、Ｎ型区、Ｐ型区，所述的Ｎ型区和Ｐ型区并排在钝化层一侧，且三者间互相连接；光子经过钝化层直接到达耗尽区，且仅保留...
2008年8月6日
11
半导体光电探测器芯片结构　[申请号/专利号：200710031793]
申请人/专利权人：中山大学
本发明公开了一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的Ｎ型电极，部分的吸收层上形成有Ｐ型重掺杂层，Ｐ型重掺杂层上设置有Ｐ型电极，且Ｐ型...
2008年5月21日
12
2008年1月16日
13
半导体器件　[申请号/专利号：96196237]
申请人/专利权人：中田仗**
揭示了属于一种以半导体球状晶体上形成光感应电动势发生部和１对电极的一个或多个球状半导体元件为主体的半导体器件，作为半导体光触媒、光敏二极管或太阳能电池的半导体器件，属于...
1998年9月30日
14
反射式铟镓砷陷阱辐射探测器　[申请号/专利号：200710020402]
申请人/专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
本发明公开了一种反射式铟镓砷陷阱辐射探测器，包括有三片光电二极管，其特征在于所述的光电二极管为铟镓砷光电二极管，三片铟镓砷光电二极管构成光陷阱，所述的三片铟镓砷光电二极...
2007年8月15日
15
光电二极管结构及其制作方法　[申请号/专利号：200610077348]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明提供了一种制作光电二极管的方法，该方法包括提供一基底，并形成掺杂区于基底中，另外，形成介电层、第一多晶硅层于基底上。并形成一开口以暴露出部分掺杂区的表面，然后，形...
2007年10月31日
16
具有抗反射涂层的光电二极管　[申请号/专利号：200610068175]
申请人/专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
一种形成有效光电二极管的方法包括如下步骤：提供其上至少一部分具有ｐ表面区域的衬底，将浅ｎ型表面层植入表面区域内，并在ｎ型表面层上形成多层第一抗反射（ＡＲ）涂。该表面层最...
2006年11月1日
 

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