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专利号:200810099296
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图像传感器及其制造方法
本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括位于衬底上的晶体管电路和设置在该晶体管电路上方的光电二极管。该光电二极管可以包括碳纳米管和位于碳纳米管上的导电聚合物层。可以将透明导电电极设置在碳纳米管上。本发明可以提高量子效率。

图像传感器及其制造方法

一种图像传感器，包括：　　　　衬底，包括晶体管电路；　　　　低互连，位于所述衬底上，连接至所述晶体管电路；　　　　碳纳米管，位于所述低互连上；和　　　　导电聚合物层，位于所述碳纳米管上。
 
　　
专利号: 200810099296
申请日: 2008年5月16日
公开/公告日: 2008年11月19日
授权公告日:
申请人/专利权人: 东部高科股份有限公司
国家/省市: 韩国(KR)
邮编:
发明/设计人: 沈千万
代理人: 郑小军
专利代理机构: 隆天国际专利商标代理有限公司(72003)
专利代理机构地址: 香港干诺道中168-200号信德中心西翼15楼1512室()
专利类型: 发明
公开号: 101308862
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 韩国2007年5月16日10-2007-0047589
审批历史:
附图数: 6
页数: 7
权利要求项数: 2
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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