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钱眼专利首页 > 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件 的专利共 11 条
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1
实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法　[申请号/专利号：02136110]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的实时掺氮生长ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的方法是采用磁控溅射法，先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少１０＃＋［－３］Ｐａ，然后加热衬...
2003年1月15日
2
一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法　[申请号/专利号：200710003498]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ＺｎＯ中掺入Ｃｏ杂质，即将高纯的ＺｎＯ粉末和...
2007年8月15日
3
微粒排列体、其制造方法和使用该排列体的器件　[申请号/专利号：02102814]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
作为把微粒（３０）固定到衬底（３２）上边的排列体，在上述微粒（３０）的表面上，形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜（３１），在上述衬底（３２）表面上形成与上述衬底表...
2002年12月4日
4
使用水解制造氧化锌半导体　[申请号/专利号：200710138417]
申请人/专利权人：施乐公司
本公开内容公开了一种制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包括可水解锌化合物的组合物进行许多操作，该操作包括：（ａ）水解至少一部分可水解锌化合物以形成氧化锌；（...
2008年2月6日
5
制备微晶硅的方法　[申请号/专利号：200510016606]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方...
2006年2月1日
6
一种制备多晶硅的方法　[申请号/专利号：200510016605]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明属于半导体材料领域，是一种制备多晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用金属诱导－双次激光退火的方法晶化为多晶硅。首先在普通玻璃基板上制备一层高品...
2006年2月1日
7
液晶显示器的制造方法　[申请号/专利号：03119436]
申请人/专利权人：统宝光电股份有限公司
一种制造液晶显示器的方法：首先，依序形成一无掺杂硅层、ｎ型硅层及一金属层于基板上；图案化以定义ｎ型ＴＦＴ及像素ＴＦＴ的源极／汲极及储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层...
2004年9月22日
8
具有掺杂钛酸盐主体的金属-氧化物-半导体　[申请号/专利号：200580036120]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区（２６）相邻的掺杂半导体区（２４）。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离...
2007年9月26日
9
高速硅基电光调制器　[申请号/专利号：200480007925]
申请人/专利权人：斯欧普迪克尔股份有限公司
基于形成来部分覆盖第二导电性类型的体区域的第一导电性的栅区域的硅基电光调制器（３０），具有在栅区域和体区域（１２，１０）的接触部分之间插入的相对较薄电介质层（１０）。调...
2006年4月26日
10
热界面材料及其制造方法　[申请号/专利号：200510034237]
申请人/专利权人：清华大学、鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
本发明提供一种热界面材料，其包括一基体以及分散在基体中的多个碳纳米管，所述基体包括一第一表面和相对于第一表面的第二表面，所述多个碳纳米管分别从基体的第一表面延伸至第二表...
2006年10月18日
11
用于半导体设备的散热器异常预警器　[申请号/专利号：200420007950]
申请人/专利权人：立生半导体股份有限公司
一种用于半导体设备的散热器异常预警器，此预警器通过由一轻质薄片，其可随着散热气流飘动，当散热器正常运转时，散热气流吹动此轻质薄片，使其与一接触感应装置接触，而当散热器未...
 

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