按材料特点进行区分的-钱眼专利分类

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1

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810097177]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成...

2008年11月19日

2

布线结构及其形成方法　[申请号/专利号：200810087411]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个ＣＮＴ来形成ＣＮＴ束；以及，通过接触所述多个ＣＮＴ使它们相交，以实...

2008年10月1日

3

低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法　[申请号/专利号：200810108794]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
...

2008年12月3日

4

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710148568]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明关于一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包含：金属布线，其形成于衬底上；Ｔｉ膜，其形成于该金属布线上；ＴｉＮ膜，其形成于该Ｔｉ膜上；超细Ｔｉ膜，其形成于该...

2008年3月5日

5

在半导体器件中形成金属布线的方法和装置　[申请号/专利号：200710193499]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
...

2008年6月4日

6

显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710148268]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种成品率和可靠性高的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置具备：层间绝缘膜（１２）；信号布线（１３），配置于显示区域（１１１）中层间绝缘膜（１２）的上方，用...

2008年3月12日

7

半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810097657]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
...

2008年11月26日

8

具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备　[申请号/专利号：200810127762]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
...

2008年11月26日

9

集成电路装置及其形成方法　[申请号/专利号：200810127788]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种包括具有碳纳米管的电互连结构的集成电路装置及其形成方法。具体而言，集成电路装置包括包含碳纳米管的导电互连。电互连包括第一金属区域。在该第一金属区域的上表...

2008年11月12日

10

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810096655]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
在本发明的具有晶体管电路和泄放电阻电路的半导体装置中，为了抑制泄放电阻的电阻值变动而具有以下结构。具有：晶体管电路，在晶体管结构之上，隔着层间绝缘膜（１０７）层叠作为金...

2008年10月1日

11

包括阻挡金属和涂布膜的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109142]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
...

2008年11月26日

12

用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺　[申请号/专利号：200810031500]
申请人/专利权人：中南大学
本发明公开了一种用于铜互连的Ｔａ－Ａｌ－Ｎ扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为１．５％～７．８％的Ａｌ、８．４％～１１．５％的Ｎ和余量为Ｔａ，用多靶磁控溅射方法制...

2008年10月29日

13

电子器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810090316]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括：导电图案，形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述导电图案和所述第一绝缘膜上；孔，形成在所述导电图案上的所述第二绝...

2008年10月1日

14

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710196403]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
...

2008年6月4日

15

用于形成隐蔽布线的方法及采用其的衬底和显示装置　[申请号/专利号：200810090242]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
本发明公开了一种形成隐蔽布线的方法，所述方法使得不将绝缘板的可用材料限制与具有良好的耐热性的材料上、并提高为所述隐蔽布线的所提供的端子的抗腐蚀性成为可能。绝缘板的表面通...

2008年10月1日

16

半导体器件及制造该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200810006006]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板上以及位于所述半导体基板上的栅极上形成阻挡膜；在所述阻挡膜上形成金属层；选择性地蚀刻所述金属层和所述阻挡膜...

2008年9月17日

17

绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200810081281]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性（例如抗蚀性和液体试剂抗性）优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层...

2008年9月3日

18

一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法　[申请号/专利号：200710185203]
申请人/专利权人：河北大学
本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ｎｉ－Ａｌ二元合金薄膜，然后在Ｎｉ...

2008年3月26日

19

平衡硅片应力的后道互连实施方法　[申请号/专利号：200710172269]
申请人/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
本发明公开了一种平衡硅片应力的后道互连实施方法，涉及半导体集成电路制造工艺技术领域。现有的后道互连实施方法容易产生很大的应力，给后续工艺步骤增加难度，甚至引起硅片翘曲以...

2008年5月21日

20

半导体结构制造方法和其制造的半导体结构　[申请号/专利号：200710136144]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种半导体结构和用于形成该结构的方法。所述结构包括（ａ）衬底；（ｂ）第一器件和第二器件，均在所述衬底上；（ｃ）器件帽介质层，在所述第一和第二器件以及所述衬底上，其中所述...

2008年3月12日

21

薄膜晶体管、像素结构及液晶显示面板　[申请号/专利号：200710141765]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
...

2008年1月23日

22

半导体器件　[申请号/专利号：200810107944]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
...

2008年11月26日

23

一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法　[申请号/专利号：200810054756]
申请人/专利权人：河北大学
本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ｔｉ－Ａｌ二元合金薄膜，然后在Ｔｉ...

2008年10月15日

24

电流镜像电路　[申请号/专利号：200810081371]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
本发明涉及电流镜像电路。提供一种半导体器件，通过利用多晶硅将形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的栅极彼此之间连接以及通过进一步将连接到衬底的熔丝连接到与多晶硅相连的栅极...

2008年8月27日

25

绝缘膜　[申请号/专利号：200810080697]
申请人/专利权人：富士胶片株式会社
一种通过在基板上固化高分子化合物而得到的半导体器件用绝缘膜，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合...

2008年9月3日

26

图像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810085723]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开一种具有增加的宽高比的图像传感器和制造图像传感器的方法。本发明公开一种具有相对大的工艺余量（甚至在高标准像素中）的图像传感器和用于制造图像传感器的方法，这可降...

2008年9月17日

27

互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810009606]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及半导体装置及其制造方法，其中半导体装置具有为一外置应力源层所覆盖的至少一晶体管。在一Ｎ型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一张应力膜，位于源极与漏...

2008年8月13日

28

形成介电结构的方法以及半导体结构　[申请号/专利号：200810005454]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低...

2008年8月13日

29

垂直机电存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710139012]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第...

2008年2月13日

30

集成半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200710169218]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种集成半导体器件，包括：半导体衬底；第一器件，该第一器件包含位于半导体衬底的第一区中的异质结双极晶体管（ＨＢＴ），其中该ＨＢＴ包括基极区，该基极区包含Ｓｉ...

2008年5月14日

31

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710145849]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括其中形成有导电层的衬底；在该导电层上方形成的抗反射涂层；以及在该抗反射涂层和该导电层之间插入的抗扩散层。...

2008年3月5日

32

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710092359]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
提供一种具有多层布线结构的半导体装置的制造方法，包括：在具有多层布线结构的半导体装置中，连接孔中不会产生冠顶，长期可靠性高、生产性经济性优异、具有足够低的通孔电阻的防反...

2007年9月12日

33

半导体器件和有源矩阵型显示装置　[申请号/专利号：200710106375]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Ａｌ为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述...

2007年11月28日

34

透明导电膜、半导体器件以及有源矩阵型显示装置　[申请号/专利号：200710127331]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种能够使由Ａｌ或者Ａｌ合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｓｎ...

2008年1月2日

35

介电层与薄膜晶体管　[申请号/专利号：200710109412]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种介电层包括含氧的硅合物膜与含氮的硅合物膜。其中含氮的硅合物的傅立叶转换红外线光谱中，Ｓｉ－Ｎ基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于０．６７／ｕ...

2007年11月28日

36

阵列基板及其制造方法和具有阵列基板的显示器件　[申请号/专利号：200710152639]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘...

2008年2月27日

37

互连及其形成方法　[申请号/专利号：200710186782]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
...

2008年6月11日

38

用于减小接触电阻的方法和结构　[申请号/专利号：200710103804]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ｎｉ硅化物或Ｃｕ...

2007年11月28日

39

薄膜半导体装置、显示装置及薄膜半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710153197]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明的目的在于提供一种薄膜半导体装置及显示装置，通过对污染物质的阻断作用强且能够通过氢供给而对多晶硅膜进行缺陷修补的层间绝缘膜，而覆盖多晶硅膜，从而具有稳定的优良特性...

2008年4月2日

40

采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710167818]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴...

2008年5月14日

41

形成互连结构的方法及其形成的互连结构　[申请号/专利号：200710135957]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种单或双镶嵌型的互连结构及其形成方法，其基本上减小了在贵金属籽晶层上镀敷导电材料的表面氧化问题。根据本发明，使用氢等离子体处理来处理贵金属籽晶层，以使处理...

2007年9月19日

42

具有减小的电阻的埋置位线　[申请号/专利号：200710123255]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
...

2008年1月16日

43

铁电随机存取存储器装置的直接单元通路结构及制造方法　[申请号/专利号：200710146502]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了用于金属图案与铁电电容器的直接连接的ＦｅＲＡＭ器件构造及其制造方法。ＦｅＲＡＭ器件构造利用包含在导电塞中的一个或多个阻挡层的组合、包含在主导电图案或利用一种...

2008年2月27日

44

提高两个不同层之间粘附强度的半导体结构和方法　[申请号/专利号：200810002918]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种在低ｋ电介质层与包含电介质的衬底之间具有提高粘附强度的机械坚固的半导体结构。特别地，本发明提供一种结构，其包括包含电介质的衬底，该衬底具有包括与衬底化学和物理不同的...

2008年7月30日

45

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810080861]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一绝缘膜；通过将杂质离子注入所述第一绝缘膜的预定深度，在所述第一绝缘膜中形成杂质层；以...

2008年8月27日

46

半导体装置　[申请号/专利号：200710161982]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明公开一种半导体装置，其包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡...

2008年4月2日

47

在半导体器件中形成MIM的方法　[申请号/专利号：200710186916]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种用于形成金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）的方法。该方法包括步骤：形成由金属层间介电膜环绕的金属布线；在金属布线上顺序形成多个绝缘...

2008年5月21日

48

绝缘栅场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810074317]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：（ａ）准备基底，该基底包括源／漏区域、沟道形成区域、形成在沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖源／漏区...

2008年8月20日

49

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810008930]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件中铜布线的抗电迁移性提高。铜布线形成为使得在它的中心部分铜颗粒较大，在它的上部和下部铜颗粒较小。通过镶嵌方法形成具有这种结构的铜...

2008年8月20日

50

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810006288]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明可以提高在最下层配线中含有埋入配线的半导体装置的可靠性。在半导体基板１的主面上形成ＭＩＳＦＥＴＱｎ、Ｑｐ，并在此主面上形成着绝缘膜１０、１１。在绝缘膜１０、１１中...

2008年9月24日

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