磁场控制的电阻器-钱眼专利分类

异常磁致电阻器件　[申请号/专利号：200810095952]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明提供一种异常磁致电阻器件。一种具有减小的尺寸和提高的分辨率的异常磁致电阻传感器包括接触磁有效层的多条导电引线且还包括导电分路结构。传感器的该导电引线和分路结构可以...

2008年11月12日

用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法　[申请号/专利号：200710180285]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
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2008年6月4日

一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构　[申请号/专利号：200810103181]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结（ＭＴＪ）结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第...

2008年10月1日

北京

磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器　[申请号/专利号：200810109276]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层（３），第二磁性层（２）和第一隔离层（４）。第一磁性层（３）具有不变的磁化方...

2008年11月19日

磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置　[申请号/专利号：200810095658]
申请人/专利权人：佳能安内华股份有限公司
本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形...

2008年11月12日

CoFeB层构成固定层至少一部分的隧道型磁检测元件及其制法　[申请号/专利号：200710152772]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明特别涉及由Ｍｇ－Ｏ形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）的隧道型磁检测元件及其制造方法。第２固定磁性层（４ｃ），从下面起，以由Ｃｏ...

2008年3月26日

一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料　[申请号/专利号：200710177709]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ｔａ／ＮｉＣｏ／Ｔａ多层膜中插入ＦｅＭｎ层制得Ｔａ／ＮｉＣｏ／ＦｅＭｎ／Ｔａ多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ｔ...

2008年3月26日

北京

磁阻效应元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710105543]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明涉及磁阻效应元件及其制造方法。所述磁阻效应元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层。所述磁阻效应元件的制造方法包括以下步...

2008年4月2日

磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器　[申请号/专利号：200710161358]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻（ＲＡ）和高ＴＭＲ比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁...

2008年4月2日

磁致电阻效应元件,磁头,磁记录/音响装置和磁存储器　[申请号/专利号：200710142716]
申请人/专利权人：株式会社东芝、TDK株式会社
一种磁致电阻效应元件包括：其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层；其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层...

2008年4月2日

存储元件和存储器　[申请号/专利号：200710165918]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存...

2008年5月7日

磁阻效应元件、磁头、磁性再现装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710136876]
申请人/专利权人：株式会社东芝、TDK株式会社
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2008年1月16日

磁纳米元件中利用超薄阻尼层的阻尼控制　[申请号/专利号：200710180209]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明提供一种层系统、形成该层系统的方法、以及利用该层系统的器件。在一实施例中，该方法包括提供一种包括第一层的双层系统，该第一层包括掺杂以选自４ｄ过渡金属、５ｄ过渡金属...

2008年4月16日

磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置　[申请号/专利号：200710184983]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒｔｏ　　Ｐｌａｎｅ：...

2008年5月7日

磁阻效应元件及其制造方法　[申请号/专利号：200810088314]
申请人/专利权人：株式会社东芝、TDK株式会社
一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述...

2008年10月1日

磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器　[申请号/专利号：200810080432]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种ＣＰＰ型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由ＣｏＦｅＧ...

2008年8月27日

存储元件和存储器　[申请号/专利号：200810084068]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过...

2008年9月17日

采用磁畴壁移动的存储器装置　[申请号/专利号：200710154095]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括写轨道和列结构。写轨道形成了具有预定的磁化方向的磁畴。列结构形成在写轨道上并包括至少一个互连层和至少一个存储...

2008年3月19日

磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法　[申请号/专利号：200810086892]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由ＮｉＦｅＮ制成的底层（２）设置于衬底的主表面之上。由包含Ｉｒ和Ｍｎ的反铁磁材料制成的钉扎层（３...

2008年9月24日

磁电阻元件和磁性存储器　[申请号/专利号：200810008901]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉...

2008年7月30日

存储器件和存储器　[申请号/专利号：200810006185]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以...

2008年8月27日

隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器　[申请号/专利号：200710152798]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过...

2008年5月21日

磁阻元件和磁存储器　[申请号/专利号：200710141632]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件（１０）包括：包含磁性材料并具有（００１）面取向的ｆｃｔ晶体结构的自由层（１２），该自由层（１２）具有与膜面垂直并具有可通过自...

2008年4月16日

采用磁畴壁移动的存储器装置　[申请号/专利号：200710154094]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括第一轨道、互连层和第二轨道。包含磁材料的第一轨道沿着第一方向形成。互连层形成在第一轨道上。包含磁材料的第二轨...

2008年3月19日

使用电感转换的磁随机存取存储器装置　[申请号/专利号：200710147836]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种使用电感转换（ＣＩＤ）方法的磁存储器装置。所述使用ＣＩＤ方法的磁存储器装置包括：下部电极；磁阻结构，在下部电极上形成并包括两个边的宽度变化的自由层；以及上部电极...

2008年3月5日

具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710152793]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Ａｌ－Ｏ形成绝缘阻挡层，且能够得到低的ＲＡ且高的电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）。第二固定磁性层（４ｃ）通过将由Ｃ...

2008年3月26日

隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器　[申请号/专利号：200710153185]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种具有大ＭＲ比的隧道磁阻（ＴＭＲ）元件。这种ＴＭＲ元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由ＭｇＯ膜形成。磁...

2008年4月2日

磁阻效应元件的制造方法、磁头、磁记录再生装置、及磁性存储器　[申请号/专利号：200710147403]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种能获得ＭＲ变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第１磁性层...

2008年5月7日

一种具有垂直磁各向异性的自旋阀　[申请号/专利号：200810035234]
申请人/专利权人：复旦大学
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2008年12月10日

上海

磁阻效应元件的制造方法及磁阻效应元件　[申请号/专利号：200710127878]
申请人/专利权人：株式会社东芝
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2008年1月9日

磁阻效应元件,磁头,磁记录/再现装置和磁存储器　[申请号/专利号：200710127875]
申请人/专利权人：株式会社东芝
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2008年1月9日

磁阻效应元件的制造方法和磁阻效应元件　[申请号/专利号：200710127879]
申请人/专利权人：株式会社东芝
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2008年1月9日

半导体器件和形成该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710097021]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件和形成该半导体器件的方法。形成于字线和位线之间的半导体器件，包括：生长层、形成于生长层上的反铁磁体层、形成于反铁磁体层上的被钉扎层、形成于被钉扎层上的隧道阻挡...

2007年12月19日

美国

存储元件和存储器　[申请号/专利号：200710096904]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化...

2007年10月24日

磁阻效应元件、磁头、磁再现装置、以及磁阻效应元件的制造方法　[申请号/专利号：200710085268]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的磁阻效应元件包括：包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜；磁耦合层；铁磁层；反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与磁化固定...

2007年8月29日

磁畴数据存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002213]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和／或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即...

2008年7月9日

磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置　[申请号/专利号：200710180640]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供可以谋求ＭＲ变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第１磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第...

2008年4月2日

磁阻效应元件的制造方法和磁阻效应元件　[申请号/专利号：200710128678]
申请人/专利权人：株式会社东芝
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2008年1月9日

一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法　[申请号/专利号：200710178704]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种提高ＦＭ／ＦｅＭｎ双层膜交换偏置性能的方法，属于磁记录介质领域。其特征在于，在交换偏置多层膜中，在铁磁层和铁锰ＦｅＭｎ反铁磁层之间引入一个铂铁锰ＰｔＦｅ...

2008年4月30日

北京

磁传感器及其制造方法、电子设备　[申请号/专利号：200710086250]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
本发明公开一种磁传感器及其制造方法、电子设备。所述磁传感器具有磁场感应部分并检测两个或更多磁场。所述磁场感应部分具有包括Ｎｉ、Ｆｅ和Ｃｏ为主要成分并具有磁致电阻效应的合...

2007年9月12日

用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺　[申请号/专利号：200810008606]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本申请涉及用于减小性能下降的ＣＰＰ磁头的传感器形状及刻蚀工艺。防止性能被刻蚀传感器膜时发生的再沉积物或损坏降低，磁道宽度被减窄以及性能被稳定。当假定空气支承面上的传感器...

2008年8月13日

磁阻效应器件以及使用它的磁性随机存取存储器　[申请号/专利号：200710152885]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁阻效应元件（１），包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层（３）。磁化可变层（２）具有可变磁化方向，由具有ＢＣＣ结构并且由Ｆｅ↓［１－ｘ－ｙ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｎｉ↓［ｙ...

2008年4月2日

热促进编程的磁性存储元件方法及装置　[申请号/专利号：200710102186]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开了一种磁性存储元件，其包括磁性存储单元，此磁性存储单元包括被钉扎层以及自由层，自由层以绝缘层而与被钉扎层分离。此磁性存储元件亦包括接触至自由层的热盘。此磁性存...

2007年11月7日

磁阻元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710102978]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有...

2007年10月31日

使用单一接触结构的桥路电阻随机存取存储元件及方法　[申请号/专利号：200710102190]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开了一种桥路结构中的电阻随机存取存储器，其包括接触结构，其中第一与第二电极位于接触结构中。第一电极具有周边延伸的形状（例如环形），其围绕接触结构的内壁。第二电极...

2007年11月14日

电流垂直平面磁致电阻传感器　[申请号/专利号：200710101998]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
电流垂直平面ＣＰＰ磁致电阻传感器具有反平行自由ＡＰＦ结构作为自由层和用于所施加的偏置或检测电流的特定方向。ＡＰＦ结构具有第一自由铁磁层ＦＬ１、第二自由铁磁层ＦＬ２和反平...

2007年11月7日