包含有砷或锑或铋的-钱眼专利分类

一种复合纳米ZnSb基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810031263]
申请人/专利权人：湖南晟通科技有限公司
复合纳米ＺｎＳｂ基热电材料及其制备方法，是由下述方法制备而成，高纯Ｚｎ粉、Ｓｂ粉和占Ｚｎ粉、Ｓｂ粉质量数为０．５－３０％的纳米Ｚｎ粉、纳米Ｓｂ粉或Ｚｎ、Ｓｂ纳米线，在惰...

2008年10月1日

湖南

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同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810059880]
申请人/专利权人：杭州电子科技大学
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套，二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是：将原料加入反应容器中，加入蒸馏水、硼氢化钾、...

2008年8月6日

杭州

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一种钡锌锑基p型热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200710043844]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种钡锌锑基ｐ型热电材料及其制备方法，属于热电转换材料领域。所述热电材料化学通式为Ｂａ↓［１－ｕ］Ｒ↓［ｕ］Ｚｎ↓［２－ｖ］Ｔ↓［ｖ］Ｓｂ↓［２－ｚ］Ｓ↓［ｚ...

2008年2月6日

上海

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一种镉锑基p型热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200710043842]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
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2008年1月9日

上海

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Co-Sb系热电材料　[申请号/专利号：98107464]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明涉及可将热转换成电的ＣｏＳｂ↓［３］系热电材料，该热电材料可同时具有较大的塞贝克系数和较大的电导率，是一种功率因素较大而导热系数并未增大的ｐ型ＣｏＳｂ↓［３］系热...

1998年11月18日

日本

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纳米SiC颗粒复合CoSb*基热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610144006]
申请人/专利权人：清华大学、北京科技大学
纳米ＳｉＣ颗粒复合ＣｏＳｂ↓［３］基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Ｃｏ、Ｓｂ以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Ｃｏ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］Ｓｂ↓...

2007年7月11日

北京

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高性能热电材料和它们的制备方法　[申请号/专利号：200580011387]
申请人/专利权人：纳幕尔杜邦公司
本发明提供铟掺杂的Ｃｏ↓［４］Ｓｂ↓［１２］方钴矿组合物，其中在立方晶格结构中的某些Ｃｏ可以被由Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ和Ｐｔ所组成的组的一种或多种成员来替换...

2007年4月4日

美国

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填充的方钴矿基合金、其形成方法及利用该合金制造的热电转换器件　[申请号/专利号：03823174]
申请人/专利权人：昭和电工株式会社
一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法，所述方法包括以下步骤：熔化合金原料以使其形成熔融物，所述原料包括至少是Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ及Ｙｂ中的一种物质的稀土金...

2005年10月19日

日本

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一种碱金属原子填充锑化钴基方钴矿热电材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610030526]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种具有高填充量、优良热电性能的碱金属原子填充锑化钴基方钴矿材料及其制备方法，属于热电材料领域。本发明的材料其化学通式为Ａ↓［ｙ］Ｃｏ↓［４］Ｓｂ↓［１２］，...

2007年2月21日

上海

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一种改进的具有电输入与电输出装置的热电单元　[申请号/专利号：97196104]
申请人/专利权人：特莱珀特国际股份有限公司
一系列紧密叠置的热电偶形成一个轮环（６０），其被电绝缘的带箍（６１）保持在压缩状态以便抵抗洛仑兹力。通过低导热率元件（６４）和在热片与冷片（６６和６５）中形成的槽（３８...

1999年7月28日

美国

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热电材料以及使用该材料的热电转换器件　[申请号/专利号：200610131001]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种由以下组成式（Ｔｉ↓［ａ１］Ｚｒ↓［ｂ１］Ｈｆ↓［ｃ１］）↓［ｘ］Ａ↓［ｙ］Ｂ↓［１００－ｘ－ｙ］表示的热电材料，其中元素Ａ是至少一种选自Ｎｉ和Ｃｏ的元素，元素Ｂ是...

2007年10月3日

日本

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小功率热电发生器　[申请号/专利号：200480017390]
申请人/专利权人：应用数字解决方案公司
公开了一种用于热电发生器（１０）的箔段，热电发生器（１０）包括按照分隔关系设置在底板（１２）上的顶板（１４）。箔段阵列（１６）以并排排列的形式垂直地设置在底板和顶板之间...

2006年9月20日

美国

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一种发光容器　[申请号/专利号：200310109285]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明提供了一种借助热电材料实现发光功能的发光容器。在容器的外表设置与其紧贴的密封发光装置，其发光装置包括热电转换器件及发光器件，热电转换器件的电极与发光器件相联，构成...

2004年11月17日

杭州

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一种碲化铋基热电材料的制备方法　[申请号/专利号：03150425]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种碲化铋基热电材料的制备方法，其特在于包括：（１）利用区熔法制备碲化铋基定向多晶棒，熔融温度为７００－８００℃，温度梯度２５℃／ｍｍ；（２）先将定多晶棒置于...

2004年4月14日

上海

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制冷晶体的封装方法　[申请号/专利号：00121521]
申请人/专利权人：陈聪智
一种致冷晶体的封装方法，步骤是：由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板；该上、下基板予网版印刷多个导电胶；该导电胶上排置贴附定位金属导片，金属导片上涂布一层助焊剂；下基板上...

2002年2月27日

台湾

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