除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料-钱眼专利分类

用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法　[申请号/专利号：03815927]
申请人/专利权人：加利福尼亚技术学院
一种双钳制的梁具有处于梁内的不对称压电层，一个栅位于该梁的亚微米距离范围内，形成栅梁偶极子。悬臂梁用Ｃｌ↓［２］／Ｈｅ等离子体蚀刻形成，该等离子体分别以１∶９的流速比输...

2005年12月28日

提高截止频率的硅锗晶体管　[申请号/专利号：02828762]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种用于小信号放大器的双极晶体管，提高了早期电压并增强了截止频率。ＳｉＧｅ层（１４）具有的厚度（ｔ）和Ｇｅ浓度大于ＳｉＧｅ稳定性极限，错配位错没有产生显著的电荷捕获位置...

2005年6月8日

基于氮化镓的装置和制造方法　[申请号/专利号：200380100487]
申请人/专利权人：昂科公司
本发明涉及一种在硅基板（１０、２１０）上生成的氮化物半导体（３４，２３４），其通过沉积少量单层铝（１４，２１４）以保护硅基板使其在生长过程中不受所用的氨的影响，然后从氮...

2005年11月2日

单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合　[申请号/专利号：02809313]
申请人/专利权人：康涅狄格州大学
用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底（１４９）上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管（ＰＨＥＭＴ）结构进行...

2004年6月23日

负微分电阻场效应晶体管及其电路　[申请号/专利号：02828011]
申请人/专利权人：普罗格瑞森特技术公司
本发明公开了一种改进型负微分电阻场效应晶体管（ＮＤＲ－ＦＥＴ）。该ＮＤＲ－ＦＥＴ包括在衬底（可以是硅或ＳＯＩ）与栅极绝缘层之间的交界面之上或者极靠近该交界面形成的电荷陷...

2005年5月18日

异质结双极晶体管的结构及方法　[申请号/专利号：02825577]
申请人/专利权人：空间工程股份有限公司
按照一个公开的实施例，形成重掺杂的子集电极（２１０）。接着，在重掺杂的子集电极（２１０）之上制造集电极（２３０），其中集电极（２３０）包括邻近子集电极（２１０）的中等掺...

2005年6月15日

采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管　[申请号/专利号：03821362]
申请人/专利权人：国际整流器公司
利用硅－锗缓冲层和硅－碳沟道层结构制造的诸如异质结场效应晶体管的半导体器件。本发明提供了一种通过降低其上形成有应变硅沟道层的ＳｉＧｅ驰豫缓冲层之中的锗组分从而减少穿透缺...

2005年10月26日

改进的光电探测器　[申请号/专利号：03803039]
申请人/专利权人：派克米瑞斯公司
本发明包含具有由第二ｐ型半导体层耦合的第一ｐ型半导体层和ｎ型半导体层的光电二极管。第二ｐ型半导体层在沿载流子的路径上具有分级的掺杂。具体而言，掺杂的浓度分级为从阳极附近...

2005年11月23日

平面雪崩光电二极管　[申请号/专利号：03803038]
申请人/专利权人：派克米瑞斯公司
本发明包括一种平面雪崩光电二极管，其包括限定平面接触区域的第一ｎ－型半导体层，和具有ｐ－型扩散区域的第二ｎ－型半导体层。该结构进一步的特征包括ｎ－型半导体倍增层、ｎ－型...

2005年6月8日

...

　　共9 条信息，当前显示第 1 - 9 条，共1 页

钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明