在不同半导体区域中的-钱眼专利分类

一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片　[申请号/专利号：01820799]
申请人/专利权人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片（６）...

2004年10月27日

半导体器件　[申请号/专利号：200410097839]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：ｎ型ＧａＡｓ次集电极层（１０１），在集电极层（１０３）与次集电极层（１０１）之间形成的ｎ型ＧａＡｓ...

2005年7月13日

薄膜半导体外延衬底及其生产工艺　[申请号/专利号：03122641]
申请人/专利权人：住友化学工业株式会社
一种薄膜半导体外延衬底，包括衬底以及在所述衬底上形成为薄膜半导体外延层的子集电区层、集电区层、基区层和发射区层，其中加进的硼（Ｂ）出现在包括所述子集电区层和所述集电区层...

2003年10月29日

高频半导体器件　[申请号/专利号：01806367]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的高频半导体器件用于抑制多路ＨＢＴ的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器（１０）的初级及输出级的多路ＨＢＴ中，构成该初级多...

2003年5月7日

场效应晶体管　[申请号/专利号：98813383]
申请人/专利权人：英国国防部
一种场效应晶体管（ＦＥＴ）用基底层偏置来抑制本征对导电的贡献和减小泄漏电流。它包含相邻的四层（１０２至１０８）：ｐ↑［＋］ＩｎＳｂ基底层（１０２）、ｐ↑［＋］ＩｎＡｌＳ...

2001年2月14日

半导体器件及其制造方法和功率放大器模块　[申请号/专利号：03110562]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器...

2003年10月22日

磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管　[申请号/专利号：200380104447]
申请人/专利权人：昭和电工株式会社
本发明提供了一种器件性能优异的磷化硼基化合物半导体器件，其包括具有宽带隙的磷化硼基化合物半导体层。所述磷化硼基化合物半导体层包括非晶层和与非晶层结合的多晶层，并且所述磷...

2006年1月4日

磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管　[申请号/专利号：200380104015]
申请人/专利权人：昭和电工株式会社
一种器件特性优良的磷化硼基半导体器件，其具有Ⅲ族氮化物半导体层和磷化硼层的结结构。磷化硼基化合物半导体器件具有异质结结构，所述结构包括Ⅲ族氮化物半导体层和磷化硼层，其中...

2005年12月28日

一种探测功率范围可调的光电探测器　[申请号/专利号：02105492]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵，包括一个可以提供光信号衰减功能的波导型光学衰减器、能对光信号进行探测的波导型光电探测器，其中该波导型光电探测器通过其硅波...

2003年10月22日

掺杂型III-V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构　[申请号/专利号：03807131]
申请人/专利权人：克利公司
一种包括δ掺杂层（２４）和／或掺杂超晶格的ＩＩＩ－Ｖ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上...

2005年7月20日

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