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钱眼专利首页 > 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 的专利共 44 条
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1
氧化锌超细杆阵列的制备方法　[申请号/专利号：200710024489]
申请人/专利权人：东南大学
氧化锌超细杆阵列的制备方法通过如下步骤进行制备：首先制备质量百分浓度介于１ｗｔ％－１０ｗｔ％的聚乙烯醇溶液；其次在上述聚乙烯醇溶液中加入锌源材料使得锌离子的质量百分浓度...
2007年11月28日
2
柔性染料敏化太阳电池纳晶薄膜的制造方法　[申请号/专利号：200710018639]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明属于太阳电池领域，涉及一种柔性染料敏化太阳电池纳晶薄膜的制造方法，以多孔型纳米结构ＴｉＯ↓［２］粉末为原料，采用真空冷喷涂方法在导电基底上沉积形成多孔ＴｉＯ↓［２...
2008年2月20日
3
高取向性硅薄膜形成方法、三维半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610126325]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性ＡｌＮ薄膜，通过氧化该高取向性...
2007年10月31日
4
具有选择性气体供应的选择性外延制程　[申请号/专利号：200580041187]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和一第二表面（非晶或多晶）的基板安置于一制程反应室内，并且将该基板暴露在一沉积气体下以在...
2007年11月7日
5
硅-锗外延生长的产率改进　[申请号/专利号：200580014243]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种确定ＳｉＧｅ淀积条件以便提高半导体结构的产率的方法。半导体结构的制造是从单晶硅（Ｓｉ）层开始的。接着，在单晶硅层中形成第一和第二浅沟槽隔离（ＳＴＩ）区，该ＳＴＩ区夹...
2007年4月18日
6
人造无定形半导体及其在太阳能电池中的应用　[申请号/专利号：200580013925]
申请人/专利权人：新南创新有限公司
本发明提供一种人造无定形半导体材料，和一种由该材料制成的结，该结具有多个结晶半导体材料量子点（２３），其通过介电材料的基体或介电材料的薄层（２１、２２）大致均匀地分布以...
2007年5月2日
7
制备氧化锌一维纳米棒晶薄膜的方法　[申请号/专利号：200510014993]
申请人/专利权人：天津大学
本发明公开了一种制备一维ＺｎＯ纳米棒晶薄膜的电场辅助的方法，步骤依次为：将Ｚｎ（ＮＯ↓［３］）↓［２］·６Ｈ↓［２］Ｏ与ＮａＯＨ溶解于水中，搅拌均匀；置于３０～９０℃的...
2006年3月22日
8
一种三缓冲层制备氧化锌薄膜的方法　[申请号/专利号：200410086325]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法，其步骤为：对蓝宝石衬底表面进行预处理，修正和控制蓝宝石衬底的原子结构，以实现ＺｎＯ薄膜的单极性、单畴生长；然后采用三缓冲...
2005年6月1日
9
多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法　[申请号/专利号：200410072928]
申请人/专利权人：天津大学
本发明公开了一种薄膜太阳能电池的多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，首次采用ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＯＨ来取代ＣＨ↓［３］ＣＮ作溶剂，用一步流化反应取代两步...
2005年7月13日
10
在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料的制备方法　[申请号/专利号：200410068866]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在ｎ型硅片上生长一层ｐ型的掺杂锰酸镧Ｌａ↓［１－ｘ］Ａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］薄膜，形成ｐ－ｎ异...
2006年1月18日
11
籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法　[申请号/专利号：200410010860]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明属于半导体材料技术领域，是籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法。将等质量的乙酸锌与碳酸氢钠在室温下充分研磨，在１６０℃下反应２～４小时，将产物用去离子...
2005年11月16日
12
形成导热性改善的应变硅材料的方法　[申请号/专利号：200580026074]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种用于在ＳｉＧｅ上形成应变硅层的方法，其中ＳｉＧｅ层具有改善的导热性。在第一淀积步骤中，在衬底（１０）上淀积Ｓｉ或者Ｇｅ的第一层（４１）；在第二淀积步骤中，在所...
2007年7月4日
13
制造多晶硅层的方法　[申请号/专利号：200410058928]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种制造多晶硅层的方法，包括：首先，提供一基板，并形成一绝缘层于基板上。接着，形成一非晶硅层于绝缘层上，非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区。然后，将非晶硅层完全熔融...
2005年3月2日
14
半导体结构　[申请号/专利号：01804753]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
通过首先生长一个适应缓冲层（２４）可以生长高质量的化合物半导体材料的外延层，覆盖晶格不匹配的基片，最好为硅基片。适应缓冲层是通过优选的氧化硅的无定形氧化物分界层（２８）...
2003年5月7日
15
采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法　[申请号/专利号：200580004047]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
从体硅衬底（１２）开始制作一种绝缘体上半导体晶体管（４５）。有源区被限制在衬底（１２）中，且单晶的富氧硅层形成于有源区的最顶层上。硅外延层生长在富氧硅层上。硅外延层形成...
2007年2月14日
16
含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200510063056]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种含三种掺杂剂的氧化锌薄膜及其制造方法，在含锂衬底上依次包括ＺｎＯ缓冲层、ＺｎＯ外延层和Ｐ型ＺｎＯ三元共掺层，其中，三元共掺层所包含的三种掺杂剂为：锂、氮...
2005年9月7日
17
制造结晶硅的方法　[申请号/专利号：200480043738]
申请人/专利权人：加州理工大学
本发明提供由非晶硅制造基本为结晶形式的硅的方法。...
2007年8月15日
18
以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案　[申请号/专利号：200410037914]
申请人/专利权人：统宝光电股份有限公司
本发明提供一种以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其使用的光罩图案，其中，光罩图案包括：一结晶图案部，用以定义一投射至非晶硅膜的激光束的能量，以使非晶硅膜形成一多晶硅...
2005年11月16日
19
用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法　[申请号/专利号：200410053175]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及...
2005年3月2日
20
批量式原子层沉积设备　[申请号/专利号：03102513]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种批量式原子层沉积设备，其可以在防止片电阻的均匀性下降的同时增大产量。本发明的原子层沉积设备包括：腔内的旋转托盘，其中，多个晶片位于该旋转托盘上距该旋转托...
2003年11月26日
21
半导体结构　[申请号/专利号：01804746]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
通过首先在硅晶片（２２）上生长出调节缓冲层（２４）可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层（２８）将调节缓...
2003年5月7日
22
半导体和锰酸镧p-n结　[申请号/专利号：01104460]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型ｐ－ｎ结。本发明将ｐ型锰酸镧Ｌａ↓［１－ｘ］Ａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］薄膜材料（其中Ａ是Ｃａ或Ｓｒ或Ｂａ或Ｐｂ或Ｓｎ）或ｎ型锰酸...
2002年9月25日
23
半导体和钛酸锶p-n结　[申请号/专利号：01104459]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型ｐ－ｎ结。本发明将ｎ型或ｐ型的钙钛矿结构氧化物（选择掺杂的钛酸钡或钛酸锶或锰酸镧）与ｎ型或ｐ型的半导体材料（选择掺杂的硅或锗或...
2002年9月25日
24
用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法　[申请号/专利号：00815450]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
揭示了将非晶硅（５４２）薄膜样本（１７０）加工成多晶硅（５４０）薄膜的方法。在一种较佳装置例中，一种方法包括步骤：产生一个序列的受激准分子激光脉冲（１６４）；将该序列中...
2002年12月25日
25
低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法　[申请号/专利号：00815428]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
揭示了将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜的方法和系统。该系统包括：受激准分子激光器（１１０），产生具有预定流量的多个受激准分子激光脉冲（１１１）；能量密度调节器（１...
2002年12月25日
26
掺杂型III-V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构　[申请号/专利号：03807131]
申请人/专利权人：克利公司
一种包括δ掺杂层（２４）和／或掺杂超晶格的ＩＩＩ－Ｖ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上...
2005年7月20日
27
溶胶－凝胶法制备氮化镓纳米多晶薄膜的方法　[申请号/专利号：03110867]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶－凝胶法制氮化镓纳米薄膜。本发明利用第三主族元素的两性现象，用强碱，像ＮａＯＨ，或ＫＯＨ等，把ＧａＯ溶解。再利用酸，像ＨＮＯ↓...
2004年8月4日
28
一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法　[申请号/专利号：03110865]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获...
2004年8月4日
29
N*O掺杂p型Zn***Co*O稀磁半导体薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810059939]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及Ｎ↓［２］Ｏ掺杂生长ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｏ稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ＺｎＯ、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］粉末混合烧结的陶瓷...
2008年8月6日
30
药液混合方法和药液混合装置　[申请号/专利号：200710139922]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供在混合硫酸和双氧水时可以充分地生成对从基板上剥离抗蚀剂等有效的卡罗酸。首先用硫酸充满内槽（１０），同时从内槽（１０）溢出的硫酸也流入到外槽（１２）中。接着向内...
2008年3月19日
31
快速生长纳米硅丝的方法　[申请号/专利号：200310108004]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的快速生长纳米硅丝的方法步骤如下：首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中...
2004年9月15日
32
用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体　[申请号/专利号：200310115258]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本发明阐述用液相外延法生长ＺｎＯ蓝紫光半导体。首先选择含有Ｐ＃－［２］Ｏ＃－［５］助熔剂的生长体系，采用熔盐法生长出掺杂有Ｐ＃＋［５＋］离子的ＺｎＯ－ｐ型半导体单晶；然...
2005年6月1日
33
铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法　[申请号/专利号：200310107202]
申请人/专利权人：南开大学
本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或／和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Ｍｏ衬底上分...
2004年11月17日
34
二氧化锡纳米晶态薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200310107071]
申请人/专利权人：天津大学
本发明公开了二氧化锡纳米晶态薄膜的制备方法，它具有如下步骤：（１）基底表面清洗；（２）将基底置于浓硫酸与双氧水混合溶液中，使基底表面羟基化；（３）将基底浸入Ｘ（ＣＨ↓［...
2004年11月10日
35
非晶硅结晶法　[申请号/专利号：02122832]
申请人/专利权人：LG.菲利浦LCD株式会社
本发明公开了一种掩模和其在非晶硅连续横向固化（ＳＬＳ）结晶方法中的应用。该掩模包括一个用于阻挡激光束的光吸收部分，和具有层叠图案的多个第一梯形光透射部分和具有层叠图案的...
2003年2月12日
36
屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法　[申请号/专利号：02110601]
申请人/专利权人：黄风义
一种在衬底上制备晶体薄膜或多晶薄膜的方法，包括利用屈服性超薄衬底的材料转化和横向微型结构来降低外延异质晶体的内应力；以及通过离子注入，在有内应力的薄膜下面形成非晶层后，...
2003年8月6日
37
用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法　[申请号/专利号：02141979]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得ｐ－型氧化锌材料，通过控制氧化温度与热氧化时间来控制ｐ－型氧化锌材料...
2003年3月5日
38
一种成型半导体结构的方法　[申请号/专利号：01804762]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
通过在硅晶片（２２）上首先生长缓冲适应层（２４）可在大的硅晶片上生长高质量的化合物半导体材料外延层。所述缓冲适应层是通过一个硅氧化物非晶态中间层（２８）与所述硅晶片间隔...
2003年2月19日
39
对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构　[申请号/专利号：03822483]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
本发明提供处理薄膜样本（１７０）的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器（１１０）发射至少一个光束脉冲（１１１）。然后掩模所述光束脉冲（１１１）来产生至少一个经掩模的...
2005年10月19日
40
外延片及其制造方法　[申请号/专利号：95120460]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ形成的组中选出的化合物半导体基板１...
1996年10月22日
41
具有多种照射图形的单步半导体处理系统和方法　[申请号/专利号：03819047]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
本发明提供了一种高生产量系统和在低温下沉积到衬底上的薄膜半导体的再结晶工艺。用激光光束照射薄膜半导体工件来熔化和再结晶暴露在激光光束的表面目标区域。使用图形掩模，使激光...
2006年4月5日
42
一种制备金属有机配合物薄膜的方法　[申请号/专利号：00137217]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明涉及一种制备金属有机配合物薄膜的方法，其步骤为，先用常规方法在衬底上形成一层金属薄膜，再将衬底及ＴＣＮＱ粉末置于密闭容器中，抽真空，加热，使金属膜原子与汽相有机分...
2001年7月25日
43
半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：95109338]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
薄膜半导体器件，例如ＴＦＴ及其制造方法。ＴＦＴ形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，...
1996年7月31日
44
薄膜制备方法和淀积设备　[申请号/专利号：97102271]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间（即与放电接触的空间）内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地（阳极）电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的...
1997年11月5日
 

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