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钱眼专利首页 > 按其晶体结构区分的，例如多晶的、立方体的、晶面特殊取向的 的专利共 81 条
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1
半导体装置及其应用　[申请号/专利号：200810005300]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶...
2008年10月8日
2
半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法　[申请号/专利号：200810081344]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其...
2008年9月10日
3
薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置　[申请号/专利号：200810004599]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所、国立大学法人东京工业大学
提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机ＥＬ显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Ｓｉ、Ｇｅ的半导体层（４），该半导体层（４）的Ｇｅ浓度在绝缘基板（１）侧高，半导体层（...
2008年9月24日
4
包含多晶硅的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810001510]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种包含多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括ＴａＮ↓［ｘ］材料层以及形成在ＴａＮ↓［ｘ］材料层上的ｐｏｌｙ－Ｓｉ层...
2008年7月9日
5
纳米硅异质结双向隧穿二极管　[申请号/专利号：200810091862]
申请人/专利权人：韦文生
本发明公开了一种纳米硅异质结双向隧穿二极管，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，该纳米硅薄膜包括嵌在氢化非晶形硅组织中的纳米硅晶粒，所述纳米硅薄膜和构...
2008年9月3日
6
具有亚光刻宽度的端面的半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810002049]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了用于在增强性能的ＭＯＳＦＥＴ的半导体衬底上提供多个平行的具有亚光刻宽度的端面化Ｖ型槽的结构和方法。使用自对准的自组装材料来构图多个平行的亚光刻线。通过使用在...
2008年7月16日
7
一种肖特基二极管　[申请号/专利号：200710046545]
申请人/专利权人：华东师范大学
本发明涉及一种新型的肖特基二极管，属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括：衬底、银电极层和单根超长ＺｎＯ纳米杆单晶材料。其中，银电极层设置在衬底上，超...
2008年2月27日
8
半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置　[申请号/专利号：200710148148]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄...
2008年3月5日
9
薄膜晶体管及其制造方法、和半导体装置　[申请号/专利号：200710142239]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种通过激光晶化法使晶界在一个方向上一致的晶态半导体膜及其制造方法。当通过利用线状激光使形成在衬底上的半导体膜晶化时，使用凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相...
2008年3月5日
10
半导体器件　[申请号/专利号：200710167664]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明是即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的ｎ...
2008年3月12日
11
薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200710109542]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基...
2008年1月2日
12
2008年2月6日
13
晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710088158]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
晶体半导体薄膜，半导体器件及其制造方法：在衬底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上形成薄膜厚度等于或大于２００ｎｍ且等于或小于１０００ｎｍ...
2007年9月26日
14
显示装置　[申请号/专利号：200710107310]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种显示装置，包括设置的驱动基板，其上排列有多个像素电极以及用于驱动像素电极的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管均包括具有通过能量束照射而多结晶化的有源区的半导体薄膜以及被设置...
2007年11月28日
15
使用晶片键合技术制造无缺陷高Ge含量(25%)绝缘体上SIGE（SGOI）衬底的方法　[申请号/专利号：200580029385]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约２５原子百分比的高Ｇｅ含量的ＳｉＧｅ层的基本无缺陷ＳＧＯＩ衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在ＳｉＧｅ层与低温...
2007年8月1日
16
高迁移率三栅器件及其制造方法　[申请号/专利号：200580021607]
申请人/专利权人：英特尔公司
提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上〈１１０〉晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬...
2007年6月6日
17
具有多个半导体层的半导体器件　[申请号/专利号：200580018811]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种半导体器件结构（１０），其使用两个半导体层（１６＆２０）以分别优化Ｎ和Ｐ沟道晶体管载流子迁移率。用于确定此点的传导特性是半导体材料类型、晶面、取向以及应变的组合。当...
2007年5月30日
18
半导体元件以及半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200510118514]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底（ＧａＮ衬底）的半导体元件的制造性，同时在ＧａＮ衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面（１０ａ）相对于（...
2006年6月7日
19
有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置　[申请号/专利号：200510118026]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种有机电致发光装置的制造方法，是在基板（２０）上具有多个第１电极、与所述第１电极的形成位置对应配置的发光功能层、以及覆盖所述发光功能层的第２电极的有机电致发...
2006年4月26日
20
反射式液晶显示器及周边电路的制造方法　[申请号/专利号：03119439]
申请人/专利权人：统宝光电股份有限公司
一种低温多晶硅液晶显示器，包含Ｐ型薄膜电晶体ＴＦＴ（不含浅掺杂汲极ＬＤＤ），及包含ＬＤＤ的ｎ型ＴＦＴ的驱动电路及画素ＴＦＴ与储存电容及画素电容底部电极的制造方法。制程步...
2004年9月22日
21
为优化载流子传输而在同一晶片上利用不同晶面制造N-FET和P-FET　[申请号/专利号：03806215]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种用于电子芯片的方法（和结构），该芯片具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在第...
2005年7月20日
22
包括场效应晶体管的半导体装置　[申请号/专利号：200510129439]
申请人/专利权人：株式会社东芝
半导体装置包括半导体区域、源极和漏区、门绝缘薄膜以及门电极。半导体区域具有平面取向（００１）。源极和漏区在半导体区域中彼此远离地形成，并且沟道区在半导体区域中源极和漏区...
2006年6月14日
23
使用填充四面体半导体的半导体器件　[申请号/专利号：200710142429]
申请人/专利权人：株式会社东芝
通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子Ｓ和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子Ｉ形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被...
2008年3月12日
24
2008年1月16日
25
集成有鳍式FET的平面型衬底器件及其制造方法　[申请号/专利号：200580035484]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
集成有鳍式场效应晶体管（ＦｉｎＦＥＴ）的平面型衬底器件（１００）及其制造方法，包括绝缘体上硅（ＳＯＩ）晶片（１０１），后者包括：衬底（１０３）；衬底（１０３）上的隐埋隔...
2008年1月9日
26
薄膜晶体管及其制造方法、以及使用薄膜晶体管的显示器　[申请号/专利号：200610151400]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明提供呈现出较高电子（或空穴）迁移率的薄膜晶体管、用于制造薄膜晶体管的方法、以及使用该薄膜晶体管的显示器。本发明提供一种薄膜晶体管，其在晶体沿水平方向生长的半导体薄...
2007年1月24日
27
薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法　[申请号/专利号：200610084254]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明的目的在于提供一种具有高迁移率并且迁移率或阈电压特性波动很小的薄膜晶体管。厚度小于５０ｎｍ并且设置在绝缘衬底（１）上的非单晶半导体薄膜（３）用具有反峰构图光强分布...
2007年3月14日
28
多晶硅层及其制造方法　[申请号/专利号：200610095644]
申请人/专利权人：中华映管股份有限公司
一种多晶硅层的制造方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板，并在基板上形成一非晶硅层。在非晶硅层上形成一图案化金属层。然后，进行一脉冲模式快速升温退火处理制程，以在图案化...
2007年12月26日
29
具有多方位的绝缘层上覆硅芯片及其制作方法　[申请号/专利号：200410004260]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将Ｐ型晶体管设置于表面方位为（１１０）的孤立硅层上方，将Ｎ型晶体管...
2004年10月13日
30
用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法　[申请号/专利号：200610080561]
申请人/专利权人：统宝光电股份有限公司
本发明是有关于一种用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法。该低温多晶硅的退火方法，用于一玻璃基板，该玻璃基板上形成有第一金属层及硅膜层，退火方法包括下列步骤：将一...
2007年11月21日
31
避免高反射率界面的CMOS成像器　[申请号/专利号：200580044500]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种图像传感器（２０）及制造方法，其中该传感器包括铜（Ｃｕ）金属化级（１３５ａ，１３５ｂ），允许结合较薄的级间介质叠层（１３０ａ－１３０ｃ）以导致象素阵列（１００）显示...
2007年12月12日
32
场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管　[申请号/专利号：200510092746]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司、日本电气株式会社
本发明的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有｛１００｝面作为主表面的单晶硅衬底（１０１）上形成基本上在单晶硅的〈０１０〉晶轴方向或等价于〈０１０〉晶...
2006年2月22日
33
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510073455]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体...
2005年11月30日
34
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510067801]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其制造方法。一半导体基底上的主动区或切割线是沿一抗裂痕的结晶方向设置，因此，可避免因快速热制程急剧的温度变化而产生的热裂痕。...
2005年11月23日
35
制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元　[申请号/专利号：200710138894]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅...
2007年12月19日
36
形成独立半导体层的方法　[申请号/专利号：200480024191]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种在常规ＳＯＩ或体衬底硅器件上提供独立半导体层（２６）的方法，包括在单晶基础结构（２０）上形成无定形或多晶心轴（２２）。然后在心轴（２２）上和基础结构（２０）上形成保...
2006年9月27日
37
双轴压缩应变下的＜110＞硅中的电子和空穴迁移率的增强　[申请号/专利号：200480039512]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种具有增强的电子和空穴迁移率的半导体材料，该材料包括在双轴压缩应变下的具有＜１１０＞晶体取向的含硅层。术语“双轴压缩应变”在此处用来描述由纵向压缩应力和横...
2007年7月18日
38
室温共价粘结的方法　[申请号/专利号：200480018125]
申请人/专利权人：齐普特洛尼克斯公司
一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，...
2006年11月8日
39
薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及使用薄膜晶体管的显示器　[申请号/专利号：200610151501]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明提供呈现出更高电子或空穴迁移率的薄膜晶体管（ＴＦＴ）、用于制造该薄膜晶体管的方法以及使用该薄膜晶体管的显示器。因此，本发明提供一种薄膜晶体管，其在半导体薄膜（４ａ...
2007年1月24日
40
在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器　[申请号/专利号：200580016370]
申请人/专利权人：彩光公司
本发明的实施例提供一种与传感器阵列集成的彩色滤波器及其制造方法。通过传感器阵列与彩色滤波器的集成，可以降低显示器的总体成本。此外，该集成允许传感器阵列用作数据输入的触摸...
2007年5月2日
41
具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200610081729]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种具有平坦表面的多晶硅薄膜的制造方法，主要利用侧向长晶原理和激光方式将非晶硅区域熔融后结晶，再将结晶后所形成的多晶硅突起部分以激光熔融后再结晶，如此重复激光方式并步进...
2006年10月25日
42
对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构　[申请号/专利号：03822483]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
本发明提供处理薄膜样本（１７０）的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器（１１０）发射至少一个光束脉冲（１１１）。然后掩模所述光束脉冲（１１１）来产生至少一个经掩模的...
2005年10月19日
43
具有电压均衡环的钝化结构　[申请号/专利号：200580039046]
申请人/专利权人：国际整流器公司
一种半导体设备（１０），包括：通过阻性材料的导电带形成的钝化结构（１６），所述导电带在设备的有源区域周围自身交叉一次以形成第一闭环；以及环绕所述自身交叉第二次以形成第二...
2007年10月17日
44
应变绝缘硅的制造方法　[申请号/专利号：200410057840]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供在具有不同晶体取向的ＳＯＩ衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个ＳＯＩ衬底的集成半导体结构，ＳＯＩ衬底具有第一晶...
2005年3月9日
45
半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置　[申请号/专利号：200710097036]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有２种以上平均晶粒直径的半导体层。...
2007年11月14日
46
制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片　[申请号/专利号：200480016820]
申请人/专利权人：信越半导体株式会社
定义允许衬底的主平面ＭＰ的法线矢量α和在填充有填充外延层的沟槽１１的纵向上的内壁平面的法线矢量β以最小旋转角度交迭的角度范围作为过渡平面法线角度范围θ，并假设包括在沟槽...
2006年7月19日
47
纳米级晶粒的制造方法及其应用　[申请号/专利号：200510109659]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种制作纳米级晶粒的方法，其可应用于内存器件和太阳能电池的制程中。该制作纳米级晶粒的方法至少包括以下步骤：首先，提供基板，并在基板上形成薄膜，薄膜的厚度等于或小于约５０...
2006年5月3日
48
薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法　[申请号/专利号：200710103568]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源...
2007年9月19日
49
用于调整电子显示器尺寸的装置和方法　[申请号/专利号：200480042897]
申请人/专利权人：小唐纳斯·E·劳伦斯
本发明公开了用于调整ＣＯＴＳ　　ＡＭＬＣＤ或其它电子显示器尺寸的装置和方法，以及使用这些装置和方法制造的调整尺寸的显示器。该电子显示器包括：前板（２０ｆ）、后板（２０ｂ...
2007年4月4日
50
用于液晶显示器的替换薄膜晶体管　[申请号/专利号：200480014892]
申请人/专利权人：克雷沃耶提公司
揭示了用于液晶显示器的替换薄膜晶体管（５０２和５０４）。这些替换薄膜晶体管（５０２和５０４）可用于显示器的显示屏，例如液晶显示器的显示屏，特别是具有交替变换子像素排列的...
2006年7月5日
 

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