| |
为优化载流子传输而在同一晶片上利用不同晶面制造N-FET和P-FET |
|
|
 |
|
|
| 一种用于电子芯片的方法（和结构），该芯片具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在第二晶面上高于在第二晶面上，包括具有至少一个在所述材料的所述第一晶面上制造的部件，和具有至少一个在所述材料的第二晶面上制造的第二器件，其特征在于所述第一器件的所述部件的活性主要涉及第一载流子类型，所述第二器件的所述部件的活性主要涉及第二载流子类型。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
为优化载流子传输而在同一晶片上利用不同晶面制造N-FET和P-FET
一种电子芯片，包含： 具有至少一层材料的第一器件，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，第二载流子类型的载流子迁移率在所述第二晶面上高于所述第一晶面上，所述第一器件具有至少一个利用所述材料的所述第一晶面制造的部件，所述至少一个部件包括主要是所述第一载流子类型的活性，其特征在于所述第一晶面包含（１１１）晶面，所述第二晶面包含（１００）晶面。
|
|
|
|
|
| |
