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专利号:200610080561
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用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法

本发明是有关于一种用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法。该低温多晶硅的退火方法,用于一玻璃基板,该玻璃基板上形成有第一金属层及硅膜层,退火方法包括下列步骤:将一波长大于400奈米的激光束照射硅膜层,硅膜层吸收激光束的一部分而被加热熔化,且激光束另一部分是穿透硅膜层并从第一金属层反射至硅膜层,使硅膜层吸收反射的激光束而被再加热而结晶;以及在激光束照射后静置硅膜层,使硅膜层的温度下降至室温。该系统,用于显示影像,其包括一低温多晶硅基板,具有一玻璃基板、一第一金属层及一多晶硅膜层。本发明不仅可以提高激光束的使用率,亦由于使用固态激光束更可节省使用成本,另外更加提升薄膜电晶体的电子迁移率。

用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法

一种低温多晶硅的退火方法,用于一玻璃基板,其中该玻璃基板上是形成有一第一金属层及一硅膜层,其特征在于该退火方法包括下列步骤:    将一波长大于400奈米的激光束照射该硅膜层,其中该硅膜层吸收该激光束的一部分而被加热熔化,且该激光束的另一部分是穿透该硅膜层并从该第一金属层反射至该硅膜层,以使该硅膜层吸收反射的该激光束而被加热再结晶;以及    在该激光束照射后静置该硅膜层,以使该硅膜层的温度下降至室温。
 


  
专利号: 200610080561
申请日: 2006年5月17日
公开/公告日: 2007年11月21日
授权公告日:
申请人/专利权人: 统宝光电股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 森本佳宏、李淂裕、刘侑宗
代理人: 寿宁 张华辉
专利代理机构: 冶金专利事务所(11019)
专利代理机构地址: 北京市灯市口74号(100730)
专利类型: 发明
公开号: 101075555
公告日:
授权日: 20
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 12
页数: 11
权利要求项数: 3
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