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| 本发明的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有｛１００｝面作为主表面的单晶硅衬底（１０１）上形成基本上在单晶硅的〈０１０〉晶轴方向或等价于〈０１０〉晶轴方向的轴方向上延伸的栅电极（１０７），以及在栅电极（１０７）的两侧的单晶硅衬底（１０１）的表面上的源／漏区（１２９）。在栅电极（１０７）的正下方的区域中的单晶硅衬底（１０１）的表面上，形成主表面和沿着栅电极（１０７）的延伸方向倾斜于主表面的倾斜表面（１３３）。 |
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场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管
一种场效应晶体管，包括： 由具有｛１００｝面作为主表面的单晶硅制得的衬底； 在所述衬底上的栅电极，其基本上在所述单晶硅的〈０１０〉晶轴或等价于所述〈０１０〉晶轴方向的轴的方向上延伸；以及 在所述栅电极的两侧的所述衬底的表面上的源／漏区， 其中所述栅电极正下方的所述衬底的所述表面具有所述主表面和沿着所述栅电极的延伸方向倾斜于所述主表面的倾斜表面。
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