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专利号:200710148148
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半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置

本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外,本发明的半导体薄膜中,晶粒(6)排列成格子状。另外,晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。

半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置

一种半导体薄膜,是一种通过在非晶半导体薄膜上照射激光而多晶化的半导体薄膜,    其晶粒排列成格子状,    上述晶粒的大小约为上述激光的振荡波长的一半。
 


  
专利号: 200710148148
申请日: 2007年8月28日
公开/公告日: 2008年3月5日
授权公告日:
申请人/专利权人: 三菱电机株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 竹口彻、由良信介
代理人: 王岳 刘宗杰
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司(72001)
专利代理机构地址: 香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
专利类型: 发明
公开号: 101136429
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 日本2006年8月28日2006-231054
审批历史:
附图数: 4
页数: 13
权利要求项数: 2
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