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专利号:200610081729
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具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法

一种具有平坦表面的多晶硅薄膜的制造方法,主要利用侧向长晶原理和激光方式将非晶硅区域熔融后结晶,再将结晶后所形成的多晶硅突起部分以激光熔融后再结晶,如此重复激光方式并步进整面基板以达到具有平坦表面的多晶硅薄膜。所制成的多晶硅薄膜包括多个侧向结晶生长的晶粒,和多个纳米级凹槽(nano-trenches),平行地形成于多晶硅薄膜的表面;且该些纳米级凹槽的一长轴方向大致上和该些晶粒的侧向结晶方向互相垂直。

具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法

一种多晶硅薄膜,利用激光退火方式形成于基板上,该多晶硅薄膜包括:    多个侧向结晶生长的晶粒;和    多个纳米级凹槽(nano-trenches),平行地形成于该多晶硅薄膜的一表面,且该些纳米级凹槽的一长轴方向大致上和该些晶粒的侧向结晶方向互相垂直。
 


  
专利号: 200610081729
申请日: 2006年5月10日
公开/公告日: 2006年10月25日
授权公告日:
申请人/专利权人: 友达光电股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 赵志伟、孙铭伟
代理人: 陶凤波 侯宇
专利代理机构: 柳沈知识产权律师事务所(11105)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)
专利类型: 发明
公开号: 1851926
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权:
审批历史:
附图数: 7
页数: 7
权利要求项数: 2
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