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| 本发明揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将Ｐ型晶体管设置于表面方位为（１１０）的孤立硅层上方，将Ｎ型晶体管设置于表面方位为（１００）的孤立硅层上方。如此一来，Ｐ型晶体管会具有良好的电洞迁移率，Ｎ型晶体管会具有良好的电子迁移率。本发明更揭示该具有多方位的绝缘层上覆硅芯片的制造方法。 |
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具有多方位的绝缘层上覆硅芯片及其制作方法
一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片，包括： 一硅基底； 一绝缘层，设置于上述硅基底表面； 一孤立第一硅层，设置于上述绝缘层的部分表面，其中上述孤立第一硅层的表面具有一第一方位；以及 一孤立第二硅层，设置于上述绝缘层的部分表面，其中上述孤立第二硅层的表面具有一第二方位。
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