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专利号:200510109659
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纳米级晶粒的制造方法及其应用

一种制作纳米级晶粒的方法,其可应用于内存器件和太阳能电池的制程中。该制作纳米级晶粒的方法至少包括以下步骤:首先,提供基板,并在基板上形成薄膜,薄膜的厚度等于或小于约50*。接着,对薄膜施以激光退火处理,且该激光的波长等于或小于约500nm,以在基板上形成多个纳米晶粒。

纳米级晶粒的制造方法及其应用

一种制作纳米级晶粒的方法,包括以下步骤:    提供基板;    在所述基板上形成薄膜,该薄膜的厚度等于或小于约50*;及    对所述薄膜施以激光退火处理,且该激光的波长等于或小于约500nm,以在所述基板上形成多个纳米晶粒。
 


  
专利号: 200510109659
申请日: 2005年9月19日
公开/公告日: 2006年5月3日
授权公告日:
申请人/专利权人: 友达光电股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 赵志伟、张茂益、曹义昌
代理人: 封新琴 巫肖南
专利代理机构: 柳沈知识产权律师事务所(11105)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)
专利类型: 发明
公开号: 1767151
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权:
审批历史:
附图数: 5
页数: 5
权利要求项数: 2
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