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| 本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅膜。通过图案化该缓冲层和绝缘膜，在晶体硅膜上对应于沟道区域的区域中选择性地形成沟道保护膜。进一步，当选择性地去除ｎ＋硅膜和金属层时，沟道保护膜作为刻蚀停止。当形成晶体硅膜时均匀提供热。进一步，在刻蚀中保护晶体硅膜的沟道区域。 |
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制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元
一种制造薄膜晶体管的方法包括步骤： 在绝缘衬底上依次形成栅电极、栅绝缘膜、第一非晶硅膜以及第一绝缘层； 在该第一绝缘层上形成光热转换层； 通过使用光束照射该光热转换层来经由该光热转换层和该第一绝缘层为该第一非晶硅层提供热处理从而结晶该第一非晶硅膜以形成晶体硅膜； 去除该光热转换层； 通过图案化该第一绝缘层以选择性地仅留下对应于该晶体硅膜的沟道区域的区域以形成沟道保护膜；和 通过在该沟道保护膜和该晶体硅膜上依次形成ｎ＋硅膜和金属层，图案化该晶体硅膜和该ｎ＋硅膜以选择性地仅留下对应于该栅电极的区域，以及利用使用沟道保护膜作为刻蚀停止选择性地去除在该ｎ＋硅膜和该金属层中对应于该沟道区域的区域，由此由该ｎ＋硅膜形成源极区域和漏极区域并且由该金属层形成源电极和漏电极。
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